Co-doped SnO2 thin films are grown

Co-doped SnO2 thin films are grown on sapphire (0001) substrates at 600 °C by the technique of dual-beam pulsed laser deposition. The
prepared films show preferred orientation in the [100] direction of the rutile structure of SnO2. Nonequilibrium film growth process results in
doping Co into SnO2 much above the thermal equilibrium limit. A Film with 3% of Co is ferromagnetic at room temperature with a remanent
magnetization of ∼26% and a coercivity of ∼9.0 mT. As Co doping content x increases, the optical band gap absorption edge (E0) of the Codoped
SnO2 thin films initially shows a redshift at low x up to x=0.12 and then increases at the higher x, which are attributed to the sp–d
exchange interactions and alloying effects, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ร่วม doped SnO2 ปลูกฟิล์มบางบนแซฟไฟร์ (0001) พื้นผิวที่ 600 ° C โดยเทคนิคของสะสมสองลำแสงเลเซอร์พัล ที่เตรียมฟิล์มแสดงต้องวางในทิศทางของโครงสร้าง rutile ของ SnO2 [100] Nonequilibrium ฟิล์มเติบโตกระบวนการผลลัพธ์ในโดปปิงค์ Co ใน SnO2 มากขีดสมดุลความร้อน ฟิล์มกับ 3% ของบริษัทเป็น ferromagnetic ที่อุณหภูมิห้องด้วยการ remanentmagnetization coercivity ของภูเขา ∼9.0 และ ∼26% เป็นบริษัทโดปปิงค์ x เนื้อหาเพิ่ม วงแสงช่องว่างของขอบดูดซึม (E0) ของ Codopedฟิล์มบางของ SnO2 เริ่มแสดงการเคลื่อนไปทางแดงที่ที่ต่ำสุดที่ x ถึง x = 0.12 และเพิ่มแล้วที่ x สูง ซึ่งมาจาก sp – dแลกเปลี่ยนโต้ตอบและผลลเท่านั้น ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบาง SnO2 ร่วมเจือได้รับการปลูกในไพลิน (0001) พื้นผิวที่ 600 องศาเซลเซียสโดยใช้เทคนิคของคู่ลำแสงเลเซอร์ชีพจรสะสม
ภาพยนตร์ที่เตรียมแสดงการวางแนวทางที่ต้องการใน [100] ทิศทางของโครงสร้าง rutile ของ SnO2 Nonequilibrium ผลการดำเนินการการเจริญเติบโตในภาพยนตร์
ยาสลบร่วมเป็น SnO2 มากเหนือขีด จำกัด สมดุลความร้อน ฟิล์ม 3% ของผู้ร่วมเป็น ferromagnetic ที่อุณหภูมิห้องที่มี remanent
สะกดจิตของ ~26% และ coercivity ของ ~9.0 mT ร่วมเป็นยาสลบเนื้อหา x เพิ่มวงแสงขอบการดูดซึมช่องว่าง (E0) ของ Codoped
ฟิล์มบาง SnO2 แรกแสดงให้เห็น redshift ต่ำ x ถึง x = 0.12 และเพิ่มขึ้นที่ x สูงขึ้นซึ่งจะมีการบันทึก SP-D
การสื่อสารแลกเปลี่ยนและผลกระทบผสมตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Co เจือ SnO2 ฟิล์มจะโตในแซฟไฟร์ ( 0001 ) พื้นผิวที่ 600 องศา C โดยใช้เทคนิคแบบพัลส์เลเซอร์คานฝาก
เตรียมภาพยนตร์แสดงที่ต้องการวางใน [ 100 ] ทิศทางของรูไทล์ โครงสร้างของ SnO2 . กระบวนการปลูกฟิล์ม nonequilibrium ผลลัพธ์ในการร่วมเข้า
SnO2 มากเหนือขีด จำกัด ความสมดุลทางความร้อนฟิล์มกับ 3% ของบริษัทเฟอร์โรแมกเนติกที่อุณหภูมิห้องด้วย remanent
ดึงดูดของ∼ 26% และ Coercivity ของ∼ 9.0 ที่เป็น Co การเติมเนื้อหา x เพิ่มขึ้น ค่าช่องว่างแถบการดูดกลืนแสงขอบ ( E0 ) ของ codoped
SnO2 ฟิล์มเริ่มแสดงคุณสมบัติที่น้อยถึง 0.12 และ x = x เพิ่มที่สูงกว่า X ซึ่งจะประกอบกับ SP – D
แลกเปลี่ยนปฏิสัมพันธ์และเติมผลตามลำดับ