The negative differential resistanc

The negative differential resistance, combined with the timing properties of the intermediate layer, is responsible for the diode's largest use: in electronic oscillators at microwave frequencies and above. A microwave oscillater can be created simply by applying a DC voltage to bias the device into its negative resistance region. In effect, the negative differential resistance of the diode cancels the positive resistance of the load circuit, thus creating a circuit with zero differential resistance, which will produce spontaneous oscillations. The oscillation frequency is determined partly by the properties of the middle diode layer, but can be tuned by external factors. In practical oscillators an electronic resonator is usually added to control frequency, in the form of a waveguide, microwave cavity or YIG sphere. The diode is usually mounted inside the cavity. The diode cancels the loss resistance of the resonator, so it produces oscillations at its resonant frequency. The frequency can be tuned mechanically, by adjusting the size of the cavity, or in case of YIG spheres by changing the magnetic field. Gunn diodes are used to build oscillators in the 10 GHz to high (THz) frequency range.

Gallium arsenide Gunn diodes are made for frequencies up to 200 GHz, gallium nitride materials can reach up to 3 terahertz.[1][2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลบส่วนที่แตกต่างความต้านทาน รวมกับคุณสมบัติเวลาของชั้นกลาง รับผิดชอบการใช้ไดโอดที่ใหญ่ที่สุด: ในออสซิลเลเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ ที่ความถี่ไมโครเวฟ และเหนือ Oscillater ไมโครเวฟที่สามารถสร้างได้ง่าย ๆ โดยใช้แรงดันไฟฟ้า DC ที่จะอคติอุปกรณ์ในภูมิภาคความต้านทานเชิงลบ มีผล ความต้านทานต่างติดลบของไดโอดยกเลิกบวกความต้านทานของวงจรโหลด ดังนั้น การสร้างวงจรกับศูนย์ต่างความต้านทาน ซึ่งจะทำให้เกิดการแกว่ง ความถี่ที่ถูกกำหนดบางส่วน โดยคุณสมบัติของไดโอดตรงกลางชั้น แต่สามารถปรับได้ โดยปัจจัยภายนอก ในออสซิลเลเตอร์ปฏิบัติ มี resonator อิเล็กทรอนิกส์มักจะเพิ่มการควบคุมความถี่ ในรูปของออก ไมโครเวฟโพรง หรือทรงกลม YIG ไดโอดมักจะติดตั้งภายใน ไดโอดยกเลิกการต่อต้านการสูญเสียของ resonator เพื่อจะก่อให้เกิดการแกว่งที่ความถี่เรโซแนนซ์ ความถี่ที่สามารถปรับกลไก การปรับขนาด ของช่อง หรือใน กรณี YIG ทรงกลมโดยการเปลี่ยนสนามแม่เหล็ก ไดโอดกันจะใช้ในการสร้างออสซิลเลเตอร์ใน GHz 10 ช่วงความถี่ (THz) สูงไดโอดกัน arsenide แกลเลียมจะทำสำหรับความถี่ขึ้นไป 200 GHz แกลเลียมไนไตรด์วัสดุสามารถเข้าถึงสูงถึง 3 เทราเฮิรตซ์ [1] [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ค่าความต้านทานเชิงลบรวมกับคุณสมบัติที่ระยะเวลาของชั้นกลางเป็นผู้รับผิดชอบสำหรับการใช้งานที่ใหญ่ที่สุดของไดโอด: ใน oscillators อิเล็กทรอนิกส์ที่ความถี่ไมโครเวฟและเหนือ มีไมโครเวฟ oscillater สามารถสร้างขึ้นได้ง่ายๆโดยการใช้แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงอคติอุปกรณ์เข้ามาในภูมิภาคต้านทานเชิงลบ ผลค่าความต้านทานเชิงลบของไดโอดยกเลิกต้านทานเชิงบวกของวงจรโหลดดังนั้นการสร้างวงจรที่มีความต้านทานเป็นศูนย์ที่แตกต่างกันซึ่งจะผลิตการสั่นที่เกิดขึ้นเอง ความถี่จะถูกกำหนดโดยส่วนหนึ่งคุณสมบัติของชั้นไดโอดกลาง แต่สามารถปรับจากปัจจัยภายนอก ในการปฏิบัติ oscillators ไอเสียอิเล็กทรอนิกส์มักจะถูกเพิ่มเข้าไปควบคุมความถี่ในรูปแบบของท่อนำคลื่นโพรงไมโครเวฟหรือ YIG ทรงกลม ไดโอดมักจะติดตั้งอยู่ภายในโพรง ไดโอดยกเลิกการต้านทานการสูญเสียของไอเสียจึงก่อให้เกิดการสั่นที่ความถี่จังหวะของมัน ความถี่สามารถปรับกลโดยการปรับขนาดของโพรงหรือในกรณีของทรงกลม YIG โดยการเปลี่ยนแปลงสนามแม่เหล็ก ไดโอดกันน์ถูกนำมาใช้ในการสร้าง oscillators ใน 10 GHz สูง (THz) ช่วงความถี่.

แกลเลียม arsenide ไดโอดกันน์จะทำสำหรับความถี่สูงถึง 200 GHz, วัสดุไนไตรด์แกลเลียมสามารถเข้าถึงได้ถึง 3 เฮิร์ตซ์. [1] [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความต้านทานแบบลบ รวมกับระยะเวลาคุณสมบัติของชั้นกลางเป็นผู้รับผิดชอบสำหรับใช้ที่ใหญ่ที่สุดของไดโอดใน oscillators อิเล็กทรอนิกส์ที่ความถี่ไมโครเวฟและข้างต้น ไมโครเวฟ oscillater สามารถสร้างได้ง่ายๆโดยการใช้แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงเพื่อตั้งค่าอุปกรณ์เข้าสู่เขตของความต้านทานเป็นลบ ผล ค่าความต้านทานของตัวไดโอดลบยกเลิกการโหลดวงจรความต้านทานบวก ดังนั้น การสร้างวงจรศูนย์ค่าความต้านทานซึ่งจะผลิตจากต่าง . ความผันผวนความถี่บางส่วนโดยกำหนดคุณสมบัติของชั้น ไดโอด กลาง แต่สามารถปรับได้จากปัจจัยภายนอก ในทางปฏิบัติมักเป็น resonator oscillators อิเล็กทรอนิกส์เพิ่มการควบคุมความถี่ในรูปแบบของท่อนำคลื่น ไมโครเวฟ โพรงหรือยิกทรงกลม ไดโอดมักจะติดตั้งภายในโพรง ไดโอดจะสูญเสียความต้านทานของชุด ดังนั้นจึงก่อให้เกิดการสั่นที่ความถี่เสียง . ความถี่สามารถปรับโดยอัตโนมัติ โดยการปรับขนาดของโพรง หรือในกรณีของ Yig ทรงกลมโดยการเปลี่ยนแปลงสนามแม่เหล็ก กันน์ไดโอดใช้ในการสร้างความถี่ใน 10 GHz จะสูง ( thz ) ช่วงความถี่แกลเลียมอาร์เซไนด์ กันน์ไดโอดจะทําสําหรับความถี่ได้ถึง 200 GHz , วัสดุไนไตรด์แกลเลียมสามารถเข้าถึงได้ถึง 3 เทราเฮิรตซ์ [ 1 ] [ 2 ]