Chemical and plasma-etched method u

Chemical and plasma-etched method uses in unzipping a
carbon nanotube (CNT). Graphene nano ribbon (GNR)
defines a thin elongated strip of graphene which
demonstrates straight edges. Transformation of electronic
state from semimetal to semiconductor depends on the
width of nanaotube [178]. Multi-layer graphene or singlelayer
graphene produces if the starting nanotube is multiwalled
or single walled. The width of the nanoribbons
thus produced depends on the diameter of the precursor
nanotubes. Multi-walled carbon nanotubes (MWNTs)
established by lithium (Li) and ammonia (NH3). Conversion
of graphene nanoribbon from (MWNTs) are
shown in Fig. 9.
Liquid NH3 (99.95 %) and dry tetrahydrofuran (THF)
used in growth of (MWNTs) retaining the dry ice bath
temperature of -77 C [179]. It was found that *60 %
fully exfoliated and (0–5 %) unexfoliated or partially
exfoliated nanotubes of (MWNTs). For Oxidation of
CNT’s side wall used H2SO4, KMnO4, and H2O2 in step by
step process [32]. At the beginning they reported that the
MWNT diameter was 40–80 nm and increased up to
100 nm. The step-by-step fabrication process from nanotube
to nanoribbon is shown in Fig. 10.
In controlled unzipping technique a pristine MWNT
(dia. *4–18 nm) suspension was put on to a Si substrate
pretreated with 3-aminopropyltriethoxysilane. A polymethylmethacrylate
(PMMA) solution [34]. They established
high quality of MWNTs which diameter were
*6–12 nm and step height GNRs were 0.8–2.0 nm. Again
single- to few-layer GNRs also depends on the plasma
etching time.
Another method for unzipping MWCNTs to GNRs
used electric field. An electric field was applied to a
single MWNT using a tungsten electrode and perceived
that the noncontact end of the MWCNT started unwrapping
and forming graphene nanoribbon. The fabrication
process of GNRs achieve a high-purity, defect-free controlled
synthesis process for scalable device in modern
electronics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีแกะสลัก ด้วยพลาสม่า และสารเคมีที่ใช้ในการขยายไฟล์ท่อนาโนคาร์บอน (CNT) กราฟีนนาโนริบบิ้น (GNR)กำหนดตอกยาวแกรฟีนซึ่งอธิบายตรงขอบ การเปลี่ยนแปลงของอิเล็กทรอนิกส์รัฐจาก semimetal สารกึ่งตัวนำขึ้นอยู่กับการความกว้างของ nanaotube [178] หลายชั้นกราฟีนหรือ singlelayerกราฟีนผลิตถ้าท่อนาโนเริ่มต้นเป็น multiwalledหรือผนังเดียว ความกว้างของ nanoribbonsดังนั้น ผลิตขึ้นจากเส้นผ่าศูนย์กลางของสารตั้งnanotubes Nanotubes คาร์บอนหลาย (MWNTs)ก่อตั้งขึ้น โดยลิเธียม (Li) และแอมโมเนีย (NH3) การแปลงของกราฟีน มี nanoribbon จาก (MWNTs)แสดงในรูปที่ 9ของเหลว NH3 (99.95%) และแห้ง tetrahydrofuran (THF)ใช้ในการเจริญเติบโตของ (MWNTs) รักษาอาบน้ำแข็งแห้งอุณหภูมิของ-77 C [179] พบว่า * 60%ผงกเต็ม และ (0-5%) unexfoliated หรือบางส่วนnanotubes ผงกของ (MWNTs) สำหรับการเกิดออกซิเดชันของผนังด้านข้างของ CNT ใช้ H2SO4, KMnO4, H2O2 และในขั้นตอนโดยกระบวนการขั้นตอน [32] ที่จุดเริ่มต้น พวกเขารายงานว่า การเส้นผ่าศูนย์กลาง MWNT เป็น 40 – 80 nm และเพิ่มขึ้นถึง100 nm กระบวนการทีละขั้นตอนผลิตจากท่อนาโนการ nanoribbon จะแสดงในรูป 10ในควบคุมเทคนิคคลายซิป MWNT บริสุทธิ์(เส้นผ่าศูนย์กลาง * 4 – 18 nm) ระงับแล้ววางกับพื้นผิวศรีpretreated กับ 3 aminopropyltriethoxysilane การ polymethylmethacrylateโซลูชั่น (PMMA) [34] พวกเขาก่อตั้งขึ้นMWNTs เส้นผ่าศูนย์กลางที่มีคุณภาพสูง* 6-12 nm และขั้นสูง GNRs ได้ 0.8-2.0 nm อีกครั้งGNRs เดียวไปอีกหลายชั้นขึ้นอยู่กับพลาสม่าเวลาในการแกะสลักวิธีอื่นในการคลายซิป MWCNTs เพื่อ GNRsใช้สนามไฟฟ้า ใช้สนามไฟฟ้าMWNT เดี่ยวโดยใช้ขั้วไฟฟ้าทังสเตน และการรับรู้สิ้นสุด MWCNT noncontact เริ่ม unwrappingและการขึ้นรูป nanoribbon ฟีน การผลิตกระบวนการของ GNRs บรรลุความบริสุทธิ์ ปราศจากข้อบกพร่องที่ควบคุมการสังเคราะห์กระบวนการสำหรับอุปกรณ์ขนาดในสมัยอิเ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคมี และวิธีที่ใช้ในการขยายไฟล์ข้อมูลเป็นพลาสมาแกะสลักท่อนาโนคาร์บอน ( CNT ) กราฟีนนาโนริบบิ้น ( gnr )การกำหนดแถบบางยาวของกราฟีนซึ่งแสดงให้เห็นถึงขอบตรง การแปลงอิเล็กทรอนิกส์รัฐจาก semimetal กับสารกึ่งตัวนำขึ้นอยู่กับความกว้างของ nanaotube [ 178 ] หลายชั้นหรือ singlelayer กราฟีนกราฟีนผลิต ถ้าเริ่มเป็น multiwalled นาโนทิวบ์หรือเดี่ยวกำแพง . ความกว้างของ nanoribbonsจึงผลิตขึ้นอยู่กับขนาดของโปรตีนนาโน . ท่อนาโนคาร์บอนผนังหลาย ( MWNTs )ก่อตั้งขึ้นโดยลิเธียม ( Li ) และแอมโมเนีย ( nh3 ) การแปลงของกราฟีน nanoribbon จาก ( MWNTs )แสดงในรูปที่ 9nh3 ของเหลว ( 99.95% ) และเตตระไฮโดรฟแรน ( เตตระไฮโดรฟูแรน ) แห้งที่ใช้ในการเจริญเติบโตของ ( MWNTs ) รักษานํ้าแข็งแห้งอุณหภูมิ - 77 C [ 179 ] พบว่า * 60%อย่างเต็มที่และ exfoliated ( 0 – 5 % ) Unexfoliated หรือบางส่วนขัดนาโน ( MWNTs ) สำหรับปฏิกิริยาออกซิเดชันของCNT ของผนังด้านข้างใช้กรดซัลฟิวริก KMnO4 และ , H2O2 ในขั้นตอนโดยขั้นตอน [ 32 ] ในตอนแรกพวกเขาได้รายงานว่าmwnt เส้นผ่าศูนย์กลาง 40 – 80 nm และเพิ่มขึ้น100 นาโนเมตร อย่างเป็นขั้นตอนกระบวนการผลิตจากนาโนเพื่อ nanoribbon จะแสดงในรูปที่ 10ควบคุม mwnt unzipping เทคนิคล้วน( วัน . * 4 – 18 nm ) ระงับได้ใส่ไปซิ พื้นผิวที่ได้รับกับ 3-aminopropyltriethoxysilane . เป็นพอลิเมทิลเมทาคริเลต( PMMA ) โซลูชั่น [ 34 ] พวกเขาก่อตั้งขึ้นที่มีคุณภาพสูงซึ่งเป็น MWNTs เส้นผ่านศูนย์กลาง* 6 – 12 nm และขั้นตอน gnrs มีความสูง 0.8 – 2.0 นาโนเมตร อีกครั้งเดี่ยว - gnrs ชั้นน้อยยังขึ้นอยู่กับพลาสมาภาพเวลาอีกวิธีสำหรับ mwcnts unzipping จะ gnrsใช้สนามไฟฟ้า สนามไฟฟ้าประยุกต์ใช้เป็นเดียว mwnt ใช้ลวดทังสเตนและการรับรู้ว่าจบ noncontact ของ mwcnt เริ่ม unwrappingและการขึ้นรูปกราฟีน nanoribbon . การประดิษฐ์กระบวนการของ gnrs บรรลุความบริสุทธิ์สูง , ข้อบกพร่องฟรีควบคุมสำหรับอุปกรณ์ในกระบวนการสังเคราะห์ระบบทันสมัยอิเล็กทรอนิกส์