The electrochemical behavior of a t

The electrochemical behavior of a tin electrode in citric acid solutions of different concentrations was studied by electrochemical techniques. The E/I curves showed that the anodic behavior of tin exhibits active/passive transition. Passivation is due to the formation of Sn(OH)4 and/or SnO2 film on the electrode surface. Addition of NaCl to citric acid solution, enhances the active dissolution of tin and tends to breakdown the passivity at a certain breakdown potential. Cyclic voltammetry and galvanostatic measurements allow the pitting potential (Epit) and the repassivation potential (Erp) to be determined. Potentiostatic measurements showed that the overall anodic processes can be described by three stages. The first stage corresponds to the nucleation and growth of a passive oxide layer. The second stages involve pit nucleation and growth and third stage involve repassivation. The impedance spectrum of pure Sn is found to consist of three intersecting capacitive semicircles at the high and medium frequencies with an inductive loop at low frequencies. The capacitive semicircles occurring at the high and medium frequency are due to the dielectric properties of surface oxide film and dissolution of underlying metal, respectively. The inductive loop at low frequencies results from Cl− adsorption at the pitting region. By increasing the potential the pitting corrosion and the fractal dimension of surface due to pitting increase.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีศึกษาพฤติกรรมทางเคมีไฟฟ้าของอิเล็กโทรดกับดีบุกในกรดซิตริกโซลูชั่นที่ความเข้มข้นแตกต่างกัน โดยเทคนิคทางเคมีไฟฟ้า อี / ฉันโค้งแสดงให้เห็นว่า พฤติกรรม anodic ดีบุกจัดแสดงช่วงการเปลี่ยนภาพที่ใช้งาน อยู่/passive Passivation เป็นเนื่องจากการก่อตัวของ SnO2 ฟิล์มบนพื้นผิวอิเล็กโทรดหรือ Sn (OH) 4 นี้ของ NaCl ที่โซลูชันกรดซิตริก ช่วยยุบงานดีบุก และมีแนวโน้มจะแบ่งปล่อยในบางรายละเอียดอาจเกิดขึ้น วัด voltammetry และ galvanostatic ทุกรอบให้ศักยภาพ pitting (Epit) และ repassivation มีศักยภาพ (Erp) การกำหนด วัด Potentiostatic พบว่า สามารถอธิบายกระบวนการโดยรวม anodic โดยสามขั้นตอน ขั้นแรกตรงกับ nucleation และเจริญเติบโตของชั้นออกไซด์แฝง ขั้นสองเกี่ยวข้องกับหลุม nucleation และเจริญเติบโตและระยะที่สามเกี่ยวข้องกับ repassivation พบสเปกตรัมความต้านทานของแท้ Sn จะประกอบด้วยสามอินเตอร์เซกกันควบคุม semicircles ที่สูงและความถี่กลางกับวงการเชิงอุปนัยความถี่ต่ำ Semicircles ควบคุมที่เกิดขึ้นที่สูงและความถี่ปานกลางมีคุณสมบัติเป็นฉนวนของฟิล์มออกไซด์ที่ผิวและยุบของโลหะพื้นฐาน ตามลำดับ วงเหนี่ยวความถี่ต่ำผลลัพธ์จากการดูดซับ Cl− ที่ภูมิภาค pitting โดยการเพิ่มศักยภาพการกัดกร่อนแบบ pitting และมิติเศษส่วนของพื้นผิวเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของ pitting

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พฤติกรรมไฟฟ้าของอิเล็กโทรดดีบุกในการแก้ปัญหากรดซิตริกความเข้มข้นที่แตกต่างกันได้รับการศึกษาโดยใช้เทคนิคทางเคมีไฟฟ้า E / เส้นโค้งที่ผมแสดงให้เห็นว่าพฤติกรรมของขั้วบวกดีบุกการจัดแสดงนิทรรศการงาน / การเปลี่ยนแปลงเรื่อย ๆ ฟิล์มเกิดจากการก่อตัวของ Sn (OH) 4 และ / หรือฟิล์ม SnO2 ขั้วไฟฟ้าบนพื้นผิว นอกเหนือจากโซเดียมคลอไรด์ที่จะสารละลายกรดมะนาวช่วยเพิ่มการสลายตัวที่ใช้งานของดีบุกและมีแนวโน้มที่จะสลายการดิ้นรนที่มีศักยภาพรายละเอียดบางอย่าง ศักย์วงจรและการวัด galvanostatic ให้บ่อที่มีศักยภาพ (Epit) และศักยภาพ repassivati​​on (ERP) ที่จะได้รับการพิจารณา วัด Potentiostatic แสดงให้เห็นว่ากระบวนการขั้วบวกโดยรวมสามารถอธิบายได้ด้วยสามขั้นตอน ขั้นตอนแรกที่สอดคล้องกับนิวเคลียสและการเติบโตของชั้นออกไซด์เรื่อย ๆ ขั้นตอนที่สองเกี่ยวข้องกับนิวเคลียสหลุมและการเจริญเติบโตและขั้นตอนที่สามเกี่ยวข้องกับ repassivati​​on คลื่นความถี่ของความต้านทานบริสุทธิ์ Sn พบว่าประกอบด้วยสามตัด semicircles capacitive ที่ความถี่สูงและขนาดกลางที่มีวงเหนี่ยวนำความถี่ต่ำ semicircles capacitive ที่เกิดขึ้นในความถี่สูงและขนาดกลางเป็นเพราะคุณสมบัติเป็นฉนวนของพื้นผิวฟิล์มออกไซด์และการสลายตัวของโลหะพื้นฐานตามลำดับ ห่วงอุปนัยที่ผลที่มีความถี่ต่ำจากการดูดซับ Cl- ในภูมิภาคบ่อ โดยการเพิ่มศักยภาพในการกัดกร่อนและมิติเศษส่วนของพื้นผิวอันเนื่องมาจากการเพิ่มขึ้นของบ่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พฤติกรรมทางเคมีไฟฟ้าของกระป๋อง ) ในโซลูชั่นของกรดซิตริกความเข้มข้นต่าง ๆ ศึกษาโดยเทคนิคทางเคมีไฟฟ้า E / ฉันโค้ง พบว่าพฤติกรรมการจัดแสดงดีบุก Active / Passive เปลี่ยน รุ้ง เนื่องจากการก่อตัวของ SN ( โอ้ ) และ / หรือ SnO2 ฟิล์มบนพื้นผิวขั้วไฟฟ้า เพิ่มเกลือให้สารละลายกรดซิตริก ,ช่วยเพิ่มการละลายปราดเปรียว ดีบุก และมีแนวโน้มที่จะแบ่งเองที่อาจเสียบางอย่าง วงจรและการวัดแสงยูวี galvanostatic ให้เกิดศักยภาพ ( epit ) และ repassivation ศักยภาพ ( ERP ) จะได้รับการพิจารณา วัด potentiostatic พบว่า โดยรวมการกระบวนการสามารถอธิบายได้ด้วย 3 ขั้นตอนขั้นตอนแรกที่สอดคล้องกับขนาดและการเจริญเติบโตของชั้นออกไซด์เรื่อยๆ . ขั้นตอนที่สองเกี่ยวข้องกับหลุมขนาดและการเจริญเติบโตและขั้นตอนที่สามเกี่ยวข้องกับ repassivation . ค่าสเปกตรัมของบริสุทธิ์ SN พบว่าประกอบด้วยสามตัดกันแบบ semicircles ที่ความถี่สูง และปานกลาง มีห่วงอุปนัยที่ความถี่ต่ำการ semicircles แบบที่เกิดขึ้นที่สูงและความถี่กลางเนื่องจากคุณสมบัติไดอิเล็กตริกของผิวฟิล์มและการละลายของโลหะออกไซด์ เป็นต้น ตามลำดับ การอุปนัยวงที่ผลลัพธ์ความถี่ต่ำจาก Cl −ดูดซับที่บ่อภาค โดยการเพิ่มศักยภาพของการกัดกร่อนและการเกิดเศษส่วนมิติของพื้นผิวเนื่องจากการเพิ่มหลุมด้านหน้า