Fig. 4 shows the PL emission spectr

Fig. 4 shows the PL emission spectra acquired from the end of
the representative ZnO nanowire upon excitation at 325 nm. The PL
spectra of a single nanowire indicated that the defect emission is
much stronger than the near UV emission. Therefore, the study of a
single nanowire is mainly focused on its green emission. The emissions
at 545 and 385 nm are generally attributed to the electronic
transition from lower energy levels originating from defects in the
ZnO crystal field and the direct recombination of the free excitons
near band edge, respectively [21,22].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 4 แสดงแรมสเป็คตรามลพิษ PL มาจากท้ายnanowire ZnO พนักงานตามในการกระตุ้นที่ 325 nm PLแรมสเป็คตราของ nanowire เดียวระบุว่า มลพิษความบกพร่องเป็นแกร่งกว่ามลพิษ UV ใกล้ ดังนั้น การศึกษาการส่วนใหญ่ nanowire เดียวจะเน้นให้มันเล็ดรอดเขียว ปล่อยที่ 545 และ 385 nm โดยทั่วไปมาจากอิเล็กทรอนิกส์เปลี่ยนจากระดับพลังงานต่ำกว่าที่เกิดจากข้อบกพร่องในการZnO คริสตัลฟิลด์และ recombination โดยตรงของ excitons ฟรีใกล้ขอบวง ตามลำดับ [21,22]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป 4 แสดงให้เห็นถึงการปล่อยสเปกตรัม PL
ที่ได้มาจากการสิ้นสุดของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ตัวแทนเมื่อกระตุ้นที่325 นาโนเมตร รหัส PL สเปกตรัมของเส้นลวดนาโนซิงเกิ้ลที่ปล่อยออกมาชี้ให้เห็นข้อบกพร่องคือมากดีกว่าการปล่อยรังสียูวีที่อยู่ใกล้ ดังนั้นการศึกษาหนึ่งของเส้นลวดนาโนเดียวจะมุ่งเน้นในการปล่อยก๊าซเรือนกระจกสีเขียว การปล่อยที่ 545 และ 385 นาโนเมตรจะมีการบันทึกโดยทั่วไปอิเล็กทรอนิกส์การเปลี่ยนแปลงจากระดับพลังงานที่ลดลงเกิดจากข้อบกพร่องในสนามคริสตัลซิงค์ออกไซด์และรวมตัวกันอีกโดยตรงของเอ็กซิตอนฟรีใกล้ขอบวงตามลำดับ[21,22]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงการปล่อยสเปกตรัมที่ได้จากที่จะสิ้นสุด
ตัวแทน ZnO nanowire เมื่อความตื่นเต้นที่ 325 nm . PL
สเปกตรัมของ nanowire เดียวพบว่า มีการปล่อยของเสีย
ที่แข็งแกร่งกว่า รังสี UV ใกล้ ดังนั้น การศึกษา
nanowire เดียวส่วนใหญ่จะเน้นใช้สีเขียวของ การปล่อย
ที่ 545 และ 385 nm โดยทั่วไปจะเกิดจากการอิเล็กทรอนิกส์
การเปลี่ยนจากการลดระดับของพลังงานที่เกิดจากข้อบกพร่องใน
ผลึกซิงค์ออกไซด์เขตและการโดยตรงของ excitons ฟรี
ใกล้ขอบวงตามลำดับ [ 21,22 ]