Cu-Al-O thin films are deposited on

Cu-Al-O thin films are deposited on (0001) sapphire substrates by radio-frequency sputtering using an
AleCu mosaic target. The Cu/Al atomic ratio of as-deposited Cu-Al-O films is measured to be 1.1. After
deposition, the Cu-Al-O films are annealed at 600, 800, and 1000 C, respectively, for 1 h in a N2 atmosphere. The film crystal structure, electronic structure, valence band, and electrical properties are
studied. The as-deposited films are amorphous and films annealed at 600 C contain the crystallized CuO
phase; the structure becomes crystallized CuAlO2 after annealing at 800 C and 1000 C. The 800 C
annealed film grows along the (00l) plane. The crystallization decreases with the growth of the (012) and
(018) planes for films annealed at 1000 C. The resistivity values of the 800 C and 1000 C annealed films
were measured as 1.07 U-cm and 864.01 U-cm, respectively. The lower resistivity of the 800 C annealed
film is attributed to preferred (00l) growth orientation and a reduction of the energy band gap.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Cu-อัล-O ฟิล์มบางมีพื้นผิวที่แซฟไฟร์ฝากบน (0001) โดยสปัตเตอร์โดยใช้ความถี่วิทยุการAleCu กระเบื้องโมเสคเป้าหมาย อัตราส่วนอะตอม Cu/Al ของฝากเป็นภาพยนตร์ Cu-อัล-O วัดเป็น 1.1 หลังจากที่สะสม ฟิล์ม Cu-อัล-O จะอบ ที่ 600, 800, 1000 C ตามลำดับ สำหรับ h 1 ในบรรยากาศ N2 โครงสร้างผลึกฟิล์ม โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ วงวาเลนซ์ และคุณสมบัติทางไฟฟ้าศึกษา ฝากเป็นภาพยนตร์ที่มีสัณฐาน และภาพยนตร์อบที่ 600 C ประกอบด้วย crystallized CuOระยะ กลายเป็นการตกผลึกในโครงสร้าง CuAlO2 หลังจากการหลอมที่ 800 และ 1000 เซลเซียส 800 Cอบฟิล์มเติบโตตามแนวระนาบ (00l) การตกผลึกลดการเจริญเติบโตของ (012) และเครื่องบิน (018) สำหรับฟิล์มอบที่ 1000 c ค่าความต้านทานของ 800 C และ 1000 C อบฟิล์มถูกวัดเป็น 1.07 U-ซม.และ 864.01 U-ซม. ตามลำดับ ความต้านทานต่ำของ 800 C อบฟิล์มเกิดจากการปฐมนิเทศต้อง (00l) เจริญเติบโตและลดช่องว่างแถบพลังงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบาง cu-al-o จะฝากบนพื้นผิว ( 001 ) โดยการสปัตเตอริงโดยใช้ความถี่วิทยุ แซฟไฟร์alecu โมเสกเป้าหมาย จุฬาฯ / Al อัตราส่วนอะตอมของเงิน cu-al-o ภาพยนตร์วัดได้ 1.1 . หลังจากสะสม , cu-al-o ภาพยนตร์อบที่ 600 , 800 และ 1000 องศาเซลเซียส ) เป็นเวลา 1 ชั่วโมง ในบรรยากาศ 2 . ภาพยนตร์โครงสร้างผลึกโครงสร้าง 2 กลุ่มอิเล็กทรอนิกส์ และสมบัติทางไฟฟ้าเป็นศึกษา เป็นฟิล์มและอบฟิล์มไปฝากไว้ที่ประกอบด้วยผลึก 2 ( 600 องศาเซลเซียสเฟส โครงสร้างจะตกผลึก cualo2 เมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 800 องศาเซลเซียสและ 1 , 000 800 C Cอบฟิล์มเติบโตตาม ( 00l ) เครื่องบิน การตกผลึกลดลง มีการเจริญเติบโตของ ( 012 ) และ( 018 ) เครื่องบินภาพยนตร์อบ 1000 C . ค่าความต้านทานของ 800 องศาเซลเซียสและ 1 , 000 องศาเซลเซียส อบฟิล์มวัด u-cm 864.01 1.07 และ u-cm ตามลำดับ ลดความต้านทานของ 800 C อบภาพยนตร์จากที่ต้องการ ( 00l ) ทิศทางการเจริญเติบโตและการลดลงของกลุ่มพลังงานช่องว่าง