After the cleaning procedure, a 30

After the cleaning procedure, a 30 nm
thick SiO2 layer has been prepared by means of thermal dryoxidation
in a pre-heated oven (Tempress) at a temperature of
1000 ◦C (step a).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากขั้นตอนการทำความสะอาด 30 nmชั้น SiO2 หนาถูกเตรียมไว้โดยใช้ความร้อน dryoxidationในเตาอบก่อนอุ่น (Tempress) ที่อุณหภูมิของ1000 ◦C (ขั้นตอน)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากขั้นตอนการทำความสะอาด, 30 นาโนเมตร
ชั้น SiO2 หนาได้จัดทำขึ้นโดยใช้วิธีการ dryoxidation ความร้อน
ในเตาอบก่อนอุ่น (Tempress) ที่อุณหภูมิ
1000 ◦C (ขั้นตอน)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากขั้นตอนทำความสะอาด เป็น 30 nm
หนา SiO2 ชั้นได้ถูกเตรียมโดยวิธี
dryoxidation ความร้อนในเตาอบก่อนอุ่น ( tempress ) ที่อุณหภูมิ
1000 ◦ C ( ก้าว )