The depositions were carried out at

The depositions were carried out at a substrate temperature of 300 K followed by
in situ deposition of Au contacts (thickness ∼40 μg/cm2) on CoPc
films by thermal evaporation without exposing the films to atmosphere

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Depositions เอาการดำเนินการที่พื้นผิวอุณหภูมิ 300 K ตามด้วยสะสมในแหล่งกำเนิดของรายชื่อ Au (ความหนา ∼40 ไมโครกรัม/cm2) ใน CoPcภาพยนตร์ โดยระเหยความร้อนโดยที่ไม่ฟิล์มบรรยากาศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สะสมได้ดำเนินการที่อุณหภูมิพื้นผิวของ 300 K ตามด้วย
ในการสะสมแหล่งกำเนิดของการติดต่อ Au (ความหนา ~40 g / cm2) บน CoPc
ภาพยนตร์โดยการระเหยความร้อนโดยไม่ต้องเปิดเผยภาพยนตร์สู่ชั้นบรรยากาศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดย Depositions ทดลองที่พื้นผิวอุณหภูมิ 300 K ตามด้วยในแหล่งกำเนิดสะสมติดต่อ AU ( ความหนา∼ 40 μ g / cm2 ) copcภาพยนตร์โดยความร้อนระเหยสู่บรรยากาศโดยไม่เปิดเผยฟิล์ม