Over the past two decades, the perf

Over the past two decades, the performance of organicbased
eld effect transistors (FETs) has achieved signi cant advance
ment on account of chemical modi cation of existing frameworks,
synthesis of novel organic materials and optimization of different
device fabrication techniques. Employing polymers or small mol
ecules that have semiconductor property to control electric current
are particularly attractive as the production processes are much less
complex and naturally compatible with plastic substrates. Yet,
limited transistor mobility and short lifetime hinder the range of
potential applications. Challenges still remain on the development
of augmentative materials and feasible fabrication systems for high
performance transistors and exible electronics.
An appropriate way to generate high performance solution
processed transistors is to tailor two or more components by
merging their functionality. For instances, acquiring an ambipolar
transistor having both nchannel and pchannel organic materials
provides the possibility to fabricate complementary logic devices
[1e4]. Combining polymer semiconductors and dielectric/

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กว่าสองทศวรรษ ประสิทธิภาพของ organicbasedภายผลทรานซิสเตอร์ (FETs) ได้ประสบความสำเร็จ advance signi ลาดเทment บัญชีไอออนเคมี modi กรอบที่มีอยู่การสังเคราะห์วัสดุอินทรีย์ที่นวนิยายและเพิ่มประสิทธิภาพของการแตกต่างกันเทคนิคการผลิตอุปกรณ์ ใช้โพลิเมอร์หรือเล็ก molecules ที่มีคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำในการควบคุมกระแสไฟฟ้ายังมีน่าสนใจโดยเฉพาะอย่างยิ่งกระบวนการผลิตน้อยมากซับซ้อน และเป็นธรรมชาติเข้ากันได้กับพื้นผิวพลาสติก ยังจำนวนทรานซิสเตอร์จำกัดและอายุการใช้งานสั้นขัดขวางช่วงของการใช้งาน ความท้าทายที่ยังคงอยู่ในการพัฒนาaugmentative วัสดุและระบบการผลิตเป็นไปได้สูงประสิทธิภาพการทำงานทรานซิสเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ exibleวิธีเหมาะสมเพื่อสร้างประสิทธิภาพสูง solutionประมวลผลทรานซิสเตอร์เป็นปรับแต่งคอมโพเนนต์สองตัว หรือมากกว่าโดยผสานฟังก์ชันของ สำหรับอินสแตนซ์ ได้รับการ ambipolarทรานซิสเตอร์ที่มีวัสดุอินทรีย์ทั้ง nchannel และ pchannelมีโอกาสที่จะประดิษฐ์อุปกรณ์เสริมตรรกะ[1e4] . รวมเป็นฉนวนและสารกึ่งตัวนำพอลิเมอร์ /

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ผ่านมาสองทศวรรษที่ผ่านมาการทำงานของorganicbased
ELD ทรานซิสเตอร์ผล (FETs) ได้ประสบความสำเร็จมีนัยสำคัญลาดเทadvance
ment ในบัญชีของไอออนบวก Modi ทางเคมีของกรอบที่มีอยู่
การสังเคราะห์วัสดุอินทรีย์ที่แปลกใหม่และการเพิ่มประสิทธิภาพที่แตกต่างกันของ
เทคนิคการผลิตอุปกรณ์ โพลีเมอพนักงานหรือmolเล็ก
ecules ที่มีคุณสมบัติในการควบคุมสารกึ่งตัวนำกระแสไฟฟ้า
เป็นที่น่าสนใจโดยเฉพาะอย่างยิ่งกระบวนการผลิตมีมากน้อย
ที่ซับซ้อนและเป็นธรรมชาติเข้ากันได้กับพื้นผิวพลาสติก แต่
การเคลื่อนไหวของทรานซิสเตอร์ จำกัด และอายุการใช้งานสั้นขัดขวางช่วงของ
การใช้งานที่มีศักยภาพ ความท้าทายที่ยังคงอยู่ในการพัฒนา
ของวัสดุซึ่งเพิ่มขึ้นและระบบการผลิตที่เป็นไปได้สูง
ทรานซิสเตอร์ประสิทธิภาพและความยืดหยุ่นอิเล็กทรอนิกส์.
วิธีการที่เหมาะสมในการสร้างsolutionประสิทธิภาพสูง
ทรานซิสเตอร์ประมวลผลคือการปรับแต่งสองคนหรือมากกว่าส่วนประกอบโดย
การผสานการทำงานของพวกเขา สำหรับกรณีการแสวงหา ambipolar
ทรานซิสเตอร์มีทั้งnchannelและpchannelวัสดุอินทรีย์
ให้เป็นไปได้ในการประดิษฐ์อุปกรณ์เสริมตรรกะ
[1e4] รวมเซมิคอนดักเตอร์ลิเมอร์และอิเล็กทริก /

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ผ่านมาสองทศวรรษที่ผ่านมา , ประสิทธิภาพของอินทรีย์ตามละมั่งผลทรานซิสเตอร์ ( fets ) ได้รับ signi ไม่สามารถเลื่อนment ในบัญชีสารเคมี Modi ไอออนบวกของกรอบที่มีอยู่การสังเคราะห์วัสดุอินทรีย์ใหม่และการเพิ่มประสิทธิภาพของต่าง ๆเทคนิคการผลิตอุปกรณ์ การใช้โพลิเมอร์ หรือโมลขนาดเล็กecules ที่สารกึ่งตัวนำคุณสมบัติการควบคุมกระแสไฟฟ้ามีเสน่ห์ โดยกระบวนการผลิตจะน้อยกว่ามากที่ซับซ้อนและเป็นธรรมชาติเข้ากันได้กับแผ่นพลาสติก ยังทรานซิสเตอร์และอายุการใช้งานสั้นขัดขวางการเคลื่อนไหว จำกัด ช่วงของการใช้งานที่มีศักยภาพ ความท้าทายยังคงอยู่ในการพัฒนาวัสดุแต่งเติมและระบบผลิตที่เป็นไปได้สูงงาน exible ทรานซิสเตอร์และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์วิธีที่เหมาะสมเพื่อสร้างโซลูชั่นประสิทธิภาพสูงตัวประมวลผลเป็นช่างตัดเสื้อสองคนหรือมากกว่าองค์ประกอบโดยการรวมฟังก์ชันการทำงานของพวกเขา สำหรับกรณีการ ambipolarทรานซิสเตอร์มีทั้ง N ช่องทางและ P ช่องวัสดุอินทรีย์มีความเป็นไปได้ที่จะสร้างอุปกรณ์เสริม ตรรกะ[ 1e4 ] การรวมระบบและพอลิเมอร์ / อิเล็กทริก