If now such p-type material is subj

If now such p-type material is subjected to an electric field by applying a voltage then the holes move in a valence band and are mainly responsible for the conduction. So the
1.10.1 Conduction in p-Type Semiconductor
Fig. 1.13 Conduction in p-type material

current conduction in p-type material is predominantly due to the holes. The free electrons are also present in conduction band but are very less in number. Hence holes are the majority carriers while electrons are minority carriers in p-type material. The conduction in p-type material is shown in the Fig. 1.13.
1.11 P-N Junction
The two type of materials namely p-type and n-type are chemically combined with a special fabrication technique to form a p-n junction. The p-n junction forms a popular semiconductor device called diode. The diode is the basic element of number of electronic circuits. Hence the knowledge of p-n junction and its behaviour is very important in understanding the operation of number of electronic circuits, applications and devices.
Let us study first the features of unbiased p-n junction.
1.11.1 Unbiased P-N Junction
If in a given material if the doping is not uniform then at one place large number of charge carriers exist while at other place small number of charge carriers exist. In a high charge carrier concentration area, all charge carriers are of similar type, either electrons or holes and hence start repelling each other. Due to this, charge carriers start moving from high cocentration area towards low concentration area, to achieve uniform concentration all over the meterial. This process is called diffusion and exists when there is nonuniform concentration of charge carriers in the material. In a p-n junction, on ท side there are large number of electrons while on p side electrons arc minority in number. So there is high

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ถ้าตอนนี้ ขึ้นอยู่กับการไฟฟ้า p ชนิดวัสดุดังกล่าว โดยใช้แรงดันไฟฟ้าแล้วหลุมย้ายในวงเวเลนซ์ และส่วนใหญ่ชอบจึงจะ ดังนั้นการ 1.10.1 การนำกระแสในสารกึ่งตัวนำชนิด pนำ fig. 1.13 ในวัสดุชนิด pปัจจุบันการนำในวัสดุชนิด p เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากหลุม อิเล็กตรอนอิสระจะอยู่ในวงการนำ แต่มีน้อยมากในจำนวน ดังนั้น หลุมเป็นพาหะส่วนใหญ่ในขณะที่อิเล็กตรอนเป็นพาหะข้างน้อยในวัสดุชนิด p แสดงนำในวัสดุชนิด p ใน Fig. 1.131.11 P-N Junctionชนิดสองวัสดุคือชนิด p และชนิด n เป็นสารเคมีรวมกับเทคนิคการผลิตพิเศษเพื่อการเชื่อมต่อพี-เอ็น เชื่อมต่อ p-n ใช้อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นิยมเรียกว่าไดโอด ไดโอดเป็นองค์ประกอบพื้นฐานของวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้น ความรู้ p-n junction และพฤติกรรมการเป็นสิ่งสำคัญมากในการเข้าใจการทำงานของวงจรอิเล็กทรอนิกส์ โปรแกรมประยุกต์ และอุปกรณ์ให้เราศึกษาก่อนของชุมทาง p n คน1.11.1 คน P-N Junctionถ้าในวัสดุที่กำหนด ถ้าโดปปิงค์ไม่สม่ำเสมอ แล้วที่หนึ่งจำนวนมากค่าธรรมเนียม สายการบินมีอยู่ในขณะที่อื่น ๆ ขนาดเล็กจำนวนค่าธรรมเนียม สายการบินมีอยู่ ในพื้นที่ความเข้มข้นสูงค่าขนส่ง ค่าธรรมเนียมทั้งหมดเป็นชนิดคล้าย อิเล็กตรอนหรือหลุม และจึง เริ่มต้านทานกัน จากนี้ ค่าธรรมเนียมสายการบินเริ่มเคลื่อนจากพื้นที่ cocentration สูงต่อความเข้มข้นต่ำสุดที่ตั้ง ให้มีความเข้มข้นสม่ำเสมอทั่วตัวโดย กระบวนการนี้เรียกว่าแพร่ และมีอยู่เมื่อมีความเข้มข้น nonuniform ของสายการบินค่าธรรมเนียมในวัสดุ ในการเชื่อมต่อ p-n ด้านท มีจำนวนอิเล็กตรอนในขณะที่บน p อิเล็กตรอนด้านอาร์คชนกลุ่มน้อยในเลข ดังนั้น มีสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ถ้าตอนนี้เช่นวัสดุชนิดพีอยู่ภายใต้สนามไฟฟ้าโดยการใช้แรงดันไฟฟ้าแล้วหลุมย้ายเข้าไปอยู่ในวงความจุและส่วนใหญ่จะเป็นผู้รับผิดชอบสำหรับการนำ ดังนั้น
การนำ 1.10.1 ใน P-Type Semiconductor
รูป 1.13 การนำวัสดุชนิดพีการนำปัจจุบันในวัสดุชนิดพีเป็นส่วนใหญ่เนื่องจากหลุม อิเล็กตรอนอิสระนอกจากนี้ยังมีอยู่ในวงการนำ แต่น้อยมากในจำนวน หลุมดังนั้นผู้ให้บริการส่วนใหญ่ในขณะที่อิเล็กตรอนเป็นพาหะของชนกลุ่มน้อยในวัสดุชนิดพี การนำวัสดุชนิดพีแสดงในรูป 1.13. 1.11 PN สนธิสองประเภทของวัสดุคือ P-ชนิดและชนิดเอ็นจะรวมกันทางเคมีด้วยเทคนิคการผลิตพิเศษในรูปแบบทางแยก PN ชุมทาง PN รูปแบบอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่นิยมเรียกว่าไดโอด ไดโอดเป็นองค์ประกอบพื้นฐานของจำนวนของวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้นความรู้ของทางแยก PN และพฤติกรรมของมันเป็นสิ่งสำคัญมากในการทำความเข้าใจการทำงานของจำนวนของวงจรอิเล็กทรอนิกส์โปรแกรมประยุกต์และอุปกรณ์. ขอให้เราศึกษาแรกคุณสมบัติของทางแยก PN เป็นกลาง. 1.11.1 เป็นกลาง PN สนธิถ้าวัสดุที่กำหนดถ้า ยาสลบไม่สม่ำเสมอแล้วที่หนึ่งสถานที่จำนวนมากของผู้ให้บริการที่มีอยู่ในขณะที่ค่าใช้จ่ายในสถานที่อื่น ๆ เล็ก ๆ จำนวนมากของผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายที่มีอยู่ ในผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายสูงในพื้นที่ความเข้มข้นให้บริการค่าใช้จ่ายทั้งหมดเป็นของประเภทที่คล้ายกันทั้งอิเล็กตรอนหรือหลุมและด้วยเหตุนี้เริ่มต้นการขับไล่กัน เนื่องจากนี้ผู้ให้บริการคิดค่าบริการเริ่มต้นที่จะย้ายออกจากพื้นที่อัพ Concentration สูงต่อพื้นที่ความเข้มข้นต่ำเพื่อให้บรรลุความเข้มข้นสม่ำเสมอทั่วภัณฑ์ กระบวนการนี้เรียกว่าการแพร่กระจายและมีอยู่เมื่อมีความเข้มข้นไม่สม่ำเสมอของผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายในวัสดุ ในทางแยก PN ด้านทมีจำนวนมากของอิเล็กตรอนในขณะที่อิเล็กตรอนด้านพีอาร์ของชนกลุ่มน้อยในจำนวน จึงมีสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ถ้าตอนนี้วัสดุพีดังกล่าวอยู่ภายใต้สนามไฟฟ้า โดยใช้แรงดันแล้วหลุมย้ายใน 2 วง และรับผิดชอบ ในส่วนจังหวะการเต้นของหัวใจ ดังนั้น การ 1.10.1 พีสารกึ่งตัวนำ

ในรูปร้อยละ 1.13 ในพี

ปัจจุบันวัสดุที่มีในพีวัสดุเด่นจากหลุมอิเล็กตรอนอิสระจะยังมีอยู่ในนำวงดนตรีแต่มากน้อยในหมายเลข ดังนั้นหลุมส่วนใหญ่ผู้ให้บริการในขณะที่อิเล็กตรอนส่วนน้อยๆในวัสดุพี . ผ่านในวัสดุพีแสดงในรูปที่ 1.13 .
1.11 p-n ชุมทาง
สองประเภทของวัสดุและเคมีทั่วไป คือ พี ผสมผสานกับเทคนิคการผลิตพิเศษในรูปแบบ p-n Junctionการแยกรูปแบบ p-n นิยมเรียกว่าอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไดโอด ไดโอดเป็นองค์ประกอบพื้นฐานของจำนวนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้นความรู้ของรอยต่อพีเอ็นที่เป็นสารกึ่งตัวนำและพฤติกรรมของมันเป็นสิ่งที่สำคัญมากในการทำความเข้าใจการดำเนินงานจำนวนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ โปรแกรมและอุปกรณ์ .
ให้เราศึกษาก่อนคุณสมบัติเป็นกลาง p-n Junction 1.11.1 p-n ชุมทาง

ไม่ฝักใฝ่ฝ่ายใดถ้าในที่ให้วัสดุ ถ้าเติมไม่สม่ำเสมอแล้วที่เดียวขนาดใหญ่จำนวนประจุพาหะอยู่ในขณะที่สถานที่อื่น ๆ จำนวนน้อย คิดๆอยู่ ในพื้นที่รับผิดชอบของผู้ให้บริการผู้ให้บริการสูง , ค่าใช้จ่ายทั้งหมดของประเภทที่คล้ายกันทั้งอิเล็กตรอนหรือหลุม แล้วจึงเริ่มขับไล่กัน เนื่องจากนี้คิดค่าบริการผู้ให้บริการเริ่มย้ายจากพื้นที่ไปยังพื้นที่ที่ความเข้มข้นต่ำ สูง หนัก เพื่อให้ได้ความเข้มข้นสม่ำเสมอทั่วเนื้อ . กระบวนการนี้เรียกว่าการกระจายและที่มีอยู่เมื่อมีความเข้มข้นรวมของประจุพาหะในวัสดุ ใน p-n Junction ในท ด้านมีจํานวนอิเล็กตรอนในขณะที่อิเล็กตรอน P ข้างอาร์คส่วนน้อยในหมายเลข จึงมีสูง