as interesting candidates for the s

as interesting candidates for the study of TE applications
by Nikini et al. [13], and these compounds demonstrated
improved ZT performance in intermediate temperature
range (400–800 K) [14, 15]. They are identified as nontoxic,
abundant in nature and less expensive materials as
compared to the state of the art conventional TE materials
like clathrates, chalcogenides, and skutterudites [16].
Magnesium Silicide (Mg2Si) is a narrow band gap semiconductor
(Eg * 0.3–0.6 eV), with low density (below
2 g/cm3) and high melting temperature (*1000 C) [17].
Mg2Si and its alloys consist of anti-fluorite crystal structure
with Si in FCC (face centered cubic) sites and Mg in tetrahedral
positions [18]. It was claimed by simulation in Zaitsev
et al. [19], that this type of TE materials can attain greater ZT
values because of high charge mobilities, containing large
effective masses and comparatively low lattice component of
thermal conductivity. For the past decades, this class of
materials has been under investigation for mid-to-high temperature
range of TE applications. Ball-milling technique is a
well-known method for brittle material production; but the
ductile characteristics and reactivity ofMgwith oxygenmake
this synthesis process a nontrivial route. [20].
There are, however, few reports on the synthesis parameters
and improved ball-milling methods to manufacture
nanocrytallineMg2Si powder [20–22].However optimization
of sintering parameters is required to obtain ideal densification
and microstructure. In this work, nanocrystalline Mg2Si
materials were prepared by ball-milling process and spark
plasma sintering (SPS) process was used for consolidation. In
particular, SPS consolidation parameters were investigated to
achieve the highest compaction density and conserve the
nanostructured grains in the sintered pellets, by studying different
temperature and holding time for SPS experiments.
Crystallite size and crystalline phase identification were performed
by XRD, SEM, and TEM techniques; detailed
microstructure analyses from the fractured surfaces of compacts
are presented.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นผู้สมัครที่น่าสนใจสำหรับการศึกษาของการใช้งาน TE
โดย Nikini et al, [13]
และสารเหล่านี้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพการทำงานที่ดีขึ้นZT
อุณหภูมิกลางช่วง(400-800 K) [14, 15] พวกเขาจะระบุว่าปลอดสารพิษ,
ความอุดมสมบูรณ์ในธรรมชาติและวัสดุที่ราคาไม่แพงเป็นเมื่อเทียบกับรัฐของศิลปะวัสดุธรรมดา TE เช่น clathrates, chalcogenides และ skutterudites [16]. แมกนีเซียมซิลิไซด์ (Mg2Si) เป็นช่องว่างแถบแคบเซมิคอนดักเตอร์(เช่น * 0.3 -0.6 eV) ที่มีความหนาแน่นต่ำ (ต่ำกว่า2 กรัม / cm3) และอุณหภูมิสูงละลาย (* 1000? C) [17]. Mg2Si และโลหะผสมที่ประกอบด้วยโครงสร้างผลึกต่อต้าน fluorite กับศรี FCC (ใบหน้าศูนย์กลางลูกบาศก์) เว็บไซต์ และแมกนีเซียมใน tetrahedral ตำแหน่ง [18] มันก็อ้างโดยการจำลองใน Zaitsev et al, [19], ว่าประเภทของวัสดุ TE นี้สามารถบรรลุ ZT มากขึ้นค่าเพราะค่าใช้จ่ายสูงเคลื่อนที่ที่มีขนาดใหญ่มวลชนที่มีประสิทธิภาพและองค์ประกอบตาข่ายต่ำเมื่อเทียบกับของการนำความร้อน สำหรับทศวรรษที่ผ่านมาระดับนี้วัสดุที่ได้รับภายใต้การสอบสวนอุณหภูมิช่วงกลางถึงสูงช่วงการใช้งานTE เทคนิคลูกกัดเป็นวิธีการที่รู้จักกันดีสำหรับการผลิตวัสดุเปราะ; แต่ลักษณะเหนียวและการเกิดปฏิกิริยา ofMgwith oxygenmake กระบวนการสังเคราะห์นี้เป็นเส้นทางขี้ปะติ๋ว [20]. มี แต่รายงานไม่กี่พารามิเตอร์การสังเคราะห์และการปรับปรุงวิธีการลูกกัดในการผลิตผงnanocrytallineMg2Si [20-22] อย่างไรก็ตามการเพิ่มประสิทธิภาพของพารามิเตอร์การเผาจะต้องได้รับdensification เหมาะและจุลภาค ในงานนี้ nanocrystalline Mg2Si วัสดุที่ถูกจัดทำขึ้นโดยกระบวนการลูกกัดและจุดประกายการเผาพลาสม่า (SPS) กระบวนการที่ใช้สำหรับการควบรวมกิจการ ในโดยเฉพาะอย่างยิ่ง SPS พารามิเตอร์การควบรวมกิจการที่ได้รับการตรวจสอบเพื่อให้บรรลุความหนาแน่นของการบดอัดสูงสุดและอนุรักษ์เมล็ดอิเล็กทรอนิคส์ในเม็ดเผาโดยการศึกษาที่แตกต่างกันอุณหภูมิและถือเวลาสำหรับการทดลองSPS. ขนาดผลึกและบัตรประจำตัวผลึกได้ดำเนินการโดย XRD, SEM และ TEM เทคนิค รายละเอียดจุลภาควิเคราะห์จากพื้นผิวร้าวของชิ้นงานที่นำเสนอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นผู้สมัครที่น่าสนใจสำหรับการศึกษาเพื่อการใช้งาน
โดย nikini et al . [ 13 ] และ สารเหล่านี้แสดงให้เห็นถึงการปรับปรุงประสิทธิภาพใน

ZT อุณหภูมิช่วงกลาง ( 400 - 800 k ) [ 14 , 15 ) ได้แก่ พิษ ,
มากมายในธรรมชาติ และวัสดุที่แพงน้อยกว่า
เมื่อเทียบกับรัฐของศิลปะวัสดุ Te ปกติ
เช่นชรัวแชลโคเจไนด์ และ skutterudites , [ 16 ] .
แมกนีเซียมซิลิไซด์ ( mg2si ) เป็นวงแคบ ( เช่นช่องว่าง
( * 0.3 - 0.6 EV ) ที่มีความหนาแน่นต่ำ ( ด้านล่าง
2 กรัมต่อลิตร ) และอุณหภูมิการหลอมเหลวสูง ( * 1000  C ) [ 17 ] .
mg2si และโลหะผสมประกอบด้วย anti โครงสร้างผลึก fluorite
กับชีใน FCC ( หน้า ศูนย์กลางลูกบาศก์ ) เว็บไซต์และ Mg ในตำแหน่ง [ 18 ] tetrahedral

มันถูกอ้างโดยจำลองไซเซฟ
et al . [ 19 ]ว่าวัสดุชนิดนี้สามารถบรรลุ te
ZT มากขึ้นค่า เพราะ mobilities ค่าใช้จ่ายสูงที่มีประสิทธิภาพและส่วนประกอบของตาข่ายขนาดใหญ่
มวลต่ำเปรียบเทียบของ
ความร้อนการนำ สำหรับทศวรรษที่ผ่านมา , ชั้นของวัสดุนี้ได้รับภายใต้การสอบสวน
-
ช่วงอุณหภูมิการใช้งานสูงของเต้ เทคนิคกัดบอลคือ
วิธีที่รู้จักกันดีสำหรับการผลิตวัสดุเปราะบาง แต่เหนียวและลักษณะการ ofmgwith oxygenmake

นี้การสังเคราะห์กระบวนการเส้นทางนอนทริเวียล . [ 20 ] .
มี , อย่างไรก็ตาม , ไม่รายงานเกี่ยวกับพารามิเตอร์ในการสังเคราะห์และปรับปรุงวิธีการกัดบอล

nanocrytallinemg2si ผลิตผง [ 20 – 22 ] อย่างไรก็ตาม การเพิ่มประสิทธิภาพของพารามิเตอร์จะต้องเผา

เหมาะกันขอรับและโครงสร้างจุลภาค . ในงานนี้ mg2si nanocrystalline
เตรียมวัสดุและกระบวนการกัดบอลประกาย
พลาสมา sintering ( SPS ) กระบวนการที่ใช้สำหรับการรวม ใน
เฉพาะค่า SP รวมได้

บรรลุความหนาแน่นอัดสูงสุดและประหยัด
nanostructured ธัญพืชในผงอัดเม็ด โดยศึกษาแตกต่างกัน
อุณหภูมิและระยะเวลา ในการทดลอง สปส.
ขนาดผลึกและรหัสเฟสผลึกได้
โดย XRD , SEM และ TEM เทคนิค วิเคราะห์จากพื้นผิวโครงสร้างรายละเอียด

ร้าวของชิ้นงานได้แก่