c–f, Schematics (left) and microgra

c–f, Schematics (left) and micrographs of various NEM devices showing the source (S), drain (D), gate (G) and active element (white arrow). In general, the active elements in these devices range from a few hundred nanometres to a few micrometres in length. Red and blue indicate attractive and repulsive electrostatic forces in the schematics.
c, Two-terminal architecture in which a voltage is applied to the source electrode and a single gate/drain electrode, producing an electrostatic force that pulls the active element into contact with the gate/drain electrode.
d, A three-terminal architecture in which a voltage is applied to the source and gate electrodes, producing an electrostatic force that pulls the active element into contact with the drain electrode.
e, A three-terminal architecture in which the electrostatic force pushes the active element into contact with the drain electrode. Note that the drain and gate electrodes can also be individual nanostructuresrather than conventional planar electrodes as shown here.
f, The possibility of making more complex architectures, such as this device with two gate electrodes, means that logic gates built from NEM switches require fewer components than comparable gates built from CMOS components. The active elements in these schematics are all cantilevered structures: however, active elements can also be suspended at both ends and deflect in the plane of the substrate or out of this plane.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

c-f, Schematics (ซ้าย) และ micrographs ของอุปกรณ์ลมอนสแกนต่าง ๆ ที่แสดงแหล่งที่มา (S), ท่อระบายน้ำ (D), เกท (G) และองค์ประกอบที่ใช้งานอยู่ (ลูกศรสีขาว) ทั่วไป องค์ประกอบใช้งานอยู่ในอุปกรณ์เหล่านี้ช่วงจากกี่ร้อย nanometres เพื่อรวมแสงบางความยาว สีแดงและสีน้ำเงินแสดงว่า น่าสนใจ และสสารกองไฟฟ้าสถิตในการ schematicsc เทอร์มิ นัล 2 สถาปัตยกรรมซึ่งใช้แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วแหล่งและตัวไฟฟ้าประตูเดี่ยว/ท่อระบายน้ำ ผลิตมีแรงไฟฟ้าสถิตที่องค์ประกอบที่ใช้งานกับไฟฟ้าประตู/ท่อระบายน้ำd สถาปัตยกรรมแบบสามเทอร์มินัลที่ใช้แรงดันไฟฟ้ากับขั้วไฟฟ้าต้นทางและประตู ผลิตมีแรงไฟฟ้าสถิตที่องค์ประกอบที่ใช้งานกับไฟฟ้าท่อระบายน้ำe สถาปัตยกรรมสามเทอร์มินัลแบบไฟฟ้าสถิตแรงช่วยผลักดันองค์ประกอบใช้งานกับไฟฟ้าท่อระบายน้ำ หมายเหตุที่ ขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำและประตูยังสามารถ nanostructuresrather ละกว่าระนาบขั้วทั่วไปดังแสดงที่นี่f ความเป็นไปได้ของสถาปัตยกรรมที่ซับซ้อนมากขึ้น เช่นอุปกรณ์นี้กับสองประตูไฟฟ้า หมายถึง ว่า ตรรกะประตูจากสวิทช์ลมอนสแกนต้องประกอบน้อยกว่าเทียบได้ประตูจากคอมโพเนนต์ CMOS องค์ประกอบใช้งานอยู่ใน schematics เหล่านี้เป็นโครงสร้างทั้งหมด cantilevered: อย่างไรก็ตาม องค์ประกอบที่ใช้งานอยู่ยังจะลอยที่ปลายทั้งสอง และปัดในระนาบ ของพื้นผิว หรือ จากเครื่องบินนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

C-F, วงจร (ซ้าย) และไมโครของอุปกรณ์ต่างๆ NEM แสดงแหล่งที่มา (s), ท่อระบายน้ำ (D) ประตู (G) และองค์ประกอบที่ใช้งาน (ลูกศรสีขาว) โดยทั่วไปองค์ประกอบการใช้งานในอุปกรณ์เหล่านี้มีตั้งแต่ไม่กี่ร้อยนาโนเมตรไปไม่กี่ไมโครเมตรยาว สีแดงและสีฟ้าบ่งบอกถึงพลังไฟฟ้าสถิตที่น่าสนใจและน่ารังเกียจในแผนงาน.
C, สถาปัตยกรรมสองขั้วที่แรงดันไฟฟ้าถูกนำไปใช้อิเล็กโทรดแหล่งที่มาและขั้วไฟฟ้าประตูเดี่ยว / ท่อระบายน้ำ, การผลิตแรงไฟฟ้าสถิตที่ดึงองค์ประกอบที่ใช้งานในการติดต่อกับ ประตู / ท่อระบายน้ำอิเล็กโทร.
D, สถาปัตยกรรมสามขั้วที่แรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับแหล่งที่มาและประตูขั้วไฟฟ้าผลิตพลังงานไฟฟ้าสถิตที่ดึงองค์ประกอบที่ใช้งานในการติดต่อกับขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำ.
E, สถาปัตยกรรมสามขั้วที่ แรงผลักดันไฟฟ้าสถิตองค์ประกอบที่ใช้งานในการติดต่อกับขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำ โปรดทราบว่าท่อระบายน้ำและประตูขั้วไฟฟ้ายังสามารถ nanostructuresrather แต่ละกว่าขั้วไฟฟ้าระนาบเดิมดังที่แสดงไว้ที่นี่.
F, ความเป็นไปได้ของการทำสถาปัตยกรรมที่ซับซ้อนมากขึ้นเช่นอุปกรณ์นี้กับสองขั้วไฟฟ้าประตูหมายความว่าประตูตรรกะที่สร้างขึ้นจากสวิทช์ NEM ต้องมีส่วนประกอบน้อยลง กว่าประตูเปรียบที่สร้างขึ้นจากส่วนประกอบ CMOS องค์ประกอบที่ใช้งานอยู่ในแผนงานเหล่านี้ทั้งหมดโครงสร้างแพร่ง: แต่องค์ประกอบที่ใช้งานนอกจากนี้ยังสามารถระงับที่ปลายทั้งสองและหันเหความสนใจในระนาบของพื้นผิวหรือออกจากเครื่องบินนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

C - F , schematics ( ซ้าย ) และ micrographs ต่างๆหรืออุปกรณ์แสดงแหล่งที่มา ( s ) ท่อระบายน้ำ ( D ) , ประตู ( G ) และองค์ประกอบที่ใช้งาน ( ลูกศรสีขาว ) โดยทั่วไป ใช้องค์ประกอบในอุปกรณ์เหล่านี้มีตั้งแต่ไม่กี่ร้อยนาโนเมตรเพื่อไม่กี่ไมโครเมตรในความยาว สีแดงและสีน้ำเงินแสดงมีเสน่ห์และน่ารังเกียจไฟฟ้าสถิตกองกำลังในผังC , 2 อาคารสถาปัตยกรรมซึ่งเป็นแรงดันที่ใช้กับแหล่งไฟฟ้าและขั้วไฟฟ้าประตูดูดเดียวผลิตไฟฟ้าสถิต แรงที่ดึงองค์ประกอบที่ใช้ในการติดต่อกับประตูระบายน้ำอิเล็กโทรดD 3 อาคารสถาปัตยกรรมซึ่งเป็นแรงดันที่ใช้กับแหล่งที่มาและประตูไฟฟ้า , การผลิต แรงไฟฟ้าสถิตที่ดึงองค์ประกอบที่ใช้ในการติดต่อกับท่อระบายอิเล็กโทรดและ , สถาปัตยกรรมสามขั้วที่แรง electrostatic ผลักดันองค์ประกอบใช้งานอยู่ในการติดต่อกับท่อระบายอิเล็กโทรด หมายเหตุ การระบายและประตูไฟฟ้ายังสามารถ nanostructuresrather แต่ละระนาบปกติกว่าขั้วไฟฟ้าที่แสดงที่นี่ .F , ความเป็นไปได้ของการดำเนินงานที่ซับซ้อนมากขึ้น เช่น อุปกรณ์นี้กับสองประตูไฟฟ้า , หมายความว่าโลจิกเกท ที่สร้างขึ้นจากสวิทช์ไม่ต้องใช้ส่วนประกอบน้อยกว่าประตูเทียบเท่าสร้างขึ้นจากส่วนประกอบของ CMOS องค์ประกอบที่ใช้งานในรูปแบบเหล่านี้เป็นโครงสร้าง cantilevered ทั้งสิ้น อย่างไรก็ตาม องค์ประกอบที่ใช้งานยังสามารถแขวนที่ปลายทั้งสองและหักเหในระนาบของพื้นผิวหรือออกจากเครื่องบินลำนี้