Etch selectivity and etch rateThe t

Etch selectivity and etch rate
The trial # 1 (SF6) versus the trial# 3 (CF4) in table1 at the coil power 500W and platen power at 550W, it was found that SF6 plasma provide a lower etching rate (~ 2.8 x) and a lower etch selectivity (~1.38 x) compare to CF4 plasma at the same setting process. The huge different of the etching rate between these two trials can be explained via the using different kind of plasma. While the plasma was forming, it would contain the etchant ion species such as SFx+ (x = 0-5) positive ions and the important negative ions including SF6 -, SF5- and F- [9]. While CF4 plasma was forming, it should contain with positive CF4+, CF3+, CF2+, CF+, C2+, F+ and negative ion F-. The authors believed that the CF4 plasma would contain much more positive ion species which were responsible for physical etching (sputtering) than the SF6 plasma. So it could lead to the higher etching rate of CF4 plasma. The higher etching rate will not occur only on AlTiC substrate but also on the metal NiCr mask. The amount of the NiCr removal in CF4 plasma is higher than in SF6 plasma about 2 times but the amount of the metal mask removal is still lower than the amount of AlTiC substrate removal (2.8 times) so eventually the using the CF4 plasma provides a higher etch selectivity about 1.38 times over than using the SF6 plasma.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีกัด และกัดอัตราการทดลอง#1 (SF6) เมื่อเทียบกับการทดลอง # 3 (CF4) ใน table1 ที่ม้วนไฟฟ้า 500W และพลังงานบนแท่นกระจกที่ 550W พบว่าพลาสมา SF6 มีอัตรากัดล่าง (~ 2.8 x) และต่ำกว่าการกัดใว (~1.38 x) เปรียบเทียบกับพลาสม่า CF4 ที่กระบวนการตั้งค่าเดียวกัน ใหญ่แตกต่างของอัตราการกัดระหว่างสองทดลองที่สามารถอธิบายได้อย่างง่าย ๆ ด้วยการใช้แตกต่างกันชนิดของพลาสม่าได้ ในขณะที่พลาสม่าจะถูกขึ้นรูป มันจะประกอบด้วยชนิดไอออน etchant เช่น SFx + (x = 0-5) ประจุบวกและประจุลบที่สำคัญได้แก่ SF6-, SF5 - และ F- [9] ในขณะที่พลาสม่า CF4 ถูกขึ้นรูป มันควรประกอบด้วย มีบวก CF4 + CF3 + CF2 + CF + C2 + F + และไอออนลบ F- ผู้เขียนเชื่อว่า พลาสม่า CF4 จะประกอบด้วยชนิดไอออนบวกอื่น ๆ อีกมากมายซึ่งรับผิดชอบจริงกัด (พ่น) กว่าพลาสมา SF6 ดังนั้น มันอาจกัดอัตราสูงกว่าพลาสม่า CF4 อัตราการกัดสูงจะไม่เกิดขึ้น บนพื้นผิว AlTiC แต่ บนหน้ากาก NiCr โลหะ จำนวนลบ NiCr ในพลาสม่า CF4 จะสูงกว่าในพลาสมา SF6 ประมาณ 2 ครั้งแต่จำนวนเอาหน้ากากโลหะยังคงต่ำกว่าจำนวนพื้นผิว AlTiC เอา (2.8 เท่า) ในที่สุดการใช้พลาสมา CF4 ให้มากกัดใวประมาณ 1.38 เท่ามากกว่าใช้พลาสมา SF6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กัดการเลือกและอัตราการกัดการทดลอง # 1 (SF6) เมื่อเทียบกับการพิจารณาคดีที่ 3 (CF4) ใน table1 ที่ 500W พลังงานขดลวดและอำนาจแผ่นที่ 550W มันก็พบว่าพลาสม่า SF6 ให้อัตราการแกะสลักที่ต่ำกว่า (~ 2.8 x) และ หัวกะทิจำหลักต่ำ (~ 1.38 x) เปรียบเทียบกับพลาสม่า CF4 ในขั้นตอนการตั้งค่าเดียวกัน
แตกต่างกันมากของอัตราการแกะสลักระหว่างทั้งสองการทดลองสามารถอธิบายได้ผ่านการใช้ชนิดที่แตกต่างของพลาสม่า ในขณะที่พลาสม่าที่ถูกขึ้นรูปมันจะมีไอออน etchant ชนิดเช่น SFX + (x = 0-5) ประจุบวกและประจุลบที่สำคัญรวมทั้ง SF6 - SF5- และ F- [9] ในขณะที่พลาสม่า CF4 ถูกขึ้นรูปมันควรจะมีบวกกับ CF4 + CF3 + CF2 + CF + C2 + F + และไอออนลบ F- ผู้เขียนเชื่อว่าพลาสม่า CF4 จะมีชนิดไอออนบวกอื่น ๆ อีกมากมายที่มีความรับผิดชอบสำหรับการแกะสลักทางกายภาพ (สปัตเตอร์) กว่าพลาสมา SF6 ดังนั้นจึงอาจนำไปสู่อัตราการแกะสลักที่สูงขึ้นของพลาสม่า CF4 อัตราการแกะสลักที่สูงขึ้นจะไม่ได้เกิดขึ้นเฉพาะบนพื้นผิว Altic แต่ยังเกี่ยวกับหน้ากาก NiCr โลหะ ปริมาณของการกำจัด NiCr ในพลาสมา CF4 สูงกว่าในพลาสมา SF6 ประมาณ 2 ครั้ง แต่ปริมาณของการกำจัดหน้ากากโลหะยังคงต่ำกว่าจำนวนเงินของการกำจัดสารตั้งต้น Altic (2.8 เท่า) เพื่อให้ในที่สุดโดยใช้พลาสม่า CF4 ให้สูงขึ้น กัดการเลือกเกี่ยวกับ 1.38 ครั้งในช่วงกว่าการใช้พลาสม่า SF6

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การกัดกร่อนและอัตราการกัด
# 1 ( SF6 ) เมื่อเทียบกับตัวอย่าง# 3 ( CF4 ) ใน table1 ที่พลังและอำนาจในการม้วน 500w 550w พบว่าพลาสมา SF6 ให้อัตราการลดลง ( ~ 2.8 x ) และลดการกัดกร่อน ( ~ 1.38 x ) เปรียบเทียบกับ CF4 พลาสมา ในกระบวนการการตั้งค่าเดียวกันความแตกต่างของการเท่ากันระหว่างสองการทดลองสามารถอธิบายผ่านการใช้ชนิดที่แตกต่างกันของพลาสมา ขณะที่ระดับน้ำขึ้น มันจะมี etchant ไอออนชนิดเช่น SFX ( x = 1 ) ประจุบวก และประจุลบที่สำคัญรวมทั้ง SF6 - ภูมิ - F - [ 9 ] ในขณะที่ CF4 พลาสมาที่ถูกสร้างนั้น ควรมี cf3 CF4 , บวก , cf2 , CF , C2 ,F และไอออนลบ F - ผู้เขียนเชื่อว่า CF4 พลาสมาจะประกอบด้วยมากบวกมากขึ้นไอออนชนิดซึ่งรับผิดชอบการทางกายภาพ ( ทำงาน ) กว่า SF6 พลาสมา ดังนั้นมันอาจจะสูงกว่าอัตราการกัดของ CF4 พลาสมา สูงกว่าอัตราการกัดจะไม่เกิดขึ้นเฉพาะใน altic พื้นผิวแต่ยังบนผิวโลหะหน้ากากปริมาณของ NiCr กำจัด CF4 พลาสมาสูงกว่าในพลาสมา SF6 ประมาณ 2 ครั้ง แต่จำนวนของรูปแบบการกำจัดโลหะยังต่ำกว่าปริมาณการใช้ altic ( 2.8 ครั้ง ) ดังนั้นในที่สุดการใช้พลาสมามีการจำหลัก CF4 ที่สูงประมาณ 1.38 เท่ามากกว่าการใช้พลาสมา SF6 .