A p-type Si (1 0 0) wafer with dopa

A p-type Si (1 0 0) wafer with dopant concentration 1018 cm-3 was used as a model semiconducting material.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซีชนิด p (1 0 0) ใช้เป็นวัสดุเป็นตัวจำลองแผ่นเวเฟอร์ ด้วย dopant สมาธิ 1018 cm-3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Si ชนิดพี (1 0 0) เวเฟอร์ที่มีความเข้มข้นเจือปน 1,018 เซนติเมตร-3 ถูกนำมาใช้เป็นวัสดุรูปแบบสารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นพีซี ( 1 0 0 ) เวเฟอร์กับโดพันท์ความเข้มข้น 1018 cm-3 แบบกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นวัสดุ