The sensing element of chemiresisti

The sensing element of chemiresistive type sensors normally comprises of a
semiconducting material with high surface-to-volume ratio on a ceramic (glass) substrate
with ohmic contacts to measure the change in resistance/conductance. When, gas/volatile
organic compounds(VOC) samples interact on the surface of metal oxide semiconductor,
due to the combustion reaction that occurs with the oxygen species on the surface of
metal oxide particlesleads to change in resistance and forms the basic principle of
detection.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

องค์ประกอบตรวจจับของเซนเซอร์ชนิด chemiresistive โดยปกติประกอบด้วยการวัสดุโลหะที่ มีอัตราส่วนพื้นผิวระดับสูงบนพื้นผิวเซรามิก (แก้ว)มีการติดต่อแบบความต้านทานการวัดการเปลี่ยนแปลงความต้านทานและการนำพา เมื่อ ก๊าซ/ระเหยตัวอย่างอินทรีย์ compounds(VOC) โต้ตอบบนผิวของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์เนื่องจากปฏิกิริยาการเผาไหม้ที่เกิดขึ้นกับสายพันธุ์ออกซิเจนบนผิวโลหะออกไซด์ particlesleads การเปลี่ยนแปลงในความต้านทาน และหลักการพื้นฐานของรูปแบบการตรวจจับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

องค์ประกอบการตรวจจับของเซ็นเซอร์ประเภท chemiresistive ปกติประกอบด้วย
วัสดุสารกึ่งตัวนำมีอัตราส่วนพื้นสู่ปริมาณสูงในเซรามิก (แก้ว) สารตั้งต้น
ที่มีรายชื่อโอห์มมิกในการวัดการเปลี่ยนแปลงในการต้านทาน / conductance เมื่อแก๊ส / ระเหย
สารประกอบอินทรีย์ (VOC) ตัวอย่างโต้ตอบบนพื้นผิวของโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ที่
เกิดขึ้นจากปฏิกิริยาการเผาไหม้ที่เกิดขึ้นกับชนิดออกซิเจนบนพื้นผิวของ
particlesleads ออกไซด์ของโลหะมีการเปลี่ยนแปลงในการต่อต้านและรูปแบบหลักการพื้นฐานของ
การตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การตรวจวัดองค์ประกอบของเซ็นเซอร์ชนิด chemiresistive ปกติประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวสูงอัตราส่วนปริมาตรบนพื้นผิวเซรามิค ( แก้ว )ติดต่อกับค่าวัดการเปลี่ยนแปลงความต้านทาน / ความนำ . เมื่อก๊าซ / ไอระเหยสารประกอบอินทรีย์ ( VOC ) ตัวอย่างการโต้ตอบบนพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำออกไซด์โลหะเนื่องจากปฏิกิริยาสันดาปที่เกิดขึ้นกับชนิดออกซิเจนบนพื้นผิวของออกไซด์ของโลหะ particlesleads เปลี่ยนความต้านทานและรูปแบบหลักการพื้นฐานของการตรวจหา