There are numerous models available

There are numerous models available to illustrate
how the MOSFET works, nevertheless finding
the right representation might be difficult. Most
of the MOSFET manufacturers provide Spice
and/or Saber models for their devices, but these
models say very little about the application traps
designers have to face in practice. They provide
even fewer clues how to solve the most common
design challenges.
A really useful MOSFET model which would
describe all important properties of the device
from an application point of view would be very
complicated. On the other hand, very simple and
meaningful models can be derived of the
MOSFET transistor if we limit the applicability
of the model to certain problem areas.
The first model in Figure 2 is based on the actual
structure of the MOSFET device and can be used
mainly for DC analysis. The MOSFET symbol in
Figure 2a represents the channel resistance and
the JFET corresponds to the resistance of the
epitaxial layer. The length, thus the resistance of
the epi layer is a function of the voltage rating of
the device as high voltage MOSFETs require
thicker epitaxial layer.
Figure 2b can be used very effectively to model
the dv/dt induced breakdown characteristic of a
MOSFET. It shows both main breakdown
mechanisms, namely the dv/dt induced turn-on of
the parasitic bipolar transistor - present in all
power MOSFETs - and the dv/dt induced turn-on
of the channel as a function of the gate
terminating impedance. Modern power
MOSFETs are practically immune to dv/dt
triggering of the parasitic npn transistor due to
manufacturing improvements to reduce the
resistance between the base and emitter regions.
It must be mentioned also that the parasitic
bipolar transistor plays another important role. Its
base – collector junction is the famous body
diode of the MOSFET.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีหลายรุ่นให้แสดงวิธีงาน MOSFET อย่างไรก็ตามการค้นหาการแสดงที่เหมาะสมอาจเป็นเรื่องยาก มากที่สุดMOSFET ที่ผู้ผลิตให้เครื่องเทศหรือกระบี่รุ่นอุปกรณ์ของพวกเขา แต่เหล่านี้รุ่นบอกน้อยมากเกี่ยวกับการดักแอพลิเคชันนักออกแบบจะต้องเผชิญในการปฏิบัติ พวกเขาให้วิธีการแก้ไขส่วนมาก clues แม้แต่น้อยความท้าทายในการออกแบบแบบ MOSFET มีประโยชน์จริง ๆ ซึ่งจะอธิบายถึงคุณสมบัติที่สำคัญทั้งหมดของอุปกรณ์จากโปรแกรมประยุกต์ มุมมองจะเป็นมากซับซ้อน บนมืออื่น ๆ ง่ายมาก และสามารถได้รับรุ่นที่มีความหมายของการทรานซิสเตอร์ MOSFET ถ้าเราจำกัดความเกี่ยวข้องของแบบจำลองบางส่วนปัญหารุ่นแรกในรูปที่ 2 เป็นไปตามจริงโครงสร้างของอุปกรณ์ MOSFET และสามารถใช้ส่วนใหญ่ใช้สำหรับการวิเคราะห์ DC สัญลักษณ์ MOSFET ในรูปที่ 2a แสดงความต้านทานของช่องสัญญาณ และJFET สอดคล้องกับความต้านทานของตัวชั้น epitaxial ความยาว ดังนั้นความต้านทานของชั้น epi ที่เป็นฟังก์ชันของแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์ที่เป็นไฟฟ้าแรงสูง MOSFETs ต้องชั้น epitaxial หนารูปที่ 2b ใช้อย่างดีรุ่นdv/dt เกิดแบ่งลักษณะของการMOSFET แสดงรายละเอียดทั้งหลักกลไก คือ dv/dt เกิดเปิดของการกาฝากขั้วทรานซิสเตอร์ - ปัจจุบันทั้งหมดพลังงาน MOSFETs - และเปิด dv/dt เกิดของสถานีที่เป็นฟังก์ชันของประตูสิ้นสุดความต้านทาน พลังงานที่ทันสมัยMOSFETs มีภูมิคุ้มกันในทางปฏิบัติต่อ dv/dtวิกฤติของทรานซิสเตอร์ npn ปรสิตเนื่องจากการผลิตการปรับปรุงเพื่อลดการความต้านทานระหว่างภูมิภาคฐานและยิงจะต้องมีระบุไว้ยังที่ปรสิตทรานซิสเตอร์สองขั้วส่วนสำคัญอีกด้วย ของมันฐาน – แยกเก็บรวบรวมเป็นร่างกายที่มีชื่อเสียงไดโอดของ MOSFET

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีหลายรูปแบบที่มีอยู่เพื่อแสดงให้เห็นเป็น
วิธีการทำงานของมอสเฟตที่ยังคงหา
ตัวแทนที่เหมาะสมอาจจะยาก ส่วนใหญ่
ของผู้ผลิต MOSFET ให้เครื่องเทศ
และ / หรือดาบรุ่นสำหรับอุปกรณ์ของพวกเขา แต่เหล่านี้
รุ่นที่พูดน้อยมากเกี่ยวกับกับดักใบสมัคร
นักออกแบบจะต้องเผชิญในการปฏิบัติ พวกเขาให้
เบาะแสแม้แต่น้อยวิธีการแก้ปัญหาที่พบมากที่สุด
ท้าทายในการออกแบบ.
รูปแบบที่มีประโยชน์จริงๆ MOSFET ซึ่งจะ
อธิบายถึงคุณสมบัติที่สำคัญทั้งหมดของอุปกรณ์
จากจุดโปรแกรมของดูจะมาก
ที่มีความซับซ้อน บนมืออื่น ๆ ที่ง่ายมากและ
รูปแบบที่มีความหมายที่จะได้รับของ
ทรานซิสเตอร์ MOSFET ถ้าเรา จำกัด การบังคับใช้
แบบจำลองเพื่อใช้พื้นที่ที่มีปัญหาบางอย่าง.
รุ่นแรกในรูปที่ 2 จะขึ้นอยู่กับความเป็นจริง
โครงสร้างของอุปกรณ์ MOSFET และสามารถนำมาใช้
ส่วนใหญ่สำหรับการวิเคราะห์ DC สัญลักษณ์ MOSFET ใน
รูปที่ 2a แสดงให้เห็นถึงความต้านทานช่องและ
JFET สอดคล้องกับความต้านทานของ
ชั้น epitaxial ความยาวดังนั้นความต้านทานของ
ชั้น EPI คือฟังก์ชั่นของการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของ
อุปกรณ์ MOSFETs ไฟฟ้าแรงสูงเป็นต้องมี
ชั้น epitaxial หนา.
รูปที่ 2b สามารถนำมาใช้อย่างมีประสิทธิภาพมากในการจำลอง
DV / DT ลักษณะการสลายการเหนี่ยวนำของ
มอสเฟต มันแสดงให้เห็นทั้งสองรายละเอียดหลัก
กลไกคือ DV / DT เหนี่ยวนำให้เปิดเครื่องขึ้นของ
ทรานซิสเตอร์สองขั้วกาฝาก - ปัจจุบันในทุก
MOSFETs พลังงาน - และเปิดเครื่องขึ้น DV / DT เหนี่ยวนำ
ของช่องเป็นหน้าที่ของประตูที่
ยุติความต้านทาน พลังงานที่ทันสมัย
​​MOSFETs เป็นจริงภูมิคุ้มกันเพื่อ DV / DT
วิกฤติของทรานซิสเตอร์ NPN กาฝากเนื่องจากการ
ปรับปรุงการผลิตเพื่อลดความ
ต้านทานระหว่างฐานและอีซีแอลภูมิภาค.
มันจะต้องกล่าวถึงว่าปรสิต
ขั้วทรานซิสเตอร์เล่นอีกบทบาทหนึ่งที่สำคัญ ใช้
ฐาน - แยกเก็บเป็นตัวที่มีชื่อเสียง
ไดโอดของมอสเฟต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีรูปแบบมากมายเพื่อแสดงวิธีการค้นหามอสเฟตทำงาน อย่างไรก็ตามการเป็นตัวแทนที่ถูกต้องอาจเป็นเรื่องยาก มากที่สุดของมอสเฟตผู้ผลิตให้เครื่องเทศโมเดล และ / หรือ เซเบอร์สำหรับอุปกรณ์ของพวกเขา แต่เหล่านี้แบบพูดได้น้อยมากเกี่ยวกับการใช้กับดักนักออกแบบต้องเผชิญในการปฏิบัติ พวกเขาให้แม้แต่น้อยเบาะแสวิธีการแก้ปัญหาที่พบบ่อยที่สุดความท้าทายของการออกแบบเป็นประโยชน์จริงๆมอสเฟตแบบซึ่งจะอธิบายคุณสมบัติที่สำคัญทั้งหมดของอุปกรณ์จากการรีวิว จะ มี ความที่ซับซ้อน บนมืออื่น ๆ , ง่ายๆรุ่นที่สามารถจะได้มาจากความหมายมอสเฟตทรานซิสเตอร์ถ้าเราจำกัดการใช้รูปแบบของพื้นที่ปัญหาบางอย่างรุ่นแรก รูปที่ 2 ตาม จริงโครงสร้างของมอสเฟตอุปกรณ์และสามารถใช้หลักในการวิเคราะห์ DC MOSFET ในที่สัญลักษณ์รูปที่ 2A แสดงถึงความต้านทานของช่องและการ jfet สอดคล้องกับความต้านทานของepitaxial ชั้น ความยาวจึงต้านทานของEpi ชั้นเป็นฟังก์ชันของระดับแรงดันอุปกรณ์ที่ต้องใช้แรงดันสูงสอดหนา epitaxial ชั้นรูปที่ 2B สามารถใช้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อรูปแบบDV / DT สามารถแบ่งลักษณะของมอสเฟต . มันแสดงให้เห็นรายละเอียดทั้งหลักกลไกคือ DV / dt ของการเปิดพยาธิไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - ปัจจุบันในสอด - อำนาจและ DV / dt ) เปิดในช่องที่เป็นฟังก์ชันของประตูสิ้นสุดความต้านทาน . พลังงานที่ทันสมัยสอดเป็นจริงภูมิคุ้มกัน DV / แฟรชเรียกพยาธิ NPN ทรานซิสเตอร์เนื่องจากการปรับปรุงเพื่อลดการผลิตความต้านทานระหว่างฐานและอีซีภูมิภาคมันจะต้องกล่าวว่า พยาธิไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์เล่นสำคัญอีกบทบาท ของฐานและเก็บแยกเป็นร่างกายที่มีชื่อเสียงไดโอดของ MOSFET .