When the junctions at grain boundar

When the junctions at grain boundaries are active, the ZnO varistors have electrical
function, which exhibit nonlinear voltage–current characteristics. This is similar to the back-to-back zener diode, whereas this has much stronger absorption capability against transient overvoltage than that of zener diode

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อทางแยกที่แปอยู่ วาริสเตอร์ ZnO มีไฟฟ้าทำงาน ซึ่งแสดงลักษณะแรงดันกระแสไม่เชิงเส้น นี่คือคล้ายกับกลับไปกลับซีเนอร์ไดโอด ขณะนี้มีความสามารถในการดูดซึมมากแข็งแรงกับแรงดันไฟฟ้าเกินชั่วขณะที่ซีเนอร์ไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อแยกที่ข้าวเขตแดนมีการใช้งานวาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์มีไฟฟ้า
ฟังก์ชั่นซึ่งแสดงลักษณะแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันไม่เชิงเส้น นี้จะคล้ายกับกลับไปกลับซีเนอร์ไดโอดในขณะนี้มีความสามารถในการดูดซึมที่แข็งแกร่งมากขึ้นกับ Overvoltage ชั่วคราวกว่าของซีเนอร์ไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อทางแยกที่ขอบเขตของงาน , ซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มีมีไฟฟ้าฟังก์ชันเชิงเส้นซึ่งมีแรงดัน–ปัจจุบันลักษณะ นี้จะคล้ายกับไดโอด Zener ชนกัน ขณะนี้ได้แข็งแกร่งมาก ความสามารถในการดูดซึมต่อต้านชั่วคราวว่า แรงดันซีเนอร์ไดโอด