Silicon semiconductor detectors des

Silicon semiconductor detectors described in the previous chapter have depletion depths
less than 1 mm, which are sufficient for charged particle spectroscopy or soft X-ray
detection. For photon spectroscopy in the energy region of hundred keV or several MeV,
much thicker semiconductor detectors are required. Fig. 8.1 shows the mean free path of
a photon in silicon and germanium. It is obvious that a depletion depth of at least several
cm is required. Due to its higher atomic number, Ge has a much lager linear attenuation
coefficient, which leads to a shorter mean free path. Thus, Ge is preferred for hard X-ray
or gamma-ray detection to achieve higher detection efficiency

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เครื่องตรวจจับสารกึ่งตัวนำซิลิคอนที่อธิบายไว้ในบทก่อนหน้านี้ได้ลึกสูญเสียน้อยกว่า 1 มม ซึ่งเพียงพอสำหรับสเปกโทรสโกมีอนุภาคหรือเอ็กซเรย์นุ่มตรวจจับ สเปคโตรมิเตอร์ของโฟตอนในภาคพลังงานของ keV ร้อยหรือหลาย MeVจำเป็นต้องใช้เครื่องตรวจจับสารกึ่งตัวนำที่หนามาก รูปที่ 8.1 แสดงเส้นฟรีหมายถึงทางของเป็นโฟตอนในซิลิคอนและเจอร์เมเนียม มันเห็นได้ชัดที่ความสูญเสียหลายอย่างน้อยซม.จะต้อง เนื่องจากเป็นเลขอะตอมสูงขึ้น Ge มีการมากเบียร์เชิงลดทอนค่าสัมประสิทธิ์ ซึ่งนำไปสู่เส้นทางฟรีเฉลี่ยสั้นลง ดังนั้น เป็นที่ต้องการสำหรับเอ็กซเรย์ฮาร์ Geหรือแกมมาการตรวจสอบเพื่อให้บรรลุประสิทธิภาพการตรวจจับที่สูงขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เครื่องตรวจจับซิลิกอนเซมิคอนดักเตอร์ที่อธิบายไว้ในบทก่อนหน้ามีการพร่องลึก
น้อยกว่า 1 มิลลิเมตรซึ่งมีเพียงพอสำหรับสเปกโทรสโกอนุภาคหรือ X-ray นุ่ม
การตรวจสอบ สำหรับสเปกโทรสโกโฟตอนในภูมิภาคพลังงานร้อย keV หรือหลาย MeV,
เครื่องตรวจจับเซมิคอนดักเตอร์หนามากจะต้อง มะเดื่อ. 8.1 แสดงอิสระหมายความว่าเส้นทางของ
โฟตอนในซิลิคอนและเจอร์เมเนียม เป็นที่ชัดเจนว่าระดับความลึกของการสูญเสียอย่างน้อยหลาย
ซม. เป็นสิ่งจำเป็น เนื่องจากจำนวนอะตอมสูงกว่าจีอีมีเบียร์มากเชิงเส้นการลดทอน
ค่าสัมประสิทธิ์ซึ่งนำไปสู่เส้นทางที่สั้นฟรีค่าเฉลี่ย ดังนั้นจีอีเป็นที่ต้องการสำหรับฮาร์ด X-ray
หรือการตรวจจับรังสีแกมมาเพื่อให้เกิดประสิทธิภาพการตรวจจับที่สูงขึ้น