6.3.3. AlN thin film deposited on A

6.3.3. AlN thin film deposited on Au/Ti/Al2O3/Si
To provide an effective insulation, Al2O3 film of 300 nm thick was deposited on the Si wafer using Telemark e-beam dielectric evaporator. After the deposition, the complete sensor unit were fabricated using the same parameters as described earlier. Fig. 7(a)shows that the AlN thin film has no cracks when deposited at the Au-Al2O3 step edge. Fig. 7(b) shows that the top electrode deposition is conformal over the AlN surface. The electrical resistance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

6.3.3 ฟิล์มบาง AlN ฝากใน Au/ตี้/Al2O3/ศรีเพื่อให้เป็นฉนวนที่มีประสิทธิภาพ ฟิล์ม Al2O3 300 nm หนาถูกฝากบนแผ่นเวเฟอร์ซิที่ใช้ Telemark อีคาน evaporator เป็นฉนวน หลังจากสะสม หน่วยเซ็นเซอร์สมบูรณ์ได้หลังสร้างโดยใช้พารามิเตอร์เดียวกันตามที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ (ก) 7 fig. แสดงว่า AlN ฟิล์มบางมีรอยแตกไม่เมื่อฝากขอบขั้นตอน Au-Al2O3 Fig. 7(b) แสดงสะสมไฟฟ้าด้านบนว่า conformal มากกว่าผิว AlN ความต้านทานไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

6.3.3 ภาพยนตร์ ALN บางวางลงบน Au / ตี / Al2O3 /
ศรีเพื่อให้มีประสิทธิภาพฉนวนกันความร้อน, ฟิล์ม Al2O3 300 นาโนเมตรหนาถูกวางบนแผ่นเวเฟอร์ศรีโดยใช้เทเลอีคานระเหยอิเล็กทริก หลังจากสะสมหน่วยเซ็นเซอร์สมบูรณ์ถูกประดิษฐ์โดยใช้พารามิเตอร์เดียวกับที่อธิบายไว้ก่อนหน้า รูป 7 (ก) แสดงให้เห็นว่าฟิล์มบาง ALN มีรอยแตกเมื่อฝากที่ขอบขั้นตอน Au-Al2O3 รูป 7 (ข) แสดงให้เห็นว่าการสะสมขั้วไฟฟ้าบนเป็นมาตราส่วนกว่าพื้นผิว ALN ความต้านทานไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

6.3.3 . ฟิล์มบางเงิน ALN AU / Ti / Al2O3 / Si
เพื่อให้ฉนวนกันความร้อนที่มีประสิทธิภาพ , Al2O3 ภาพยนตร์ 300 nm หนาถูกโยนลงบนแผ่นเวเฟอร์ ซี ใช้เทเล e-beam การระเหย หลังจากการปลดออกจากตำแหน่ง , หน่วยเซ็นเซอร์ที่สมบูรณ์ถูกประดิษฐ์ใช้พารามิเตอร์เดียวกันตามที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ รูปที่ 7 ( a ) พบว่าฟิล์มบาง ไม่มีรอยแตก เมื่อ ALN ได้ฝากไว้ที่ au-al2o3 ขั้นตอนที่ขอบ ภาพประกอบ7 ( b ) แสดงให้เห็นว่าการเคลือบขั้วด้านบนเป็นมาตราส่วนบนพื้นผิว ALN . ความต้านทานไฟฟ้า