IntroductionMultilayer actuators (M

Introduction
Multilayer actuators (MLAs) become increasingly importantin high precision mechatronic systems [1,2]. Currently most MLAs adopt expensive AgPd alloys as internal electrodes due to their thermal stability between piezoelectric ceramic layers throughout high temperature firing process. Provided that low temperature co-firing of piezoceramic/metal multilayer laminates is established without significant degradation in piezoelectric properties, a cheaper conductor such as silver or low Pd concentration alloy can be used as an inner electrode material for low cost MLAs [3,4].Recently lead-free piezoelectric ceramics are extensively explored to expel environmentally harmful PZT-based ceramics that have been predominantly used as piezoelectric sensors and actuators last five decades. Among various candidates, Bi-based ceramics now attract great attention because of their giant field-induced strains of 400–614 pm/V[5–8]. However, Bi-based systems require a high sintering temperature (Ts) over 1150 8C for sufficient densification. On the other hand CuO was known as a good sintering aid for lowering Ts in case of PZT-based ceramics [9] and KNN ceramics [10,11] while its effect on the sintering behavior of Bibased ceramics has been little reported so far. Therefore this study investigates the sintering behavior and strain properties of Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3 (BNKT) ceramics co-doped with CuO and Nb2O5. In this work, the Na/K ratio was chosen as 82/18 because Sasaki et al. [12] reported that the piezoelectric properties reach highest when x = 0.16–0.20 in(1 - x)(Bi0.5Na0.5)TiO3–x(Bi0.5K0.5)TiO3 ceramics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนะนำMultilayer actuators (MLAs) become increasingly importantin high precision mechatronic systems [1,2]. Currently most MLAs adopt expensive AgPd alloys as internal electrodes due to their thermal stability between piezoelectric ceramic layers throughout high temperature firing process. Provided that low temperature co-firing of piezoceramic/metal multilayer laminates is established without significant degradation in piezoelectric properties, a cheaper conductor such as silver or low Pd concentration alloy can be used as an inner electrode material for low cost MLAs [3,4].Recently lead-free piezoelectric ceramics are extensively explored to expel environmentally harmful PZT-based ceramics that have been predominantly used as piezoelectric sensors and actuators last five decades. Among various candidates, Bi-based ceramics now attract great attention because of their giant field-induced strains of 400–614 pm/V[5–8]. However, Bi-based systems require a high sintering temperature (Ts) over 1150 8C for sufficient densification. On the other hand CuO was known as a good sintering aid for lowering Ts in case of PZT-based ceramics [9] and KNN ceramics [10,11] while its effect on the sintering behavior of Bibased ceramics has been little reported so far. Therefore this study investigates the sintering behavior and strain properties of Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3 (BNKT) ceramics co-doped with CuO and Nb2O5. In this work, the Na/K ratio was chosen as 82/18 because Sasaki et al. [12] reported that the piezoelectric properties reach highest when x = 0.16–0.20 in(1 - x)(Bi0.5Na0.5)TiO3–x(Bi0.5K0.5)TiO3 ceramics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทนำ
หลายตัวกระตุ้น (ปิดปากให้สนิท) กลายเป็น importantin มากขึ้นความแม่นยำสูงระบบเมคคาทรอนิคส์ [1,2] ปัจจุบันปิดปากให้สนิทที่สุดนำมาผสม AgPd ราคาแพงเป็นขั้วไฟฟ้าภายในเนื่องจากเสถียรภาพทางความร้อนของพวกเขาระหว่างชั้นเซรามิก piezoelectric ตลอดกระบวนการการเผาที่อุณหภูมิสูง โดยมีเงื่อนไขว่าอุณหภูมิต่ำร่วมการยิงของ piezoceramic / โลหะหลายลามิเนตจะจัดตั้งขึ้นโดยไม่ต้องย่อยสลายอย่างมีนัยสำคัญในคุณสมบัติของ piezoelectric, ตัวนำที่ถูกกว่าเช่นเงินหรือโลหะผสมความเข้มข้นต่ำ Pd สามารถนำมาใช้เป็นวัสดุอิเล็กโทรภายในสำหรับปิดปากให้สนิทต้นทุนต่ำ [3,4] .Recently ตะกั่วเซรามิก piezoelectric มีการสำรวจอย่างกว้างขวางในการขับไล่เซรามิก PZT ตามที่เป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อมที่ได้รับส่วนใหญ่ใช้เป็นเซ็นเซอร์ piezoelectric และกระตุ้นช่วงห้าทศวรรษที่ผ่านมา ในบรรดาผู้สมัครต่าง ๆ , เซรามิก Bi ตามขณะนี้ดึงดูดความสนใจมากเพราะสายพันธุ์ข้อมูลที่เกิดขึ้นของพวกเขายักษ์ 400-614 PM / V [5-8] แต่ระบบ Bi-based ต้องใช้อุณหภูมิเผาสูง (TS) กว่า 1,150 8C สำหรับ densification เพียงพอ ในทางตรงกันข้ามออกไซด์เป็นที่รู้จักกันเป็นตัวช่วยที่ดีสำหรับการเผาลด Ts ในกรณีของเซรามิก PZT ตาม [9] และเซรามิก KNN [10,11] ในขณะที่ผลกระทบต่อพฤติกรรมการเผาเซรามิก Bibased ได้รับรายงานเล็ก ๆ น้อย ๆ เพื่อให้ห่างไกล ดังนั้นการศึกษานี้สำรวจพฤติกรรมการเผาและความเครียดคุณสมบัติของ Bi0.5 (Na0.82K0.18) 0.5TiO3 (BNKT) เซรามิกร่วมเจือด้วยออกไซด์และ Nb2O5 ในงานนี้อัตราส่วนนา / K ได้รับเลือกเป็น 82/18 เพราะซาซากิ, et al [12] รายงานว่าคุณสมบัติ piezoelectric ถึงสูงสุดเมื่อ x = 0.16-0.20 (1 - x) (Bi0.5Na0.5) TiO3-X (Bi0.5K0.5) เซรามิก TiO3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แนะนำหลายตัวกระตุ้น ( MLAs ) กลายเป็น importantin มากขึ้นความละเอียดสูงเมคาทรอนิกส์ระบบ [ 2 ] ขณะนี้ส่วนใหญ่ MLAs รับผสม agpd แพงภายในขั้วไฟฟ้าจากของเสถียรภาพต่อความร้อนระหว่างชั้นเซรามิกเพียโซอิเล็กทริกตลอดกระบวนการเผาที่อุณหภูมิสูง ไว้ที่อุณหภูมิต่ำของ CO ยิง piezoceramic / โลหะหลายชั้นลามิเนตเป็นสำคัญในการก่อตั้งโดยคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริก เป็นคอนดักเตอร์ ราคาถูก เช่น เงิน หรือโลหะผสมของ PD ต่ำ สามารถใช้เป็นวัสดุขั้วไฟฟ้าภายในสำหรับค่าใช้จ่ายต่ำ MLAs [ 3 , 4 ] piezoelectric เซรามิกไร้สารตะกั่ว เมื่อเร็ว ๆ นี้อย่างกว้างขวาง โดยใช้วิธีที่เป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อมเซรามิค ที่ไล่ตามได้ โดนเด่นใช้เป็นเซ็นเซอร์ Piezoelectric และตัวกระตุ้นล่าสุดห้าทศวรรษที่ผ่านมา ของผู้สมัครต่างๆ บีใช้เซรามิกตอนนี้ดึงดูดความสนใจมากเพราะสนามยักษ์ของพวกเขาและสายพันธุ์ของ 400 –คุณ PM / v [ 5 – 8 ] อย่างไรก็ตาม บี ที่ใช้ระบบนี้ต้องเผาที่อุณหภูมิสูง ( TS ) กว่า 1150 8C สำหรับหนาแน่นเพียงพอ บนมืออื่น ๆเป็น 2 ( ที่รู้จักกันเป็นดี การเผา เพื่อช่วยเหลือลด TS ในกรณีของเซรามิกส์ที่เตรียม [ 9 ] และ [ 10,11 knn เซรามิกส์โดยในขณะที่ผลกระทบต่อพฤติกรรมการ bibased เซรามิกมีรายงานน้อยมาก ดังนั้น งานวิจัยนี้ศึกษาพฤติกรรมการเผาผนึกและคุณสมบัติของสายพันธุ์ของ bi0.5 ( na0.82k0.18 ) 0.5tio3 ( bnkt ) เครื่องเคลือบ Co และเจือด้วย 2 ( nb2o5 . ในงานนี้ , Na / K ) ถูกเลือกเป็น 82 / 18 เพราะซาซากิ et al . [ 12 ] รายงานว่าคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริกถึงสูงสุดเมื่อ x = 0.16 ) 0.20 ( 1 ) ( bi0.5na0.5 ) tio3 – X ( bi0.5k0.5 ) เครื่องเคลือบ tio3 .