Antimonide cobalt thin films were d

Antimonide cobalt thin films were deposited by IBSD and the
influence of deposition temperature on the properties is investigated.
The prepared antimonide cobalt thin films show the mixed
Sb and CoSb3 phase at low deposited temperature and then transform
to the dominant CoSb2 phase when the deposition temperature
were in the range from room-temperature to 500 C. The
grain sizes of antimonide cobalt thin films at first decrease and
then increase with increasing deposition temperature. A highest
electrical conductivity as large as 5.6  104 S cm1 at room
temperature is obtained when the thin film deposited at 450 C,
which has largest carrier concentration. But the Seebeck coefficient
of this sample is very small. The PF of the thin film deposited at
250 C has a highest value with a large Seebeck coefficient of
52 lV/K and a moderate value of electrical conductivity. It is several
times than that of others, indicating that the thin film with
mixed Sb and CoSb3 phase has better thermoelectric properties
than that of the thin films have CoSb2 phase. Also, it increases
when the measuring temperature increased and reaches to
3.5  104Wm1 K2 at 540 K.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางของโคบอลต์ Antimonide ถูกฝาก โดย IBSD และอิทธิพลของอุณหภูมิสะสมในคุณสมบัติจะตรวจสอบฟิล์มบางของโคบอลต์ antimonide พร้อมแสดงการผสมSb CoSb3 ระยะที่อุณหภูมิต่ำนำฝาก และแปลงแล้วการ CoSb2 หลักระยะเมื่ออุณหภูมิสะสมในช่วงตั้งแต่อุณหภูมิห้องถึง 500 C.ขนาดเม็ดของโคบอลต์ antimonide บางฟิล์มที่ลดลงครั้งแรก และแล้ว เพิ่มกับเพิ่มอุณหภูมิสะสม สูงสุดค่าการนำไฟฟ้าขนาดใหญ่ที่ cm 5.6 104 S 1 ห้องอุณหภูมิได้รับเมื่อฝากฟิล์มบางที่ 450 Cซึ่งมีความเข้มข้นของผู้ขนส่งที่ใหญ่ที่สุด แต่สัมประสิทธิ์ Seebeckของอย่างนี้มีขนาดเล็กมาก PF ของฟิล์มบางที่ฝากที่250 C มีค่าสูงสุดกับการสัมประสิทธิ์ Seebeck ขนาดใหญ่ของlV 52 K และค่าปานกลางของค่าการนำไฟฟ้า มันมีหลายเวลากว่าที่อื่น แสดงที่ฟิล์มบางด้วยผสม Sb และ CoSb3 ระยะได้ดีกว่าแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์คุณสมบัติฟิล์มบางที่มีระยะ CoSb2 ยัง เพิ่มเมื่อวัดอุณหภูมิเพิ่มขึ้น และถึงการ3.5 10 4Wm K 1 2 ที่ 540 คุณ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางฝาก IBSD และ
อิทธิพลของอุณหภูมิการสะสมเกี่ยวกับคุณสมบัติที่มีการตรวจสอบ.
antimonide เตรียมโคบอลต์ฟิล์มบางแสดงผสม
Sb และเฟส CoSb3 ที่อุณหภูมิฝากต่ำแล้วเปลี่ยน
ไปยังเฟส CoSb2 ที่โดดเด่นเมื่ออุณหภูมิสะสม
อยู่ ในช่วงจากอุณหภูมิห้องถึง 500 องศาเซลเซียส
ขนาดเม็ด antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางที่ลดลงเป็นครั้งแรกและ
จากนั้นเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิการสะสมเพิ่มขึ้น สูงสุด
การนำไฟฟ้าที่มีขนาดใหญ่เป็น 5.6? S 104 ซม. 1 ณ ห้อง
อุณหภูมิจะได้รับเมื่อฝากฟิล์มบางที่ 450 องศาเซลเซียส
ซึ่งมีความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่ใหญ่ที่สุด แต่ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบค
ของตัวอย่างนี้มีขนาดเล็กมาก PF ของฟิล์มบางฝากที่
250 องศาเซลเซียสมีค่าสูงสุดด้วยค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคใหญ่ของ
52 LV / K และค่าปานกลางของการนำไฟฟ้า มันเป็นหลาย
เท่าของคนอื่น ๆ ที่แสดงให้เห็นว่าฟิล์มบางที่มี
Sb ผสมและ CoSb3 ขั้นตอนการมีคุณสมบัติที่ดีกว่าเทอร์โม
กว่าของฟิล์มบางมีขั้นตอนการ CoSb2 นอกจากนี้มันจะเพิ่ม
เมื่อวัดอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นและถึง
3.5? 10? 4Wm 1 K? 2 ที่ 540 เค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

antimonide โคบอลต์ ฟิล์มถูกฝากโดย ibsd และ
อิทธิพลของอุณหภูมิต่อคุณสมบัติการเคลือบศึกษา
antimonide โคบอลต์เตรียมฟิล์มบางโชว์ sb ผสม
cosb3 เฟสที่อุณหภูมิต่ำและฝากแล้วแปลง
ให้เด่น cosb2 เฟสเมื่ออุณหภูมิอยู่ในช่วงสะสม
จากอุณหภูมิห้องถึง 500  C .
ขนาดเกรนของฟิล์มบาง antimonide โคบอลต์ที่ลดลงและเพิ่มขึ้น
แล้วอุณหภูมิสะสม . สูงสุด
เครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดใหญ่เป็น 5.6  104 S ซม.  1 ที่อุณหภูมิห้อง
ได้รับเมื่อฟิล์มบางเงิน 450  C
ซึ่งมีผู้ให้บริการที่ใหญ่ที่สุดของ . แต่วัดค่าสัมประสิทธิ์
ตัวอย่างนี้มีขนาดเล็กมาก PF ของฟิล์มบางเงินที่
250  C ได้ค่าสูงที่สุดด้วย วัดค่าขนาดใหญ่ของ
52 LV / K และค่าค่าการนําไฟฟ้า มันหลายครั้ง
กว่าของผู้อื่น บ่งชี้ว่าฟิล์มบางด้วย
SB ผสมและขั้นตอน cosb3 กว่าคุณสมบัติของเทอร์โม
กว่าของฟิล์มบางมีระยะ cosb2 . นอกจากนี้ยังเพิ่ม
เมื่อการวัดอุณหภูมิเพิ่มขึ้นถึง

35  10  4wm  1 K  2 540 K