Pulsed laser ablation and depositio

Pulsed laser ablation and deposition—or just pulsed laser deposition (PLD)—is a method similar to pulsed vacuum arc deposition. The depositing species are removed from a target material in short bursts resulting in a kinetic energy of these species of the order of 10–100 eV [31]. However, semiconducting or isolating materials can be used for PLD, which are not accessible for arc deposition. Normally, a congruent transfer of compound targets is observed , nevertheless multiple targets are commonly used as stoichiometry variations can be obtained in a much more easy and flexible way .
Similarly, elimination of particulates or droplets is still an ongoing research topic . Currently, PLD is used widely for growth of high temperature superconducting oxides, dielectrics, ferroelectrics and semiconductors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สูงจี้เลเซอร์และสะสม — หรือสูงเพียงสะสมเลเซอร์ (PLD) ซึ่งเป็นวิธีคล้ายกับสิวอาร์คพัลสะสม พันธุ์ depositing จะถูกเอาออกจากวัสดุเป้าหมายใน bursts สั้นเกิดพลังงานจลน์พันธุ์ลำดับ 10 – 100 eV [31] อย่างไรก็ตาม ตัว หรือแยกวัสดุสามารถใช้สำหรับ PLD ซึ่งไม่เข้าโค้งสะสม ปกติ สังเกตการโอนย้ายแผงเป้าหมายผสม อย่างไรก็ตามเป้าหมายหลายใช้เป็นรูป stoichiometry ได้ในวิธีง่าย และยืดหยุ่นมากขึ้น
ทำนองเดียวกัน กำจัดฝุ่นละอองหรือหยดได้ยังคงเป็นหัวข้อวิจัยอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบัน PLD ใช้อย่างกว้างขวางสำหรับการเจริญเติบโตของอุณหภูมิสูง superconducting ออกไซด์ dielectrics ferroelectrics และอิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การระเหยของเลเซอร์พัลและการสะสมหรือการสะสมเลเซอร์ชีพจรเพียง (PLD) เป็นวิธีการคล้ายกับชีพจรสะสมสูญญากาศโค้ง สายพันธุ์ที่ฝากจะถูกลบออกจากวัสดุเป้าหมายในระเบิดสั้นส่งผลให้พลังงานจลน์ชนิดนี้มาจากคำสั่งของ 10-100 eV [31] แต่สารกึ่งตัวนำหรือวัสดุแยกสามารถใช้สำหรับการ PLD ที่ไม่สามารถเข้าถึงได้สำหรับการสะสมโค้ง โดยปกติการถ่ายโอนสอดคล้องของเป้าหมายสารประกอบเป็นที่สังเกตเป้าหมายหลายยังคงเป็นที่นิยมใช้เป็นรูปแบบปริมาณสารสัมพันธ์จะได้รับในทางที่มากขึ้นง่ายและมีความยืดหยุ่น
ในทำนองเดียวกันกำจัดฝุ่นละอองหรือหยดยังคงเป็นหัวข้องานวิจัยอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบัน PLD ใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับการเจริญเติบโตของตัวนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิสูงออกไซด์ dielectrics, ferroelectrics และเซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การรักษาด้วยเลเซอร์และการสะสมหรือการสะสมเลเซอร์ ( PLD ) - เป็นวิธีคล้ายกับการอาร์กในสุญญากาศเคลือบ ที่ฝากชนิดจะถูกลบออกจากชิ้นงานวัสดุในระเบิดสั้นส่งผลให้พลังงานจลน์ของเหล่านี้ชนิดของคำสั่ง 10 – 100 EV [ 31 ] อย่างไรก็ตาม กึ่งตัวนำหรือการแยกวัสดุที่สามารถใช้สำหรับ PLD ซึ่งไม่สามารถเข้าถึงได้สำหรับอาร์ค คำให้การของพยานโดยปกติ การสอดคล้องของเป้าหมายบริเวณเป็นที่สังเกต อย่างไรก็ตามหลายเป้าหมายทั่วไปใช้เป็นสารในรูปแบบต่าง ๆ ได้มากขึ้นในวิธีที่ง่ายและมีความยืดหยุ่น
และขจัดฝุ่นละออง หรือละอองยังคงเป็นหัวข้อวิจัยอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบันมีการใช้กันอย่างแพร่หลายเพื่อการเจริญเติบโตของ PLD ยวดยิ่งอุณหภูมิสูงออกไซด์ ได ,ferroelectrics และเซมิคอนดักเตอร์