Ionised physical vapour deposition

Ionised physical vapour deposition (IPVD) is a plasma-based thin lm deposition technique in which the vapour of depositing material is dominated by ionic species rather than neutral particles [1]. Having high uxes of the ionic species, IPVD potentially oers technological advantages over conventional physical vapour depositions.
Firstly, depositing ions can be collimated by the plasma sheath resulting in anisotropic
deposition for lling vias and trenches in micro-electronic fabrication. Secondly, bombardment by depositing ions can enhance the surface mobility of a depositing material leading to a denser microstructure and higher adhesion for tribological coatings. Finally, the kinetic energy of depositing ions can be controlled by biasing the substrate,enabling one to adjust the properties of the deposited film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมจริงไอ ionised (IPVD) เป็นเทคนิคหนึ่งสะสมใช้พลาสม่า lm บางที่ซึ่งไอของฝากวัสดุถูกครอบงำ ด้วย ionic พันธุ์แทนที่เป็นอนุภาคที่เป็นกลาง [1] มี uxes สูงชนิด ionic, IPVD อาจ oสกู๊ปประโยชน์เทคโนโลยีผ่านทางกายภาพปกติ vapour depositions.
Firstly สามารถ collimated ฝากกัน โดย sheath พลาสมาใน anisotropic
สะสม lling vias และ trenches ในการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ได้ ประการที่สอง ระดมยิง โดยฝากกันสามารถเพิ่มการเคลื่อนไหวพื้นผิวของวัสดุ depositing ที่นำไปต่อโครงสร้างจุลภาค denser และการยึดเกาะสูงขึ้นสำหรับเคลือบ tribological สุดท้าย พลังงานจลน์ของฝากกันที่สามารถควบคุมได้ โดย biasing พื้นผิว การเปิดใช้งานการปรับปรุงคุณสมบัติของ lm สายนำฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึมไอน้ำทางสะสม (IPVD) เป็นพลาสม่าที่ใช้เทคนิคการสะสม lm ความบางที่ไอของวัสดุฝากที่ถูกครอบงำด้วยอิออนชนิดมากกว่าอนุภาคที่เป็นกลาง [1] มี UXES สูงของสายพันธุ์อิออน IPVD อาจ o? ERS ข้อได้เปรียบทางด้านเทคโนโลยีกว่าเดิม depositions ไอน้ำทาง
ประการแรกไอออนฝากสามารถรังสีโดยปลอกพลาสม่าที่เกิดขึ้นในทิศทาง
การสะสมสำหรับจุดแวะ lling และสนามเพลาะในการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ประการที่สองการโจมตีโดยการฝากไอออนสามารถเพิ่มความคล่องตัวพื้นผิวของวัสดุที่นำไปสู่การฝากจุลภาคหนาแน่นและการยึดเกาะที่สูงขึ้นสำหรับการเคลือบ tribological สุดท้ายพลังงานจลน์ของฝากไอออนสามารถควบคุมโดย biasing พื้นผิว, การช่วยให้หนึ่งในการปรับคุณสมบัติของลูเมนไฟฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ionised ทางกายภาพไอคำให้การของพยาน ( ipvd ) เป็นพลาสมาโดยบาง  โดยเทคนิคการเคลือบแบบที่ไอของการฝากวัสดุเป็น dominated โดยไอออนชนิดมากกว่าเป็นกลางอนุภาค [ 1 ] มีสูง uxes ชนิด Ionic ipvd อาจ O  ERS เทคโนโลยีข้อดีกว่าปกติไอทางกายภาพ Depositions .
ก่อนอื่นฝากไอออนสามารถให้โดยพลาสมาที่เกิดในทิศทางของปลอก
สำหรับ  lling Vias และสนามเพลาะในการผลิตอิเล็กทรอนิกส์ ไมโคร ประการที่สอง การทิ้งระเบิดโดยการฝากไอออนสามารถเพิ่มความคล่องตัวของวัสดุพื้นผิว - สู่โครงสร้างจุลภาคและการยึดเกาะสูงเคลือบหนาแน่นสำหรับ tribological . ในที่สุดพลังงานจลน์ของการฝากไอออนสามารถควบคุมได้โดยการขยายพื้นผิวช่วยให้หนึ่งเพื่อปรับคุณสมบัติของฝาก  fi LM .