The current flow in lightly doped m

The current flow in lightly doped mono-crystalline silicon structures designed for use as low
cost secondary reference linewidth standards is investigated. It is demonstrated that surface
charge can have a significant effect upon the measurements of linewidth test structures. The
effect of surface charge on Greek cross structures is also investigated and the
influence of a gate electrode on the extracted value of sheet resistance demonstrated. It is
confirmed that the resulting uncertainty in both of these measurements can be simply
overcome by degenerately doping the silicon during the fabrication process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนปัจจุบันในโครงสร้างโมโนผลึกซิลิคอน doped เบาที่ออกแบบสำหรับใช้เป็นต่ำตรวจสอบต้นทุนอ้างอิงรอง linewidth มาตรฐาน แต่จะแสดงพื้นผิวที่ค่าธรรมเนียมสามารถมีผลอย่างมีนัยสำคัญตามขนาดของโครงสร้างทดสอบ linewidth ที่นอกจากนี้ยังมีการตรวจสอบผลของพื้นผิวค่า < 110 > กรีกข้ามโครงสร้างและอิทธิพลของไฟฟ้าประตูค่าแยกแผ่นต้านสาธิต มันเป็นยืนยันว่า ความไม่แน่นอนเกิดขึ้นในทั้งสองวัดนี้ได้เพียงเอาชนะ โดย degenerately โดปปิงค์ซิลิคอนในระหว่างกระบวนการผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การไหลของกระแสในเจือเบาโมโนผลึกซิลิคอนโครงสร้างที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่ต่ำ
ค่าใช้จ่ายมาตรฐาน linewidth อ้างอิงรองสอบสวน มันเป็นเรื่องที่แสดงให้เห็นว่าพื้นผิวที่
เสียค่าใช้จ่ายจะมีผลอย่างมีนัยสำคัญเมื่อวัดของโครงสร้างการทดสอบ linewidth
ผลกระทบของค่าใช้จ่ายบนพื้นผิว <110> โครงสร้างข้ามกรีกสอบสวนยังและ
อิทธิพลของอิเล็กโทรดประตูกับค่าสกัดของความต้านทานแผ่นแสดงให้เห็นถึง มันเป็นเรื่องที่
ยืนยันว่าความไม่แน่นอนที่เกิดขึ้นทั้งในวัดเหล่านี้สามารถเพียงแค่
เอาชนะโดย degenerately ยาสลบซิลิกอนในระหว่างขั้นตอนการผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระแสไหลเบาๆเจือโมโนซิลิคอนผลึกโครงสร้างที่ออกแบบมาเพื่อใช้เป็นค่าอ้างอิงมาตรฐานระดับต่ำ
โฟโตลูมิเนสเซนต์ถูกสืบสวน มันแสดงว่า ประจุพื้นผิว
สามารถมีผลอย่างมากต่อโครงสร้างการทดสอบการวัดโฟโตลูมิเนสเซนต์ .
ผลของประจุที่ผิวบน < 110 > กรีกข้ามโครงสร้างนี้และ
อิทธิพลของขั้วเกทแยกค่าของความต้านทานแผ่นอีกด้วย มันคือ
ยืนยันว่า ความไม่แน่นอนในการวัดผลทั้งของเหล่านี้สามารถเป็นเพียงแค่
เอาชนะโดย degenerately โด๊ป ซิลิคอน ในระหว่างกระบวนการผลิต