The process is hampered by low depo

The process is hampered by low deposition rates and the occurrence of arc events at the target, which are detrimental to the structure, properties and composition of the coating. However, pulsing the magnetron discharge in the mid-frequency range (10–200 kHz) has been found to prevent arc events and stabilise the reactive sputtering process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการขัดขวางโดยอัตราการสะสมต่ำและการเกิดขึ้นของเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นส่วนโค้งที่เป้าหมายซึ่งเป็นอันตรายต่อโครงสร้างคุณสมบัติและองค์ประกอบของสารเคลือบผิว แต่เต้นปล่อยแมกในช่วงความถี่กลาง (10-200 เฮิร์ทซ์) ได้รับการพบเพื่อป้องกันไม่ให้เหตุการณ์ที่เกิดขึ้นและมีเสถียรภาพโค้งกระบวนการสปัตเตอร์ปฏิกิริยา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการถูกขัดขวาง โดยอัตราสะสมต่ำและการเกิดขึ้นของเหตุการณ์ส่วนโค้งที่เป้าหมาย ซึ่งอนุโครงสร้าง คุณสมบัติ และองค์ประกอบของเคลือบ อย่างไรก็ตาม pulsing ปล่อย magnetron ในช่วงความถี่กลาง (10–200 kHz) พบเพื่อป้องกันเหตุการณ์อาร์ค และรับการ sputtering ปฏิกิริยา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการที่เป็นวินาศกรรมโดยมีอัตราดอกเบี้ยต่ำและการเกิดขึ้นของเหตุการณ์ ARC ที่เป้าหมายซึ่งมีผลกระทบกับโครงสร้างและการเขียนเรียงความคุณสมบัติของการเคลือบที่ แต่ถึงอย่างไรก็ตาม Steady , Pulsing ,การคายประจุ magnetron ที่อยู่ในช่วงกลาง - ความถี่( 10-200 10-200 10-200 10-200 10-200 kHz )ได้รับการพบเพื่อป้องกันไม่ให้เหตุการณ์ ARC และ เสถียรภาพ การละล่ำละลักคอยตามแก้ปัญหาได้