Detector size and type: Silicon dri

Detector size and type: Silicon drift detectors, used in hXRF technology, have large surface areas and better resolutions than their alternatives (i.e. Si-PIN and CdTe detectors), meaning that they can differentiate between the broader X-ray peaks as well as detect and measure lower energy X-rays (Longoni et al., 1998; Strüder et al., 1998).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขนาดและประเภทของเครื่องตรวจจับ: เครื่องตรวจจับดริฟท์ซิลิคอนที่ใช้ในเทคโนโลยี hXRF มีพื้นที่ผิวขนาดใหญ่และมีความละเอียดที่ดีกว่าเครื่องตรวจจับทางเลือกอื่น (เช่น เครื่องตรวจจับ Si-PIN และ CdTe) ซึ่งหมายความว่าสามารถแยกความแตกต่างระหว่างพีครังสีเอกซ์ที่กว้างขึ้นรวมทั้งตรวจจับได้ และวัดรังสีเอกซ์พลังงานต่ำ (Longoni et al., 1998; Strüder et al., 1998)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขนาดและประเภทของเครื่องตรวจจับ: เครื่องตรวจจับซิลิคอนดริฟท์ที่ใช้ในเทคโนโลยี hXRF มีพื้นที่ผิวขนาดใหญ่และมีความละเอียดดีกว่าทางเลือกอื่น ๆ เช่นเครื่องตรวจจับ Si-PIN และ CdTe ซึ่งหมายความว่าพวกเขาสามารถแยกแยะจุดสูงสุดของรังสีเอกซ์ที่กว้างขึ้นและตรวจจับและวัดรังสีเอกซ์ที่มีพลังงานต่ำกว่า (Longoni et al. 1998; Strüder et al. 1998)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขนาดและประเภทของเครื่องตรวจจับ:เครื่องตรวจจับการลอยตัวของซิลิคอนที่ใช้ในเทคโนโลยีhXRFมีพื้นที่ผิวที่ใหญ่กว่าและมีความละเอียดสูงกว่าตัวแทนเช่นเครื่องตรวจจับซิลิคอนPINและCdTeซึ่งหมายความว่าพวกเขาสามารถแยกแยะความแตกต่างระหว่างจุดสูงสุดของรังสีเอกซ์และตรวจจับและวัดรังสีเอกซ์ที่มีพลังงานต่ํากว่า( longoni et al.,1998; strüder et al., 1998 )