Plasma EtchingPlasma etching uses a

Plasma Etching
Plasma etching uses a gas that is subjected to an intense electric field to generate the plasma state of
matter. The electric field is produced with coils that are wrapped around the chamber and exposed to a
high level RF source. There are two different versions of this type of etching based on the shape of the
chamber used. One consists of a barrel type chamber where the wafers are placed sitting up while the gas
is flowed over the wafers and out through an exhaust pipe. The second process uses a parallel plate
reactor. There are two plates that are used to give the gas the electric field rather than the coil that is
wrapped around the barrel chamber. In plasma form, the gases used are very reactive, providing effective
etching of the exposed surface. Plasma etching provides good critical geometry but the wafer can be
damaged from the RF radiation.
Reactive Ion Etching
This method works at a lower pressure and uses a combined physical and chemical method to etch the
wafer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กัดพลาสม่าพลาสม่ากัดใช้ก๊าซที่อยู่ภายใต้สนามไฟฟ้ารุนแรงเพื่อสร้างสถานะพลาสมาของเรื่อง สนามไฟฟ้าผลิตขดลวดที่อยู่รอบ ๆ หอการค้า และสัมผัสกับการแหล่งระดับสูง RF มีรุ่นแตกต่างกันสองชนิดนี้กัดตามรูปร่างของใบห้องที่ใช้ หนึ่งประกอบด้วยหอเป็นชนิดกระบอกที่รับอยู่พี่เลี้ยงขึ้นในขณะที่ก๊าซไหลผ่านรับ และออกผ่านท่อไอเสีย กระบวนการสองใช้แผ่นขนานเครื่องปฏิกรณ์ มีสองแผ่นที่ใช้ให้ก๊าซสนามไฟฟ้ามากกว่าขดลวดที่รอบ ๆ หอถัง ในแบบฟอร์มจอพลาสม่า ก๊าซที่ใช้มีปฏิกิริยามาก ให้มีประสิทธิภาพแกะสลักของผิวสัมผัส พลาสม่ากัดให้ดีสำคัญเรขาคณิต แต่แผ่นเวเฟอร์สามารถความเสียหายจากรังสี RFไอออนปฏิกิริยากัดวิธีนี้ทำงานที่ความดันต่ำ และใช้วิธีทางกายภาพ และทางเคมีรวมการกัดแผ่นเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลาสม่าแกะสลักแกะสลักพลาสม่าใช้ก๊าซที่อยู่ภายใต้สนามไฟฟ้าที่รุนแรงในการสร้างรัฐพลาสม่าของเรื่อง สนามไฟฟ้าที่ผลิตด้วยขดลวดที่พันอยู่รอบห้องและสัมผัสกับระดับสูงแหล่งกำเนิดคลื่นความถี่วิทยุ มีสองรุ่นที่แตกต่างของประเภทของการแกะสลักขึ้นอยู่กับรูปร่างของเป็นห้องที่ใช้ หนึ่งประกอบด้วยห้องประเภทบาร์เรลที่ช็อคโกแลตที่มีการวางนั่งขึ้นในขณะที่ก๊าซจะไหลมากกว่าเวเฟอร์และออกผ่านท่อระบายอากาศ ขั้นตอนที่สองใช้แผ่นขนานเครื่องปฏิกรณ์ มีสองแผ่นที่ใช้ในการให้ก๊าซสนามไฟฟ้ามากกว่าขดลวดที่มีห่อรอบห้องบาร์เรล ในรูปแบบพลาสม่าก๊าซที่ใช้เป็นปฏิกิริยามากให้มีประสิทธิภาพการแกะสลักของพื้นผิวสัมผัส พลาสม่ามีการแกะสลักรูปทรงเรขาคณิตที่สำคัญสิ่งที่ดี แต่เวเฟอร์สามารถได้รับความเสียหายจากรังสีRF มี. ปฏิกิริยาไอออนกัดวิธีนี้ทำงานที่ความดันลดลงและการใช้วิธีการทางเคมีและกายภาพรวมกันเพื่อจำหลักเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พลาสมาพลาสมาแกะสลักแกะสลัก
ใช้ก๊าซที่อยู่ภายใต้สนามไฟฟ้าที่รุนแรงเพื่อสร้างสถานะของพลาสมาของ
ก็ตาม สนามไฟฟ้าที่ผลิตด้วยขดลวดที่พันรอบและหอการค้าเปิดเผยเพื่อ
ระดับสูงที่มา RF มีรุ่นที่แตกต่างกันสองชนิดนี้กัด ตามรูปทรงของ
ห้องที่ใช้คนประกอบด้วยถังประเภทห้องที่เวเฟอร์อยู่ลุกขึ้นนั่งในขณะที่ก๊าซ
คือท่วมเวเฟอร์และออกทางท่อไอเสีย ขั้นตอนที่สองใช้เครื่องปฏิกรณ์จาน
ขนาน มี 2 แผ่น ที่ใช้เพื่อให้ก๊าซสนามไฟฟ้ามากกว่าขดลวดที่
ห่อรอบบาร์เรล Chamber ในพลาสมา ฟอร์ม ก๊าซที่ใช้เป็นปฏิกิริยา ,ให้มีประสิทธิภาพ
ภาพสัมผัสพื้นผิว พลาสมาแกะสลักให้ดีที่สำคัญเรขาคณิตแต่เวเฟอร์สามารถ
ความเสียหายจากรังสี RF .
ปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก
วิธีนี้ทำงานที่ความดันต่ำ และใช้วิธีการทางกายภาพและทางเคมีรวม etch
เวเฟอร์