โดยสรุปวู๊ดเซรามิกที่ได้มีคุณสมบัติ

โดยสรุปวู๊ดเซรามิกที่ได้มีคุณสมบัติเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ (semiconductor materials) โดยค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าที่ทดสอบได้อยู่ระหว่าง 5.00 x 102 – 1.11 x 108 Ω-cm ซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุกึ่งตัวนำ ยกเว้นวู๊ดเซรามิกที่ผ่านการคาร์บอนไนเซชันที่อุณหภูมิ 600 °C และอัตราการเพิ่มอุณหภูมิที่ 10 °C/min ที่ให้ค่าเท่ากับ 6.40 x 109 Ω-cm ซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุที่เป็นฉนวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าที่ทดสอบได้อยู่ระหว่างโดยสรุปวู๊ดเซรามิกที่ได้มีคุณสมบัติเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ (วัสดุสารกึ่งตัวนำ) 5.00 x 102-1.11 x 108 ซม.Ωซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุกึ่งตัวนำยกเว้นวู๊ดเซรามิกที่ผ่านการคาร์บอนไนเซชันที่อุณหภูมิ 600 ° C และอัตราการเพิ่มอุณหภูมิที่ 10 ° C/นาที ที่ให้ค่าเท่ากับ 6.40 x 109 ซม.Ωซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุที่เป็นฉนวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(วัสดุเซมิคอนดักเตอร์) 5.00 x 102-1.11 x 108 Ωซมซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุกึ่งตัวนำ 600 ° C และอัตราการเพิ่มอุณหภูมิที่ 10 ° C / นาทีที่ให้ค่าเท่ากับ 6.40 x 109 Ωซมซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุที่เป็นฉนวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยสรุปวู๊ดเซรามิกที่ได้มีคุณสมบัติเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ ( วัสดุสารกึ่งตัวนำ ) โดยค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าที่ทดสอบได้อยู่ระหว่าง 5.00 x 102 x 108 Ω– 1.11 - ซม. ซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุกึ่งตัวนำยกเว้นวู๊ดเซรามิกที่ผ่านการคาร์บอนไนเซชันที่อุณหภูมิ 600 ° C และอัตราการเพิ่มอุณหภูมิที่ 10 ° C / นาทีที่ให้ค่าเท่ากั " Ω 0.20 x 109 ซึ่งอยู่ในช่วงของวัสดุที่เป็นฉนวน - ซม.