2 BACKGROUND2.1 Power-Aware DRAM In

2 BACKGROUND
2.1 Power-Aware DRAM Interfaces

Figure 1. Basic DRAM Interface, with four independent channels (C), one quad ranked DIMM per channel (R), and eight internal banks (B) per rank.

A basic DRAM interface has one or more DRAM channels; each channel consists of one or more memory modules.Most modern DRAM systems make use of dual in-line memory modules (DIMM); each DIMM consists of one or more ranks-a set of DRAM devices that operate in lockstep. Each DRAM device contains a set of independent memory arrays called banks. A bank is made up of rows (a.k.a. DRAM pages), which are simply a set of storage cells that are acted upon in parallel. Figure 1 shows a DRAM system interface, with four independent DRAM channels (C). Each channel has one quad ranked DIMM (R), with eight internal banks (B) per rank.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พื้นหลัง 2
2.1 พลังงานตระหนักถึงอินเตอร์เฟซ DRAM

รูปที่ 1 อินเตอร์เฟซ DRAM ขั้นพื้นฐานที่มีสี่ช่องอิสระ (c) หนึ่งในสี่อันดับ DIMM ต่อช่อง (R) และแปดธนาคารภายใน (ข) ต่อยศ

อินเตอร์เฟซ DRAM ขั้นพื้นฐานมีหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งช่อง DRAM. แต่ละช่องประกอบด้วยหนึ่ง หรือหน่วยความจำ modules.most ระบบ DRAM ที่ทันสมัย​​ทำให้การใช้งานของคู่ในสายการผลิตโมดูลหน่วยความจำ (DIMM);DIMM แต่ละประกอบด้วยหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งแถว-ชุดของอุปกรณ์ DRAM ที่ทำงานอยู่ใน lockstep อุปกรณ์ DRAM แต่ละมีชุดของอาร์เรย์หน่วยความจำอิสระที่เรียกว่าธนาคาร ธนาคารถูกสร้างขึ้นจากแถว (หน้า DRAM aka) ซึ่งเป็นเพียงชุดของเซลล์ที่จัดเก็บข้อมูลที่มีการดำเนินการในแบบคู่ขนาน รูปที่ 1 แสดงอินเตอร์เฟซระบบ DRAM กับสี่ช่อง DRAM อิสระ (c)แต่ละช่องมีหนึ่งในสี่อันดับ DIMM (R) กับแปดธนาคารภายใน (ข) ต่อยศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พื้นหลัง 2
2.1 เฟซ DRAM พลังงานทราบ

รูปที่ 1 อินเตอร์เฟซ DRAM พื้นฐาน สี่อิสระช่อง (C), รูปสี่เหลี่ยมหนึ่งอันดับ DIMM ต่อช่อง (R), และธนาคารภายในแปด (B) ต่ออันดับกัน

อินเทอร์เฟซ DRAM แบบพื้นฐานได้อย่าง น้อยหนึ่งช่อง DRAM แต่ละช่องประกอบด้วยอย่าง น้อยหนึ่งโมดูลหน่วยความจำระบบ DRAM ที่ทันสมัยทำให้การใช้หน่วยความจำในบรรทัดที่สองโมดูล (DIMM); DIMM แต่ละจำนวน น้อยยศเป็นชุดอุปกรณ์ DRAM ที่มีใน lockstep แต่ละอุปกรณ์ DRAM ประกอบด้วยชุดของอาร์เรย์หน่วยความจำอิสระที่เรียกว่าธนาคาร ธนาคารจะทำค่าของแถว (หรือเวสท์วูด DRAM หน้า), ซึ่งเป็นเพียงชุดของเซลล์เก็บข้อมูลที่ดำเนินการควบคู่กัน รูปที่ 1 แสดงเป็น DRAM ระบบติดต่อ สี่อิสระช่อง DRAM (C) แต่ละช่องมีรูปสี่เหลี่ยมหนึ่งอันดับ DIMM (R) กับแปดภายในธนาคาร (B) ต่อตำแหน่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 ภาพ พื้นหลัง
2.1 Secondary DRAM อิน เตอร์เฟซ

รูปที่ 1 . DRAM — Dynamic Random พื้นฐานอินเตอร์เฟซกับแชนเนลอิสระสี่( C )หนึ่ง DIMM จำนวนมากเป็นอันดับหนึ่งต่อ Quad channel ( R )และอินเตอร์เฟซแปดธนาคาร ภายใน ( B )ต่ออันดับ.

DRAM พื้นฐานที่มีหนึ่งช่องหรือมากกว่า DRAM แต่ละช่องสัญญาณประกอบด้วยหนึ่งหรือมากกว่าโมดูลหน่วยความจำ DRAM ระบบที่ทันสมัยมากที่สุดทำให้การใช้โมดูลหน่วยความจำ Dual In - line ( DIMM )DIMM แต่ละตัวจะประกอบด้วยอุปกรณ์หนึ่งหรือมากกว่าเป็นอันดับ - ที่ตั้งของ DRAM ที่ใช้งานใน lockstep อุปกรณ์ DRAM — Dynamic Random แต่ละห้องประกอบด้วยชุดของอาเรย์หน่วยความจำอิสระเรียกว่าธนาคาร ธนาคารที่สร้างขึ้นในแถว(หรือเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า DRAM — Dynamic Random หน้า)ซึ่งมีความเรียบง่ายตั้งค่าที่เก็บข้อมูลของเซลล์ทำหน้าที่เป็นในแบบคู่ขนาน รูปที่ 1 แสดงอินเตอร์เฟซระบบ DRAM ที่มีสี่ช่องสัญญาณ DRAM ( C )แต่ละช่องมีอันดับหนึ่ง Quad DIMM ( r )พร้อมด้วยแปดธนาคาร ภายใน ( B )ต่อแถว