In this paper, the mechanism of the

In this paper, the mechanism of the RS effect in GO thin films has been investigated by macroscopic current–voltage and conducting atomic force microscopy (CAFM).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกระดาษนี้ ได้รับการตรวจสอบกลไกของผล RS ในฟิล์มบางไปตามกระแสแรงดันไฟฟ้าด้วยตาเปล่า และทำอะตอมบังคับกล้องจุลทรรศน์ (CAFM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกระดาษนี้กลไกของผลกระทบที่อาร์เอสในภาพยนตร์บาง GO ได้รับการตรวจสอบโดยเปล่าปัจจุบันแรงดันและการดำเนินการใช้กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (CAFM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้ กลไกของอาร์เอส มีผลไปในฟิล์มบางได้รับการสอบสวนโดยมีแรงดัน–ปัจจุบันดำเนินการกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม ( cafm )