potential-induced degradation was o

potential-induced degradation was observed in photovoltaic modules based on an n-type single crystalline silicon solar cell ( front junction cell) by applying -1000 v from an aluminium plate attached on the front cover glass of the module to the silicon cell for 2 h at 25 c and 85 c, and by applying -50 v at 85 c for 2 h

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ย่อยสลายให้เกิดศักยภาพพบว่า ในอาทิตย์อิงเป็น n ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนอาทิตย์ (แยกแผนกเซลล์) โดยการใช้-1000 v จากแผ่นอะลูมิเนียมติดอยู่บนฝาครอบแก้วด้านหน้าของโมเซลล์ซิลิคอนสำหรับ 2h ที่ 25 c และ 85 c และ โดยใช้ v-50 85 c เป็นเวลา 2 ชม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่อาจเกิดขึ้นเหนี่ยวนำให้เกิดการย่อยสลายพบว่าในแผงเซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นฐานของ N-ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ (เซลล์ชุมทางด้านหน้า) โดยใช้ -1000 V จากแผ่นอลูมิเนียมที่แนบมาบนกระจกหน้าปกของโมดูลไปยังเซลล์ซิลิกอนเป็นเวลา 2 ชั่วโมง ที่ 25 C และ 85 C, และโดยการใช้ -50 V ที่ 85 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 ชั่วโมง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่อาจเกิดขึ้นจากการพบว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์โดยทั่วไปเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน ( ชุมทางหน้าเซลล์ ) โดยการใช้ - 1000 V จากแผ่นอลูมิเนียมติดบนหน้าปกแก้วโมดูลกับซิลิคอนเซลล์ 2 ชั่วโมง ที่ 25 องศาเซลเซียส และ 85 องศาเซลเซียส และโดยการใช้ - 50 V ที่ 85 C สำหรับ 2 ชั่วโมง