IntroductionIn transitional metal o

Introduction
In transitional metal oxides, the strong correlation between
lattice, charge, orbital, and spin leads to many novel properties. At
their interfaces, even richer physics bring about emerging properties.
Technical advances in the atomic-scale synthesis of oxide
heterostructures make it possible for these interfaces to be artifi-
cially designed [1–3]. In perovskite oxide heterostructures where
the oxygen octahedra share their vertices, the interplay among
different distortion of octahedral units can dictate many novel
functional properties [4]. One kind of interfaces between ferroelectric
and other materials, of which the electronic properties are
to be controlled, is very interesting because of the bi-stable
property, with which two states can be reached by reversing the
ferroelectric polarization with an electric field, with both changes
from structure and from electric polarization involved. The controlling
of the electronic structure can be through either the
change of electric boundary condition [5], or structural distortion
[6]. In this paper, we propose a strategy to control the electronic
bandwidths and to achieve a metal–insulator transition in a
material by stacking it onto a ferroelectric layer resulting in a
modulation of structural distortion.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนะนำในช่วงเปลี่ยนแปลงโลหะออกไซด์ ความสัมพันธ์ระหว่างแรงตาข่าย ค่า ออร์บิทัล และหมุนนำคุณสมบัติใหม่หลายอย่าง ที่อินเทอร์เฟซของพวกเขา ฟิสิกส์แม้ยิ่งขึ้นนำมาเกี่ยวกับคุณสมบัติใหม่ ๆความก้าวหน้าทางเทคนิคในการสังเคราะห์ขนาดอะตอมของออกไซด์heterostructures ทำให้มันเป็นไปได้สำหรับอินเทอร์เฟซเหล่านี้เป็น artifi-cially ออกแบบ [1-3] ใน heterostructures ออกไซด์ perovskite ที่octahedra ออกซิเจนร่วมจุดยอดของพวกเขา ความสัมพันธ์ระหว่างความผิดเพี้ยนแตกต่างกันของหน่วย octahedral สามารถเขียนนวนิยายมากมายทำงานคุณสมบัติ [4] ชนิดของอินเทอร์เฟซระหว่าง ferroelectricและ วัสดุอื่น ๆ ซึ่งมีคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์การควบคุม น่าสนใจมากเนื่องจากสองเสถียรโรงแรม ที่อเมริกาสองสามารถเข้าถึงได้ โดยการกลับตัวโพลาไรซ์ ferroelectric ด้วยสนามไฟฟ้า การเปลี่ยนแปลงทั้งจากโครงสร้าง และไฟฟ้าโพลาไรซ์มีส่วนเกี่ยวข้อง การควบคุมของโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์สามารถผ่านทั้งการเปลี่ยนเงื่อนไขขอบเขตไฟฟ้า [5], หรือมีการบิดเบือนโครงสร้าง[6] . ในกระดาษนี้ เรานำเสนอกลยุทธ์การควบคุมอิเล็กทรอนิกส์แบนด์วิดท์และ เพื่อให้บรรลุการเปลี่ยนโลหะ – ฉนวนในการวัสดุที่วางซ้อนกันบนชั้น ferroelectric ในการสัญญาณของการบิดเบือนโครงสร้าง