Magnetron sputtering[36,77] is a pr

Magnetron sputtering[36,77] is a process by which the substrate to be coated is placed in a low-pressure chamber. The chamber is evacuated and suitable sputtering gases are introduced. The commonly used gases are oxygen and argon. A source for the TiO2 (also known as the target) is prepared by either compressing and sintering Ti powder or by using a Ti filament or bar. Magnets are placed on one side of the target. The distance between the target and the substrate is between 10 and 15 cm. A high d.c. voltage, usually in the order of a few thousand volts, is applied between the substrate and the target. A cyclical electromagnetic field (40 kHz-2.45 GHz)[36,77] is simultaneously applied to create plasma in the chamber. The Ti ions are transported from the target to the substrate under the effect of the applied potential.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Magnetron สปัตเตอร์ [36,77] เป็นกระบวนการที่พื้นผิวจะถูกเคลือบอยู่ในหอ low-pressure อพยพหอการค้า และก๊าซพ่นเหมาะจะนำมาใช้ ก๊าซที่ใช้โดยทั่วไปมีออกซิเจนและอาร์กอน แหล่งสำหรับ TiO2 (ยังเรียกว่าเป้าหมาย) เตรียม โดยการบีบอัด และการเผาผนึกผงตี้ หรือ โดยการใช้ใยตี้หรือบาร์ แม่เหล็กติดอยู่บนด้านหนึ่งของเป้าหมาย ระยะห่างระหว่างเป้าหมายกับพื้นผิวอยู่ระหว่าง 10 และ 15 ซม. ดีซี.แรงดันสูง ปกติกับกี่พันโวลต์ ใช้กับพื้นผิวและเป้าหมาย แบบแม่เหล็กไฟฟ้าเขต (40 kHz - 2.45 GHz) [36,77] พร้อมใช้สร้างพลาสม่าในห้อง กันตี้ถูกลำเลียงจากเป้าหมายพื้นผิวภายใต้ผลของการใช้ศักยภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Magnetron สปัตเตอร์ [36,77] เป็นกระบวนการที่พื้นผิวที่จะเคลือบอยู่ในห้องต่ำความดัน ห้องที่มีการอพยพและก๊าซสปัตเตอร์ที่เหมาะสมจะนำ ก๊าซที่ใช้กันทั่วไปมีออกซิเจนและอาร์กอน แหล่งที่มาสำหรับ TiO2 A (ที่เรียกกันว่าเป้าหมาย) จะถูกจัดเตรียมโดยการอัดและการเผาผง Ti หรือโดยการใช้เส้นใย Ti หรือแถบ แม่เหล็กจะถูกวางไว้บนด้านหนึ่งของเป้าหมาย ระยะห่างระหว่างเป้าหมายและพื้นผิวอยู่ระหว่าง 10 และ 15 ซม. แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงสูงมักจะอยู่ในคำสั่งของไม่กี่พันโวลต์ที่ถูกนำไปใช้ระหว่างพื้นผิวและเป้าหมาย สนามแม่เหล็กไฟฟ้าวงจร (40 เฮิร์ทซ์ 2.45-GHz) [36,77] ถูกนำไปใช้ในการสร้างพร้อมกันพลาสม่าในห้อง ไอออน Ti จะถูกส่งจากเป้าหมายกับพื้นผิวภายใต้ผลของการใช้ที่อาจเกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แมกนีตรอนสปัตเตอริง [ 36,77 ] คือกระบวนการที่พื้นผิวที่จะเคลือบอยู่ในความดันต่ำ ห้อง ห้องจะอพยพและก๊าซทำงานเหมาะสมจะแนะนำ ปกติใช้แก๊สออกซิเจนและก๊าซอาร์กอน แหล่งที่มาสำหรับ TiO2 ( เรียกว่าเป้าหมาย ) ที่เตรียมไว้ โดยการบีบอัดและการเผาผนึกผงหรือโดยการใช้ Ti Ti ไส้หลอดหรือบาร์แม่เหล็กจะวางอยู่บนด้านหนึ่งของเป้าหมาย ระยะห่างระหว่างเป้าหมายและพื้นผิวอยู่ระหว่าง 10 และ 15 เซนติเมตร แรงดันไฟฟ้า DC สูง มักจะอยู่ในลำดับที่ไม่กี่พันโวลต์ที่ใช้ระหว่างพื้นผิวและเป้าหมาย วัฏจักรสนามแม่เหล็กไฟฟ้า ( 40 khz-2.45 GHz ) [ 36,77 ] ใช้พร้อมกันเพื่อสร้างพลาสม่าในห้องTi ไอออนจะถูกขนส่งจากเป้าหมายเพื่อผิวภายใต้ผลกระทบของการใช้ศักยภาพ