An n‑channel metal oxide semiconduc

An n‑channel metal oxide semiconductor (NMOS) logic device will be used to illustrate processing sequence
Sequence for NMOS ICs is less complex than for CMOS or bipolar technologies, although processes for these IC categories are similar
Starting substrate is a lightly doped p‑type silicon wafer, which will form the base of n‑channel transistor

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

n เป็นช่องทางโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (NMOS)
อุปกรณ์ตรรกะที่จะใช้ในการแสดงให้เห็นถึงลำดับการประมวลผลลำดับสำหรับNMOS ICs ที่มีความซับซ้อนน้อยกว่า CMOS หรือเทคโนโลยีที่มีสองขั้วแม้ว่ากระบวนการเหล่านี้ประเภท IC
ที่มีความคล้ายคลึงตั้งต้นเริ่มต้นเป็นยาเบาชนิดพีซิลิคอนเวเฟอร์ซึ่งจะเป็นฐานของทรานซิสเตอร์ n-ช่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็น n ‑โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ ( ช่อง nmos ) อุปกรณ์ตรรกะจะถูกใช้เพื่อแสดงให้เห็นถึงกระบวนการลำดับ
ลำดับสำหรับ nmos ICS จะซับซ้อนน้อยกว่าสำหรับ CMOS หรือไบโพลาร์เทคโนโลยี แม้ว่ากระบวนการในประเภท IC เหล่านี้จะคล้ายกัน
เริ่มตั้งต้นเป็นเบาด้วย P ‑ประเภทซิลิคอนเวเฟอร์ ซึ่งจะเป็นฐานของ‑ช่องทาง ทรานซิสเตอร์