The iD–vGS characteristic of an NMO

The iD–vGS characteristic of an NMOS transistoroperating in the saturation region. The iD–vOV
characteristic can be obtained by simply re-labelling the horizontal axis; that is, shifting the origin to the
point vGS= Vtn

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะรหัส – vGS ของ transistoroperating เป็น NMOS ในภูมิภาคความเข้ม รหัส – vOVลักษณะได้ โดยเพียงแค่ฉลากแกนแนวนอน ใหม่ นั่นคือ ขยับจุดเริ่มต้นของการจุด vGS = Vtn

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะ ID-VGS ของ transistoroperating NMOS ในภูมิภาคอิ่มตัว รหัส-VOV
ลักษณะสามารถรับได้โดยเพียงแค่การติดฉลากใหม่แกนนอน; นั่นคือจุดเริ่มต้นขยับไปยังจุด VGS = Vtn

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ID ) วีจีเ ลักษณะเป็น nmos transistoroperating ในความอิ่มตัวของภูมิภาค ID – vov
คุณลักษณะได้โดยเพียงแค่แวะแปะแนวนอน คือ เปลี่ยนที่มาถึง

= vtn จุดวีจีเ