The hybrid diamond/graphite films w

The hybrid diamond/graphite films were prepared at a
microwave power of 10 kW in a microwave plasma chemical vapor
deposition system (915 MHz). The gas pressure in the chamber was
held at 70 mbar and the substrate temperature was kept at around
1050 ◦C during film deposition. The flow rate of H2 was 400 sccm
and the flow rates of CH4 were kept at 28, 32 and 36 sccm for obtaining
the diamond/graphite films with different sp2 levels. Diamond
films under lower microwave power (4 kW) and lower methane
concentration (3%) were also prepared as comparisons to seek for
the formation condition of hybrid diamond/graphite films. B-doped
diamond films used in this work were also grown by conventional
MPCVD setup. During the deposition process, the microwave
power was 1.8 kW, the reactive temperature and gas pressure were
around 800 ◦C and 60 mbar, respectively. Trimethylborane (TMB,
1.5% diluted in H2) was used as the boron source. Prior to deposition,
p-type (100) Si wafers were ultrasonically seeded in diamond
nanoparticle slurry for 30 min to enhance the nucleation density.
Then Si wafers were cleaned in ethanol and dried under nitrogen
gas. All films were deposited on substrates for 3 h.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไฮบริดเพชร / ฟิล์มกราไฟท์ได้เตรียมที่
พลังงานไมโครเวฟ 10 กิโลวัตต์ในไมโครเวฟพลาสม่าไอสารเคมี
ระบบการสะสม (915 MHz) ความดันก๊าซในห้องที่ถูก
จัดขึ้นที่ 70 เอ็มบาร์และอุณหภูมิพื้นผิวถูกเก็บไว้ที่ประมาณ
1,050 ◦Cระหว่างฟิล์มทับถม อัตราการไหลของ H2 400 SCCM
และอัตราการไหลของ CH4 ถูกเก็บไว้ที่ 28, 32 และ 36 SCCM สำหรับการได้รับ
ในภาพยนตร์เพชร / กราไฟท์ที่มีระดับที่แตกต่างกัน SP2 เพชร
ภาพยนตร์ภายใต้พลังงานต่ำไมโครเวฟ (4 กิโลวัตต์) และก๊าซมีเทนที่ต่ำกว่า
ความเข้มข้น (3%) นอกจากนี้ยังได้จัดเตรียมรถที่จะแสวงหาสำหรับ
สภาพการก่อตัวของไฮบริดเพชร / ฟิล์มกราไฟท์ B-เจือ
ภาพยนตร์เพชรที่ใช้ในงานนี้ยังได้รับการเติบโตขึ้นโดยทั่วไป
การติดตั้ง MPCVD ในระหว่างกระบวนการสะสม, ไมโครเวฟ
พลังงาน 1.8 กิโลวัตต์ที่อุณหภูมิและความดันก๊าซปฏิกิริยาได้
ประมาณ 800 ◦Cและ 60 เอ็มบาร์ตามลำดับ Trimethylborane (TMB,
1.5% เจือจางใน H2) ถูกนำมาใช้เป็นแหล่งโบรอน ก่อนที่จะมีการสะสม,
P-Type (100) เวเฟอร์ศรีเมล็ด ultrasonically เพชร
อนุภาคนาโนสารละลายเป็นเวลา 30 นาทีเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของนิวเคลียสได้.
แล้วเวเฟอร์ศรีได้รับการทำความสะอาดในเอทานอลและอบแห้งภายใต้ไนโตรเจน
ก๊าซ ภาพยนตร์ทุกเรื่องถูกวางลงบนพื้นผิวเป็นเวลา 3 ชั่วโมง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มเพชร แกรไฟต์ผสมเตรียมไว้ที่พลังงานไมโครเวฟ 10 กิโลวัตต์ในไมโครเวฟพลาสมาไอสารเคมีระบบการสะสม ( 915 MHz ) แรงดันก๊าซในโรง คือจัดขึ้นที่ 70 และ 100 mbar อุณหภูมิที่ถูกเก็บไว้ที่ไปรอบ ๆ1050 ◦ C ในการเคลือบฟิล์ม อัตราการไหลของราคา 400 sccmและอัตราการไหลของร่างไว้ที่ 28 , 32 และ 36 sccm เพื่อขอรับเพชร / แกรไฟต์ฟิล์มกับระดับปัญหาที่แตกต่างกัน เพชรภาพยนตร์ภายใต้ลดพลังงานไมโครเวฟ ( 4 กิโลวัตต์ ) และก๊าซมีเทนลดลงสมาธิ ( 3% ) ถูกเตรียมขึ้นโดยเปรียบเทียบกับ แสวงหาการสร้างเงื่อนไขของฟิล์มเพชร / กราไฟท์ลูกผสม b-dopedเพชรที่ใช้ในงานนี้ยังเติบโต โดยทั่วไปmpcvd ติดตั้ง ในระหว่างกระบวนการสะสม , ไมโครเวฟพลัง 1.8 กิโลวัตต์ , ปฏิกิริยาที่อุณหภูมิและความดันก๊าซคือประมาณ 800 ◦ C และ 60 มิลลิบาร์ ตามลำดับ trimethylborane ( ธนาคาร1.5 % เจือจางใน H2 ) ถูกใช้เป็นโบรอน แหล่งที่มา ก่อนที่จะให้ปากคำพี ( 100 ) ศรีเวเฟอร์เป็น ultrasonically เมล็ดในเพชรอนุภาคนาโนที่มีขนาดประมาณ 30 นาที เพื่อเพิ่มความหนาแน่นแล้วชีเวเฟอร์สะอาดในเอทานอลและแห้งภายใต้ไนโตรเจนก๊าซ ภาพยนตร์ทุกเรื่องมีฝากบนพื้นผิว 3 .