The input characteristics of Fig. 3

The input characteristics of Fig. 3.7 reveal that for fixed values of collector voltage
(VCB), as the base-to-emitter voltage increases, the emitter current increases in a
manner that closely resembles the diode characteristics. In fact, increasing levels of
VCB have such a small effect on the characteristics that as a first approximation the
change due to changes in VCB can be ignored and the characteristics drawn as shown
in Fig. 3.10a. If we then apply the piecewise-linear approach, the characteristics of
Fig. 3.10b will result. Taking it a step further and ignoring the slope of the curve and
therefore the resistance associated with the forward-biased junction will result in the
characteristics of Fig. 3.10c. For the analysis to follow in this book the equivalent
model of Fig. 3.10c will be employed for all dc analysis of transistor networks. That
is, once a transistor is in the “on” state, the base-to-emitter voltage will be assumed
to be the following:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะการป้อนข้อมูลของมะเดื่อ 3.7 แสดงให้เห็นว่าค่าคงที่ของแรงดันสะสม
(VCB) เป็นฐานการอีซีแอลที่เพิ่มขึ้นแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในปัจจุบันอีซีแอลใน
ลักษณะที่ใกล้เคียงกับลักษณะไดโอด ระดับในความเป็นจริงที่เพิ่มขึ้นของ
VCB ได้เช่นผลกระทบเล็ก ๆ ในลักษณะที่เป็นครั้งแรกประมาณ
การเปลี่ยนแปลงเนื่องจากมีการเปลี่ยนแปลงใน VCB สามารถปฏิเสธและลักษณะที่วาดตามที่แสดงในภาพ
3.10a ถ้าเราแล้วใช้วิธีการเชิงเส้น piecewise ลักษณะของ
มะเดื่อ 3.10b จะส่งผลให้ การขั้นตอนต่อไปและไม่สนใจความชันของเส้นโค้งและ
จึงต้านทานที่เกี่ยวข้องกับการเชื่อมต่อไปข้างหน้าจะทำให้เกิดการลำเอียงใน
ลักษณะของมะเดื่อ 3.10cสำหรับการวิเคราะห์ที่จะปฏิบัติตามในหนังสือเล่มนี้เทียบเท่า
รูปแบบของมะเดื่อ 3.10c จะถูกใช้ในการวิเคราะห์ dc ทั้งหมดของเครือข่ายทรานซิสเตอร์ ที่
คือเมื่อทรานซิสเตอร์อยู่ใน "ที่" รัฐแรงดันฐานไปอีซีแอลจะได้รับการสันนิษฐาน
จะเป็นดังต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะการป้อนข้อมูลของ Fig. 3.7 เปิดเผยว่า สำหรับค่าคงที่ของตัวเก็บรวบรวม voltage
(VCB) เป็นเพิ่มฐานตัวส่งแรงดันไฟฟ้า ตัวส่งปัจจุบันเพิ่มเป็น
ลักษณะใกล้เคียงคล้ายคลึงกับลักษณะไดโอด เพิ่มระดับของความเป็นจริง
VCB มีเช่นผลขนาดเล็กในลักษณะที่เป็นประมาณแรก
สามารถละเว้นการเปลี่ยนแปลงเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงใน VCB และลักษณะออกแสดง
ใน Fig. 3.10a ถ้าเราใช้วิธี piecewise เส้น ลักษณะของแล้ว
Fig. 3.10b จะทำ นำขั้นตอนต่อไป และละเว้นความชันของเส้นโค้ง และ
ดังนั้น ความต้านทานที่เกี่ยวข้องกับชุมทางที่ลำเอียงไปข้างหน้าจะส่งผลในการ
ลักษณะของ Fig. 3.10c สำหรับการวิเคราะห์ตามในหนังสือเล่มนี้เหมือนกับ
รุ่น Fig. c ที่ 3.10 จะว่าจ้างทั้งหมด dc วิเคราะห์เครือข่ายทรานซิสเตอร์ ว่า
คือ เมื่อทรานซิสเตอร์อยู่ในสถานะ "ใน" จะสมมติฐานตัวส่งแรงดันไฟฟ้า
ให้ ต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลักษณะเฉพาะของอินพุตของรูป. 3.7 แสดงให้เห็นว่าค่าที่กำหนดของโถรองแรงดันไฟฟ้า
( vcb )เป็นการเพิ่มแรงดันไฟฐานแบบ CONSUMER ที่ปัจจุบัน Consumer
ซึ่งจะช่วยให้เพิ่มขึ้นในลักษณะที่ใกล้เคียงกับลักษณะไดโอดวัด อุณหภูมิ ได้ ในความเป็นจริงแล้วการเพิ่มระดับของ
vcb มีผลขนาดเล็กเช่นในลักษณะที่ว่าเป็นครั้งแรกที่ได้จัดให้ใกล้เคียง
มีการเปลี่ยนแปลงการเปลี่ยนแปลงใน vcb สามารถถูกละเลยและลักษณะที่จะวาดตามที่แสดงในรูป
3.10 A . หากเราก็ใช้วิธีการ piecewise - linear ที่ลักษณะของ
รูป 3.10 b จะส่งผลให้ การก้าวไปอีกขั้นและไม่สนใจความลาดชันของความโค้งมนและ
ดังนั้นการต่อต้านที่เชื่อมโยงกับทางแยกไปข้างหน้า - อุปทานที่จะส่งผลให้ใน
ลักษณะของรูป 3.10 C .สำหรับการวิเคราะห์ที่จะตามมาในหนังสือเล่มนี้เทียบเท่า
รุ่นของรูป 3.10 C จะใช้สำหรับการวิเคราะห์ DC ทั้งหมดในเครือข่ายวิทยุทรานซิสเตอร์ ที่
ซึ่งจะช่วยได้วิทยุทรานซิสเตอร์ที่อยู่ใน"ใน"รัฐแรงดันไฟฟ้าฐานแบบ CONSUMER จะสันนิษฐานได้
ซึ่งจะช่วยให้มีต่อไปนี้: