the increase in absorption was obse

the increase in absorption was observed only up to 600 nm and above 600 nm the absorption remains constant indicating that the observed optical changes in the 400–600 nm regions are mainly due only to CdS. As shown in Fig. 2b, an entirely opposite EQE response was noted where the EQE response below 600 nm remain constant while the EQE response above 600 nm increases with the increase of CdS cycles in the PbS/CdS anode for the study of CdS thickness variation while keeping the thickness of PbS at 1 SILAR cycle.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเพิ่มการดูดซึมถูกตรวจสอบเฉพาะถึง 600 nm และ มากกว่า 600 nm ดูดซึมคงที่บ่งชี้ว่า การเปลี่ยนแปลงใน 400 – 600 nm แสงสังเกตคือส่วนใหญ่เท่าซีดี ดังแสดงในรูป 2b การตอบสนอง EQE ตรงข้ามทั้งหมดถูกบันทึกไว้ที่การตอบสนอง EQE ด้านล่าง 600 nm คงในขณะที่การตอบสนอง EQE เหนือ 600 nm เพิ่มกับเพิ่มซีดีวงจรในแอโนด PbS/ซี ดีสำหรับการศึกษาการเปลี่ยนแปลงความหนาซีดีในขณะที่รักษาความหนาของ PbS ที่ 1 SILAR รอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพิ่มขึ้นในการดูดซึมที่ถูกเพียงข้อสังเกตถึง 600 นาโนเมตรและสูงกว่า 600 นาโนเมตรดูดซึมยังคงแสดงให้เห็นว่าการเปลี่ยนแปลงของแสงที่สังเกตในภูมิภาค 400-600 นาโนเมตรเป็นส่วนใหญ่เนื่องจากเพียงไปยังแผ่นซีดี ดังแสดงในรูป 2B, การตอบสนอง EQE ตรงข้ามอย่างสิ้นเชิงก็สังเกตเห็นที่ตอบสนอง EQE ด้านล่าง 600 นาโนเมตรคงที่ในขณะที่การตอบสนอง EQE เหนือ 600 นาโนเมตรเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของรอบซีดีพีบีเอสซีดี / ขั้วบวกสำหรับการศึกษาของการเปลี่ยนแปลงความหนาของแผ่นซีดีขณะที่การรักษาความหนาของ พีบีเอสวันที่ 1 SILAR วงจร