Gas transport through materials can

Gas transport through materials can take place by two mechanisms;
diffusive flow via solubility-diffusion or flow through
defects in the material such as pinholes. Oxygen permeation
through high barrier coatings is dominated by flow through defects
in the coating (Chatham,1996). The principal mechanism of oxygen
transport through SiOx coated-barrier occurs through nano-scale
defects in the SiOx coating (Erlat & Spontak, 1999; Gruniger & Rohr,
2004).
The oxygen permeability (OP) of SIOX increased significantly
during the storage time. The largest increase in OP of SIOX, more
than 10 times the pre-retort value,was measured immediately after
retorting (Table 1). This increase reflects a combination of physically
constrained H2O molecules and chemically interacting water
molecules via hydrogen bonding to the SiOx surface (Song et al.,
1998). Moisture diffuses into the film and reacts with strained Si-O
bonds and reconstructs them into a minimum energy configuration.
Changes in the intrinsic stress in SiOx films upon long-term
exposure to an ambient atmosphere leads to cracks (Henry et al.,
1999; Song et al., 1998). During the thermal processing and
elevated storage conditions, water diffused into the SiOx film
structure and reacted with strained Si-O bonds and thus creating

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขนส่งก๊าซผ่านวัสดุที่สามารถใช้สถานที่สองกลไกการไหลผ่าน diffusive แพร่ละลายหรือไหลผ่านข้อบกพร่องในวัสดุเช่นรู การซึมผ่านของออกซิเจนผ่านการเคลือบอุปสรรคสูงที่ถูกครอบงำโดยการไหลผ่านข้อบกพร่องในการเคลือบ(ชาตัม 1996) กลไกหลักของออกซิเจนการขนส่งผ่าน SiOx เคลือบอุปสรรคเกิดขึ้นผ่านระดับนาโนข้อบกพร่องในการเคลือบSiOx (Erlat Spontak & 1999; Gruniger และโรห์, 2004). ซึมผ่านของออกซิเจน (OP) ของ SIOX เพิ่มขึ้นอย่างมากในช่วงเวลาการจัดเก็บข้อมูล เพิ่มขึ้นมากที่สุดใน OP ของ SIOX มากขึ้นกว่า 10 เท่าของค่าก่อนโต้, วัดทันทีหลังจากโต้แย้ง(ตารางที่ 1) การเพิ่มขึ้นนี้สะท้อนให้เห็นการรวมกันของร่างกายโมเลกุล H2O จำกัด และสารเคมีที่มีปฏิสัมพันธ์น้ำโมเลกุลผ่านไฮโดรเจนกับพื้นผิวSiOx (เพลง et al., 1998) ความชื้นกระจายเข้าไปในภาพยนตร์และทำปฏิกิริยากับเครียด Si-O พันธบัตรและ reconstructs พวกเขาเข้าสู่การตั้งค่าการใช้พลังงานขั้นต่ำ. การเปลี่ยนแปลงในความเครียดที่แท้จริงในภาพยนตร์ SiOx เมื่อในระยะยาวการสัมผัสกับบรรยากาศโดยรอบนำไปสู่รอยแตก(เฮนรี่, et al. 1999; เพลง et al., 1998) ในระหว่างการประมวลผลความร้อนและสภาพการเก็บรักษาสูงน้ำกระจายลงไปในภาพยนตร์ SiOx โครงสร้างและการทำปฏิกิริยากับเครียดพันธบัตร Si-O และจึงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การขนส่งก๊าซผ่านวัสดุที่สามารถใช้สถานที่โดยสองกลไกการแพร่กระจาย ;
ไหลผ่านการละลายหรือไหลผ่าน
ข้อบกพร่องในวัสดุเช่นรู . การซึมผ่านออกซิเจน
เคลือบกั้นสูงเป็น dominated โดยไหลผ่านข้อบกพร่อง
ในการเคลือบ ( Chatham , 1996 ) หลักกลไกของการลำเลียงออกซิเจน
ผ่านสิ่งกีดขวางที่เคลือบ siox เกิดขึ้นผ่าน
ขนาดนาโนข้อบกพร่องใน siox เคลือบ ( erlat & spontak , 1999 ; gruniger & Rohr

, 2004 ) อัตราการซึมผ่านของออกซิเจน ( OP ) siox เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ
ในระหว่างการเก็บ เพิ่มขึ้นที่ใหญ่ที่สุดใน OP ของ siox มากขึ้น
มากกว่า 10 เท่า ก่อนย้อนค่าวัดทันทีหลังจาก
พูดโต้ตอบได้ ( ตารางที่ 1 ) เพิ่มขึ้นนี้สะท้อนให้เห็นถึงการรวมกันของร่างกาย
จำกัดเคมีโมเลกุล H2O และมีโมเลกุลของน้ำ
ผ่านการเชื่อมผิว siox ไฮโดรเจน ( เพลง et al . ,
1998 ) ความชื้นกระจายลงในฟิล์ม และตอบสนองกับพันธบัตรพันธะ Si-O
เครียดและ reconstructs ให้เป็นค่าพลังงานต่ำสุด
เปลี่ยนแปลงความเครียดที่แท้จริงในภาพยนตร์ siox เมื่อการสัมผัสระยะยาว
กับบรรยากาศทำให้เกิดรอยร้าว ( เฮนรี่ et al . ,
2542 ;เพลง et al . , 1998 ) ในระหว่างการประมวลผลความร้อนและสภาพกระเป๋า
สูง น้ำกระจายเป็น siox ภาพยนตร์
โครงสร้างและปฏิกิริยากับตึงพันธะ Si-O พันธบัตรและดังนั้นการสร้าง