the junction temperature will incre

the junction temperature will increase when the solar
cell is irradiated at high intensities. Ju et al. analyzed the InGaP/
GaAs/Ge triple-junction solar cell operating at the concentration
ratios in the range of 1–1000 suns

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เชื่อมต่ออุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นเมื่อการพลังงานแสงอาทิตย์เซลล์เป็น irradiated ที่ปลดปล่อยก๊าซสูง จู al. et InGaP วิเคราะห์ /เซลล์แสงอาทิตย์เชื่อมต่อทริ GaAs/Ge ทำงานที่ความเข้มข้นอัตราส่วนในช่วง 1 – 1000 ดวง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิทางแยกจะเพิ่มขึ้นเมื่อแสงอาทิตย์เซลล์ฉายรังสีที่ความเข้มสูง จู et al, วิเคราะห์ InGaP /
GaAs /
จีอีสามแยกเซลล์แสงอาทิตย์การดำเนินงานที่มีความเข้มข้นอัตราส่วนในช่วง1-1000 ดวงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชุมทางอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นเมื่อ เซลล์แสงอาทิตย์ คือ การฉายรังสีที่ความเข้มสูง
. จู et al . วิเคราะห์ ingap /
6 / GE สามแพร่งโซลาร์เซลล์ปฏิบัติการที่ความเข้มข้น
อัตราส่วนในช่วง 1 – 1000 ซัน