4. DiscussionThe experimental resul

4. Discussion
The experimental results reported here showtwo general features of
the TiO2 layer growth fromTDMAT and H2OALD. The first observation is
that the H2O purge times have to be increased for substrate temperatures
above 250 °C. In this temperature range, the thin film surface
changes from an amorphous TiO2 to anatase and rutile termination
and at the same time the decompositionmechanismof TDMAT changes
from surface dominated to surface plus gas phase decomposition
[33,34]. Both effects may induce changes in the deposition mechanism
and in turn of the growth rate, as compared to substrate temperatures
below 250 °C. This will be discussed in the following.
The adsorption of water on anatase surfaces takes place on two
structurally different sites and desorption from these sites takes place

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. สนทนารายงานผลการทดลองที่นี่ showtwo คุณสมบัติทั่วไปของTiO2 ชั้นเติบโต fromTDMAT และ H2OALD สังเกตแรกคือที่เวลาการล้างข้อมูล H2O มีสามารถเพิ่มขึ้นสำหรับอุณหภูมิพื้นผิวข้างบน 250 องศาเซลเซียส ในช่วงนี้อุณหภูมิ พื้นผิวของฟิล์มบางเปลี่ยนแปลงจากมี TiO2 ไปจ้าง anatase และ rutileและในเวลาเดียวกัน decompositionmechanismof TDMATจากพื้นผิวที่ครอบงำลงผิวก๊าซระยะที่แยกส่วนประกอบ[33,34] ได้ผลทั้งสองอาจทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในกลไกการสะสมในเปิดของอัตราการเติบโต เมื่อเทียบกับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำกว่า 250 องศาเซลเซียส นี้จะกล่าวถึงในต่อไปนี้ดูดซับน้ำบนพื้นผิว anatase ขึ้นบนสองไซต์ structurally อื่นและ desorption จากไซต์เหล่านี้เกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. การอภิปราย
ผลการทดลองรายงานที่นี่ showtwo ลักษณะโดยทั่วไปของ
การเจริญเติบโต fromTDMAT TiO2 ชั้นและ H2OALD สังเกตแรกคือ
ว่าเวลาล้าง H2O จะต้องมีการเพิ่มขึ้นสำหรับอุณหภูมิพื้นผิว
ด้านบน 250 ° C ในช่วงอุณหภูมินี้พื้นผิวของฟิล์มบาง
เปลี่ยนแปลงจาก TiO2 สัณฐานเพื่อแอนาเทสและการเลิกจ้าง rutile
และในเวลาเดียวกันการเปลี่ยนแปลง decompositionmechanismof TDMAT
จากพื้นผิวที่โดดเด่นบวกกับพื้นผิวการสลายตัวของก๊าซ
[33,34] ผลกระทบทั้งสองอาจก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในกลไกการสะสม
และในทางกลับของอัตราการขยายตัวเมื่อเทียบกับอุณหภูมิที่พื้นผิว
ด้านล่าง 250 ° C นี้จะมีการกล่าวถึงในต่อไปนี้.
การดูดซับของน้ำบนพื้นผิวแอนาเทสจะเกิดขึ้นในสอง
สถานที่ที่แตกต่างกันในเชิงโครงสร้างและการคายออกจากเว็บไซต์เหล่านี้จะเกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . การอภิปรายผลรายงานที่นี่ showtwo

ชั้นลักษณะทั่วไปของ TiO2 และการเจริญเติบโต fromtdmat h2oald . แบบแรกคือ
ว่าเวลาล้าง H2O ก็ต้องเพิ่มขึ้นสำหรับพื้นผิวที่อุณหภูมิ 250 องศา
ข้างต้นในช่วงอุณหภูมิที่พื้นผิว
ฟิล์มบางการเปลี่ยนแปลงจาก TiO2 ซึ่งจะสิ้นสุด
แอนาเทสและรูไทล์และในเวลาเดียวกัน decompositionmechanismof เปลี่ยนแปลง tdmat
จากพื้นผิวครอบงำพื้นผิวบวกระยะก๊าซสลาย
[ 33,34 ] ทั้งผลอาจทำให้การเปลี่ยนแปลงในการกลไก
และในทางกลับกันของอัตราการเติบโตเมื่อเทียบกับอุณหภูมิพื้นผิว
250 องศา นี้จะกล่าวถึงในต่อไปนี้ .
การดูดซับน้ำบนพื้นผิว anatase เกิดขึ้นสอง
เว็บไซต์ที่แตกต่างกันโครงสร้างและปลดปล่อยจากเว็บไซต์เหล่านี้เกิดขึ้น