Four identical power transistors wi

Four identical power transistors with aluminum casing are attached on one
side of a 1-cm-thick 20-cm 3 20-cm square copper plate (k 5 386 W/m·K) by
screws that exert an average pressure of 6 MPa (Fig. 3–18). The base area of
each transistor is 8 cm2, and each transistor is placed at the center of a 10-cm
3 10-cm quarter section of the plate. The interface roughness is estimated to
be about 1.5 mm. All transistors are covered by a thick Plexiglas layer, which is
a poor conductor of heat, and thus all the heat generated at the junction of the
transistor must be dissipated to the ambient at 20°C through the back surface
of the copper plate. The combined convection/radiation heat transfer coefficient
at the back surface can be taken to be 25 W/m2·K. If the case temperature of the transistor is not to exceed 70°C, determine the maximum power each
transistor can dissipate safely, and the temperature jump at the case-plate
interface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนบหนึ่งสี่ transistors พลังงานเหมือนกับท่ออลูมิเนียมด้านข้างของแผ่นสี่เหลี่ยมทองแดง 20 เซนติเมตร 1-ซม.หนา 20 ซม. 3 (k 5 386 W/m· K) โดยสกรูที่แรงดันมีค่าเฉลี่ยของแรง 6 (Fig. 3-18) บริเวณฐานของ8 cm2 เป็นทรานซิสเตอร์แต่ละ และทรานซิสเตอร์แต่ละอยู่ที่ 10 ซม.ส่วน 10 cm ไตรมาสที่ 3 ของแผ่น มีประเมินความหยาบของอินเตอร์เฟซประมาณ 1.5 มม.ได้ Transistors ทั้งหมดจะรวมอยู่ในชั้น Plexiglas หนา ซึ่งเป็นนำที่ดีของความร้อน และดังนั้นทั้งหมดความร้อนสร้างที่แยกการทรานซิสเตอร์ที่ต้อง dissipated ไปล้อมที่ 20° C ถึงผิวหลังของแผ่นทองแดง สัมประสิทธิ์การถ่ายโอนความร้อนการพารังสีรวมที่พื้นผิวด้านหลังสามารถนำจะ m2· ละ 25 W คุณถ้าอุณหภูมิกรณีของทรานซิสเตอร์ไม่ เกิน 70° C กำหนดอำนาจสูงสุดแต่ละทรานซิสเตอร์สามารถกระจายไปได้อย่างปลอดภัย และอุณหภูมิไปที่จานกรณีอินเตอร์เฟซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สี่ทรานซิสเตอร์เหมือนกันกับท่ออลูมิเนียมที่แนบมาในหนึ่งด้านข้างของ 1 ซม. หนา 20 ซม. 3 20 ซมตารางแผ่นทองแดง (k 5 386 W / m · K) โดยสกรูที่ออกแรงดันเฉลี่ยของ6 เมกะปาสคาล ( รูปที่. 3-18) พื้นที่ฐานของแต่ละทรานซิสเตอร์คือ 8 cm2 และแต่ละทรานซิสเตอร์จะอยู่ที่ศูนย์กลางของ 10 ซม 3 10 ซม. ส่วนในสี่ของจาน ความหยาบกร้านอินเตอร์เฟซที่คาดว่าจะอยู่ที่ประมาณ 1.5 มิลลิเมตร ทรานซิสเตอร์ทั้งหมดจะถูกปกคลุมด้วยชั้นเรียงรายหนาซึ่งเป็นตัวนำที่ดีของความร้อนและทำให้ทุกความร้อนที่เกิดที่สถานีชุมทางของทรานซิสเตอร์จะต้องกระจายไปโดยรอบที่20 ° C ผ่านพื้นผิวด้านหลังของแผ่นทองแดง การหมุนเวียนรวม / รังสีค่าสัมประสิทธิ์การถ่ายเทความร้อนที่พื้นผิวด้านหลังสามารถนำไปเป็น25 W / m2 · K หากอุณหภูมิกรณีของทรานซิสเตอร์เป็นไม่เกิน 70 องศาเซลเซียสกำหนดอำนาจสูงสุดในแต่ละทรานซิสเตอร์สามารถกระจายได้อย่างปลอดภัยและกระโดดอุณหภูมิกรณีแผ่นอินเตอร์เฟซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทรานซิสเตอร์ Power 4 เหมือนกันด้วยท่ออลูมิเนียมติดบนด้านหนึ่งของ 1-cm-thick 20 cm
3 20 ตร. ซม. แผ่นทองแดง ( K 5 386 W / m ด้วย K )
สกรูที่โหมความดันเฉลี่ย 6 เมก ( รูปที่ 3 ( 18 ) ฐานของทรานซิสเตอร์แต่ละพื้นที่
8 CM2 และแต่ละแบบจะอยู่ที่ศูนย์กลางของ 10 cm
3 ไตรมาส 10 ซม. ส่วนของจาน อินเตอร์เฟซที่ผิวประมาณ
ประมาณ 15 มิลลิเมตร ทรานซิสเตอร์ทั้งหมดถูกปกคลุมด้วยชั้นหนาแผ่นกระจกทนความร้อน ซึ่งเป็นคอนดักเตอร์ยากจน
ของความร้อน และทำให้ทุกคนมีความร้อนที่เกิดขึ้นบริเวณรอยต่อของทรานซิสเตอร์จะต้องกระจายไป
ที่ 20 องศา C อุณหภูมิผ่านผิวด้านหลัง
ของทองแดงแผ่น รวมการพารังสี
/ สัมประสิทธิ์การถ่ายเทความร้อนที่ผิวด้านหลังสามารถถ่ายได้ 25 W / m2 ด้วย Kถ้ากรณีอุณหภูมิของทรานซิสเตอร์จะไม่เกิน 70 องศา C , ตรวจสอบไฟฟ้าสูงสุดแต่ละ
ทรานซิสเตอร์สามารถกระจายได้อย่างปลอดภัย และอุณหภูมิการกระโดดที่กรณีจาน
อินเตอร์เฟซ