Fig. 1.HPP-induced germination ofC.

Fig. 1.HPP-induced germination ofC. perfringensspores. Spores were treated at 50

C
for 7 min with: 100 MPa (circles); 150 MPa (squares); 200 MPa (triangles); and
germination was assessed by measuring decrease in OD600 after incubating these
pressure-treated spores at 40

C for 60 min in 25 mM sodium phosphate buffer as
described inMaterials and methods.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป งอก 1.HPP ที่เกิดขึ้นแน่นอน perfringensspores สปอร์ได้รับการรักษาที่
50?
C
เป็นเวลา 7 นาที: 100 MPa (วงกลม); 150 MPa (สี่เหลี่ยม); 200 MPa (สามเหลี่ยม); และงอกได้รับการประเมินโดยการวัดการลดลงของ OD600 หลังจากฟักเหล่านี้สปอร์ได้รับการรักษาความดันที่40? C เป็นเวลา 60 นาทีใน 25 มิลลิโซเดียมฟอสเฟตบัฟเฟอร์เป็นอธิบายinMaterials และวิธีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1.hpp-induced งอกแน่นอน . perfringensspores . สปอร์จะถูก 50

C
 7 นาที 100 MPa ( วงกลม ) ; 150 MPa ( สี่เหลี่ยม ) ; 200 MPa ( สามเหลี่ยม ) ; และถูกประเมินโดยการวัด
ความงอกลดลงใน od600 หลังจากเพาะสปอร์ที่ 40 ถือว่าความดันเหล่านี้


C นาน 60 นาที 25 มิลลิเมตรโซเดียมฟอสเฟต บัฟเฟอร์เป็น
อธิบาย inmaterials และวิธีการ