To uncover the competition between

To uncover the competition between electron recombination and injection at the interfaces of different photoanodes, the EIS of F-T and F-T-xA under illumination are shown in Fig. 4 at an applied bias of 0.8 V and a frequency range from 0.1 Hz to 1 MHz, with AC amplitude of 5 mV

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปิดการแข่งขันระหว่างอิเล็กตรอน recombination และฉีดที่อินเทอร์เฟซแตกต่างกัน photoanodes, EIS ของ F-T และ F-T-ซาภายใต้แสงสว่างจะมีใน Fig. 4 ที่มีความโน้มเอียงใช้ 0.8 V และช่วงความถี่ตั้งแต่ 0.1 Hz ถึง 1 MHz คลื่น AC 5 mV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การค้นพบการแข่งขันระหว่างการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนและการฉีดที่อินเตอร์เฟซที่แตกต่างกันของ photoanodes ที่ EIS ของ FT และ FT-xA ภายใต้การส่องสว่างที่มีการแสดงในรูป 4 อคติใช้ 0.8 V และช่วงความถี่ 0.1 Hz ถึง 1 MHz ที่มีความกว้าง AC 5 mV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การค้นพบอิเล็กตรอน และการแข่งขันระหว่างการฉีดที่อินเทอร์เฟซของ photoanodes แตกต่างกัน และบูรณาการของ f-t f-t-xa ภายใต้แสงแสดงในรูปที่ 4 ที่ใช้อคติ 0.8 V และช่วงความถี่จาก 0.1 Hz 1 MHz ด้วยแอมพลิจูด AC 5 เพลง