then 1 m thick photo resist spin-c

then 1 m thick photo resist spin-coating, prebaking and photolithography were carried out.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แล้วภาพหนา 1 เมตรต้านทาน เคลือบหมุน prebaking และ photolithography ได้ดำเนินการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แล้ว 1 เมตรหนาภาพต้านทานการหมุนเคลือบ prebaking photolithography และได้ดำเนินการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1  ม. หนารูปต่อต้านเคลือบหมุน prebaking 43 และพบว่า