Table 1 shows the element content a

Table 1 shows the element content and the thickness as a function
of deposition temperature. It can be seen that the thickness of
the thin film decreases with the increasing deposition temperature.
The composition of Co is less at low temperature and high
temperature. But it closes in the middle temperature. XRD patterns
of antimonide cobalt thin films are shown in Fig. 1. It is found that
sample S1 and S2 mainly exhibit the Sb phase due to the highest
dominated peak is from the diffraction of the Sb (012) plane. Some
peaks locate at 31, 42 and 52 is related to the CoSb3 phase
which indicates that the CoSb3 is the secondary phase of the thin
films. Besides this, few extra diffraction peaks are confirmed as
CoSb2 phase. But the intensity of those peaks is very weaker than
others. When the substrate temperature increased to 300 C, the
peaks of S3–S6 relate to Sb (012) phase is disappeared and the
intensity of the diffraction peaks locate at 32 and 34 rapidly
increase. They are corresponding to the CoSb2 phase and become
to the mainly diffraction peaks of the thin films. Though some diffraction
peaks relate to Sb and CoSb3 phase are still observed, their
intensity is much smaller than those peaks. This indicates that
CoSb2 is the dominant phase of the thin films deposited at 300–
450 C. However, the Sb phase appears to be the dominated phase
and the CoSb3 become the secondary phase again since the thin
film was prepared at the substrate temperature of 500 C. From
the XRD results, it can be concluded that antimonide cobalt thin
films with Sb and CoSb3 mixed phase are obtained when the thin
films deposited at low temperate. Then, they are translated to be
CoSb2 phase which can be consider as the single phase of the thin
films when the temperature increased above 300 C. Finally, the
structure of the thin film resumes to Sb and CoSb3 mixed phase
at 500 C which is similar to the thin films deposited at low
temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตารางที่ 1 แสดงเนื้อหาองค์ประกอบและความหนาเป็นฟังก์ชันอุณหภูมิสะสม จะเห็นได้ที่ความหนาของฟิล์มบางลดลง มีอุณหภูมิสะสมเพิ่มขึ้นองค์ประกอบของ Co ได้น้อย ที่อุณหภูมิต่ำ และสูงอุณหภูมิ แต่มันปิดอุณหภูมิกลาง รูปแบบการ XRDของ antimonide ฟิล์มบางของโคบอลต์มีแสดงใน Fig. 1 จะพบว่าตัวอย่าง S1 และ S2 ส่วนใหญ่แสดงระยะ Sb เนื่องจากสูงสุดครอบงำสูงสุดจากการเลี้ยวเบนของ Sb (012) เครื่องบินได้ บางพีคส์ตำแหน่ง 31, 42 และ 52 เกี่ยวข้องกับระยะ CoSb3ซึ่งบ่งชี้ว่า การ CoSb3 ระยะรองของบางฟิล์ม นอกจากนี้ ยืนยันยอดการเลี้ยวเบนเสริมน้อยเป็นขั้นตอน CoSb2 แต่ความเข้มของยอดที่ต่ำกว่ามากผู้อื่น เมื่อเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิวถึง 300 C การยอดของ S3 – S6 ที่เกี่ยวข้องกับ Sb (012) ระยะจะหายไปและความเข้มของการเลี้ยวเบนแห่งตำแหน่งที่ 32 และ 34 อย่างรวดเร็วเพิ่มขึ้น พวกเขาสอดคล้องกับระยะ CoSb2 และกลายเป็นไปยอดเขาส่วนใหญ่เป็นการเลี้ยวเบนของฟิล์มบาง แม้ว่าบางการเลี้ยวเบนยอดสัมพันธ์กับ Sb และยังคง พบ ขั้นตอนการ CoSb3 ของพวกเขาความเข้มมีขนาดเล็กกว่ายอดเหล่านั้น นี้หมายถึงCoSb2 เป็นขั้นตอนหลักของฟิล์มบางที่ฝากที่ 300ค. 450 อย่างไรก็ตาม ระยะ Sb ปรากฏเป็น ระยะ dominatedและ CoSb3 การกลายเป็น เฟสรองอีกตั้งแต่บางมีเตรียมฟิล์มที่อุณหภูมิพื้นผิว 500 C. จากการ XRD ผล มันสามารถสรุปได้ว่า โคบอลต์ antimonide บางมีขั้นตอนการผสม Sb และ CoSb3 จะได้รับเมื่อการบางฟิล์มฝากที่ต่ำซึ่ง จากนั้น มีแปลเป็นระยะ CoSb2 ซึ่งสามารถพิจารณาเป็นขั้นตอนเดียวของบางฟิล์มเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นเหนือราว 300 ในที่สุด การโครงสร้างของประวัติย่อของฟิล์มบางระยะผสม Sb และ CoSb3ที่ 500 C ซึ่งมีลักษณะคล้ายกับฟิล์มบางที่ฝากที่ต่ำอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตารางที่ 1 แสดงองค์ประกอบเนื้อหาและความหนาเป็นฟังก์ชัน
อุณหภูมิของการ จะเห็นได้ว่า ความหนาของฟิล์มลดลงด้วย

การสะสมอุณหภูมิ องค์ประกอบของ CO จะน้อยกว่าที่อุณหภูมิต่ำและอุณหภูมิสูง

แต่ปิดในอุณหภูมิปานกลาง วิเคราะห์รูปแบบ
ของ antimonide โคบอลต์ ฟิล์มจะแสดงในรูปที่ 1 พบว่า
ตัวอย่าง S1 และ S2 ส่วนใหญ่แสดง SB ระยะเนื่องจากสูงสุด
ครอบงำสูงสุดจากการเลี้ยวเบนของ SB ( 012 ) เครื่องบิน บาง
ยอดตั้งอยู่ที่  31   42 และ 52 ,   เกี่ยวข้องกับ cosb3 เฟส
ซึ่งบ่งชี้ว่า cosb3 เป็นเฟสที่สองของฟิล์มบาง

นอกจากนี้ ยอดพิเศษบางอย่างโดยได้รับการยืนยันเป็น
เฟส cosb2 . แต่ความเข้มของผู้ที่อ่อนแอกว่า
ยอดมากคนอื่น ๆ เมื่ออุณหภูมิแผ่นรองรับเพิ่มขึ้น 300  C
ยอดของ S3 และ s6 เกี่ยวข้องกับ SB ( 012 ) ระยะที่หายตัวไปและ
เข้มของการเลี้ยวเบนยอดตั้งอยู่ที่  32 และ 34    อย่างรวดเร็ว
เพิ่ม พวกเขาจะสอดคล้องกับ cosb2 เฟสและกลายเป็น
ไปส่วนใหญ่จากยอดเขาของฟิล์มบาง แต่บางยอดการเลี้ยวเบน
เกี่ยวข้องกับ SB และเฟส cosb3 ยังสังเกตของพวกเขา
เข้มมากขนาดเล็กกว่าที่ยอดเขานั้น นี้บ่งชี้ว่า
cosb2 เป็นระยะเด่นของฟิล์มบางเงิน 300 และ 450 
C . อย่างไรก็ตาม , SB ระยะที่ดูเหมือนจะครอบงำเฟส
และ cosb3 กลายเป็นระยะที่สองอีกครั้งตั้งแต่ฟิล์ม
เตรียมที่อุณหภูมิแผ่นรองรับ 500 
C จากผล XRD , มันสามารถ สรุปได้ว่า
บาง antimonide โคบอลต์ภาพยนตร์กับ SB cosb3 เฟสและผสมได้เมื่อฟิล์ม
ฝากไว้ที่ต่ำพอสมควร . แล้วพวกเขาจะแปลเป็น
cosb2 ระยะซึ่งสามารถพิจารณาเป็นขั้นตอนเดียวของฟิล์มบาง
เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นสูงกว่า 300  C . ในที่สุด ,
โครงสร้างของฟิล์มบางและประวัติย่อเพื่อ SB cosb3
เฟสผสม 500  C ซึ่งมีลักษณะคล้ายกับฟิล์มบางเงินที่อุณหภูมิต่ำ
.