The aim was to produce p–n junction

The aim was to produce p–n junctions directly by LPE via growth at 950–650 ◦C, much lower than the bulk crystal growth, to reduce the number of defects.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดประสงค์คือการ ผลิตลีเมอร์ p – n โดย LPE ผ่าน ◦C 950 – 650 น้อยกว่าจำนวนมากคริสตัลการเจริญเติบโต เติบโตเพื่อลดจำนวนข้อบกพร่องตรง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดมุ่งหมายคือการผลิตแยก P-N โดยตรง LPE ผ่านการเจริญเติบโตที่ 950-650 ◦Cมากต่ำกว่าการเติบโตของผลึกเป็นกลุ่มเพื่อลดจำนวนของข้อบกพร่อง