2. Field Threshold Implant and Fiel

2. Field Threshold Implant and Field Oxidation [Fig. 4.17(b)]. Nitride (Si3N4) is deposited, masked, then etched. The etched nitride regions define the location of the field threshold ion plant [Fig. 4.17(b)] and the locations where oxide Si02 is permitted to grow during field oxidation [Fig. 4.17(c)]. Areas where nitride remains mask (prevent) oxide growth. These regions are where transistors will be built. The thick (approximately 6000 A) field oxide isolates adjacent transistors in ord

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. ฟิลด์ขีดจำกัดเทียมและฟิลด์ออกซิเดชัน [มะเดื่อ 4.17(b)] ไนไตรด์ (Si3N4) ฝาก สวมหน้ากาก แล้วแกะสลัก ภูมิภาคไนไตรด์สลักกำหนดตำแหน่งของฟิลด์ขีดจำกัดไอออนพืช [มะเดื่อ 4.17(b)] และตำแหน่งที่ออกไซด์ Si02 สามารถเติบโตในช่วงฟิลด์ออกซิเดชัน [มะเดื่อ 4.17(c)] พื้นที่ที่ไนไตรด์ยังคง หน้ากาก (ป้องกัน) ออกไซด์เติบโต ภูมิภาคเหล่านี้มีที่จะสร้างทรานซิสเตอร์ หนา (ประมาณ 6000 A) ออกไซด์ฟิลด์แยกติดกับทรานซิสเตอร์ใน ord

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. สนามเกณฑ์เทียมและสนามออกซิเดชัน [รูป 4.17 (ข)] ไนไตรด์ (Si3N4) เป็นเงินฝาก, หน้ากากฝังแล้ว ภูมิภาคไนไตรด์ฝังกำหนดสถานที่ตั้งของสนามพืชไอออนเกณฑ์ [รูป 4.17 (ข)] และสถานที่ที่ Si02 ออกไซด์จะได้รับอนุญาตที่จะเติบโตในช่วงการเกิดออกซิเดชันฟิลด์ [รูป 4.17 (c)] พื้นที่ที่ยังคงไนไตรด์หน้ากาก (ป้องกัน) การเจริญเติบโตออกไซด์ บริเวณนี้เป็นที่ที่ทรานซิสเตอร์จะถูกสร้างขึ้น ความหนา (ประมาณ 6000) ออกไซด์ฟิลด์แยกทรานซิสเตอร์ติดกันใน ORD

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . ด้านเกณฑ์เทียมและสนามออกซิเดชัน [ รูปที่ 4.17 ( B ) ] ไนไตรด์ ( Si3N4 ) ฝาก สวมหน้ากาก แล้วฝัง . ฝังไนไตรด์ภูมิภาคกำหนดตำแหน่งของฟิลด์ของไอออนพืช [ รูปที่ 4.17 ( B ) ] และสถานที่ออกไซด์ si02 ได้รับอนุญาตให้เติบโตในด้านออกซิเดชัน [ รูปที่ 4.17 ( C ) ] พื้นที่ที่ยังคงรูปแบบการด์ ( ป้องกัน ) ออกไซด์ ภูมิภาคเหล่านี้ที่ทรานซิสเตอร์จะถูกสร้างขึ้น ความหนา ( ประมาณ 6000 ) สนามไอโซเลทที่อยู่ในใบสั่งแบบออกไซด์