For the calculation of device perfo

For the calculation of device performance, we need to know

the values of the parameters. In this work, we used three layers

for the simulation. These are: 1) p-type CIGS absorber layer, 2)

n-type CdS buffer layer and 3) ZnO window layer. Here, the

surface recombination velocities were set at 07 cmls for both

electrons and holes. The AM 1.5G solar spectrum is used and

the temperature is set at 300k for this numerical simulation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการคำนวณประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ เราต้องรู้ค่าของพารามิเตอร์ ในงานนี้ เราใช้สามชั้น สำหรับการจำลอง เหล่านี้คือ: 1) ชนิด p CIGS ชั้นดูดซับ 2 ซีดี n ชนิดบัฟเฟอร์ชั้นและ 3) ZnO หน้าต่างชั้น ที่นี่ การ ตั้งไว้ความเร็วผิว recombination 07 cmls ทั้ง อิเล็กตรอนและหลุม AM ใช้สเปกตรัมแสงอาทิตย์ 1.5G และ อุณหภูมิตั้งไว้ที่ 300k สำหรับจำลองนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การคำนวณประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่เราจำเป็นต้องรู้ค่าของพารามิเตอร์ ในงานนี้เราใช้สามชั้นสำหรับการจำลอง เหล่านี้คือ: 1) ชั้น P-ประเภท CIGS โช้ค 2) ชั้นชนิดเอ็นซีดีบัฟเฟอร์และ 3) ซิงค์ออกไซด์ชั้นหน้าต่าง นี่ความเร็ว recombination พื้นผิวที่ถูกตั้งไว้ที่ 07 cmls สำหรับทั้งอิเล็กตรอนและหลุม AM ที่ 1.5G สเปกตรัมพลังงานแสงอาทิตย์และใช้อุณหภูมิที่ตั้งไว้ที่ 300K สำหรับการจำลองเชิงตัวเลขนี้