is modelled as having ahigh resisti

is modelled as having a
high resistivity of 500–2000 Ωm. For the first set of measurements the
bulk resistivity beneath this high resistivity surface is around 50–60 Ωm,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตกแต่งให้เป็นความต้านทานไฟฟ้าสูง 500-2000 Ωm สำหรับชุดแรกของวัดนี้ความต้านทานไฟฟ้าจำนวนมากใต้ผิวสูงต้านทานนี้อยู่ที่ประมาณ 50-60 Ωm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ย่อมเป็นที่มี
ความต้านทานสูงของ 500-2000 Ωm สำหรับชุดแรกของการวัด
ความต้านทานเป็นกลุ่มอยู่ใต้พื้นผิวความต้านทานสูงนี้จะอยู่ที่ประมาณ 50-60 Ωm,

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คือจำลองเป็นมีความต้านทานสูง 500 – 2000 Ωเมตร สำหรับชุดแรกของการวัดที่ความต้านทานขนาดใหญ่ใต้พื้นผิวจำเพาะสูงนี่ประมาณ 50 – 60 Ω M